全球第二大NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）廠商鎧俠（Kioxia，舊稱東芝記憶體）采用3D 架構(gòu)的NAND Flash「BiCS FLASH」有新一代產(chǎn)品現(xiàn)身，堆疊112 層、記憶容量將較現(xiàn)行96 層產(chǎn)品提高2 成。

　　鎧俠1月31日宣布，已研發(fā)出3D NAND Flash「BiCS FLASH」的第5代產(chǎn)品，采用堆疊112層制程技術(shù)，且已完成試作、確認(rèn)基本動(dòng)作。

　　該款堆疊112 層的3D NAND 試作品為512Gb（64GB），采用3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計(jì)將在2020 年第一季進(jìn)行樣品出貨，除將用來搶攻需求持續(xù)擴(kuò)大的資料中心用SSD、商用SSD、PC 用SSD 及智能手機(jī)等市場外，也將用來搶攻5G、人工智能（AI）、自動(dòng)駕駛等新市場需求。

　　和鎧俠目前已量產(chǎn)的96 層3D NAND 產(chǎn)品相比，112 層3D NAND 每單位面積的記憶容量提高約20%，且每片晶圓所能生產(chǎn)的記憶容量增加，每bit 成本也下滑。

　　鎧俠指出，該款112 層3D NAND 產(chǎn)品為該公司和合作伙伴美國Western Digital（WD）所攜手研發(fā)完成，今后將利用雙方共同營運(yùn)的四日市工廠以及北上工廠進(jìn)行生產(chǎn)，且今后也計(jì)劃推出采用堆疊112 層制程技術(shù)的1Tb（128GB）TLC 產(chǎn)品以及1.33Tb 的4bit/cell （QLC：Quadruple-Level Cell）產(chǎn)品。

　　關(guān)于上述112 層3D NAND 的量產(chǎn)時(shí)間，WD 宣布，「預(yù)定將在2020 年下半年」。

　　鎧俠競爭對手南韓三星電子已于2019 年6 月開始量產(chǎn)堆疊100 層以上的3D NAND 產(chǎn)品。

　　東芝于2018 年6 月將鎧俠獨(dú)立出去，并賣給由美國貝恩資本主導(dǎo)的「日美韓聯(lián)盟」。東芝目前仍持有鎧俠40.2% 股權(quán)。

　　根據(jù)Yahoo Finance 的報(bào)價(jià)顯示，截至臺灣時(shí)間3 日13 點(diǎn)41 分為止，東芝上揚(yáng)0.14% 至3,505 日圓。

　　日經(jīng)新聞1 月29 日報(bào)導(dǎo)，據(jù)關(guān)系人士指出，鎧俠IPO（首次公開發(fā)行）上市時(shí)間預(yù)估將從原先規(guī)劃的2019 年度內(nèi)（2020 年3 月底前）推延至2020 年10 月以后。

　　鎧俠于2019 年11 月13 日公布2019 年Q3（7-9 月）財(cái)報(bào)：因出貨量大增，每GB 單價(jià)下滑幅度趨緩，而因停電導(dǎo)致「四日市工廠」部分產(chǎn)線停止生產(chǎn)的影響雖持續(xù)，但因生產(chǎn)回復(fù)時(shí)間較預(yù)期來得快，影響金額大縮，激勵(lì)合并營收較前一季（2019 年4-6 月）勁揚(yáng)11.6% 至2,390 億日圓，營損額自前一季的989億日圓大縮至658 億日圓，凈損額也自952 億日圓大縮至560 億日圓。

　　展望今后市場動(dòng)向，鎧俠表示，因供給端庫存水準(zhǔn)適當(dāng)化，加上來自需求端的資料中心投資回復(fù)及智慧手機(jī)搭載的記憶體數(shù)量增加，一般認(rèn)為2020 年供需將維持穩(wěn)定。

　　鎧俠攜手美國WD 在日本巖手縣興建的北上工廠第一廠房（以下稱K1）已于2019 年10 月竣工，預(yù)定在2020 年開始進(jìn)行生產(chǎn)。K1 將生產(chǎn)使用于資料中心/ 智能手機(jī)/ 自動(dòng)駕駛等用途，堆疊96 層制程技術(shù)的3D NAND Flash 產(chǎn)品。