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長江存儲:跳過96層 直接量產(chǎn)128層閃存

2020-01-16
作者:快科技
來源:新浪科技
關鍵詞: 長江存儲 閃存

  1月16日,長江存儲召開市場合作伙伴年會,并在會前披露了閃存技術方面的一些新情報。

  就在日前,長江存儲確認自主研發(fā)的64層已經(jīng)在去年投入量產(chǎn)(256Gb TLC),并正擴充產(chǎn)能,將盡早達成10萬片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模,并按期建成30萬片月產(chǎn)能

  據(jù)長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示,長江存儲64層閃存的存儲密度是全球第一的,和友商96層閃存相比差距也在10%之內,并且絕非低端產(chǎn)品,質量有保證,是可以保證盈利的。

  接下來,長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層,直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作,但暫時沒有分享具體時間表。

  2020年,全球閃存行業(yè)將集體奔向100+層,比如SK海力士已在近期出貨128層閃存并將在年底做到176層,三星有128層、136層,西數(shù)、鎧俠(原東芝存儲)都是112層但存儲密度更高,美光128層,Intel則會做成144層。

  長江存儲選擇直奔128層,無疑能進一步縮小與行業(yè)先進水平的差距,但挑戰(zhàn)性肯定也更大。

  在技術創(chuàng)新層面,長江存儲研發(fā)了自己的Xtacking堆棧架構,已經(jīng)可以保證可靠性問題,下一代的Xtacking 2.0也正在推進中,會重點拓展性能、功能,也是直接上128層堆疊的重要保障。

  據(jù)介紹,長江存儲Xtacking架構可以實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元,有利于選擇更先進的邏輯工藝,提升閃存I/O接口速度、存儲密度,芯片面積也能減少約25%。

  當兩片晶圓各自完工后,只需一個處理步驟,就可通過數(shù)百萬根垂直互聯(lián)通道(VIA),將兩片晶圓鍵合在一起。

  得益于并行的、模塊化的產(chǎn)品設計及制造,Xtacking閃存的開發(fā)時間也可縮短三個月,生產(chǎn)周期則可縮短20%。

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