近日，據(jù)外媒報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式宣布其成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM供應(yīng)商。

　　長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2016年5月在安徽合肥啟動(dòng)，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產(chǎn)，并通過(guò)專用研發(fā)線快速迭代研發(fā)，結(jié)合當(dāng)前先進(jìn)設(shè)備大幅度改進(jìn)工藝，開(kāi)發(fā)出了獨(dú)有的技術(shù)體系。長(zhǎng)鑫內(nèi)存自主制造項(xiàng)目總投資1500億元，將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代10nm工藝級(jí)8Gb DDR4內(nèi)存芯片，并獲得了工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告。

　　目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)完成了合肥Fab 1及研發(fā)設(shè)施建設(shè)，該晶圓廠每月產(chǎn)量為20000晶圓，到2020年第二季度這一速度會(huì)提升到40000晶圓/月，大概能占到全球內(nèi)存產(chǎn)能的3%。預(yù)計(jì)到 2020 年底，其 10nm 級(jí)工藝技術(shù)的產(chǎn)能為 12 萬(wàn)片晶圓（12 英寸），媲美 SK 海力士在中國(guó)無(wú)錫的工廠。

　　長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)基于 19nm 工藝的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器，且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級(jí)制程的路線圖，計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)各種類型的DRAM。為了提升產(chǎn)量，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還計(jì)劃建造另外兩座晶圓廠。作為中國(guó)制造 2025 項(xiàng)目的一部分，其有望支撐全球一半左右的 DRAM 需求。

　　長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在使用其 10G1 技術(shù)（19 nm 工藝）來(lái)制造 4 Gb 和 8 Gb DDR4 存儲(chǔ)器芯片，目標(biāo)在 2020 年第一季度將其商業(yè)化并投放市場(chǎng)，該技術(shù)將用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存儲(chǔ)器。

　　從路線圖來(lái)看，CXMT 還規(guī)劃了針對(duì) DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及 LPDDR5 的 10G3（17 nm 工藝）產(chǎn)品。盡管目前尚無(wú)法撼動(dòng)業(yè)內(nèi)老牌競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但該公司相當(dāng)重視創(chuàng)新工藝的研發(fā)和產(chǎn)能的擴(kuò)張。

　　預(yù)計(jì)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 10G5 工藝將使用 HKMG 和氣隙位線技術(shù)，并在遠(yuǎn)期使用柱狀電容器、全能柵極晶體管、以及極紫外光刻（EUVL）工藝。

　　盡管該公司計(jì)劃于 2019 年初開(kāi)始生產(chǎn) DDR4 內(nèi)存，但新路線圖已經(jīng)推遲了一年。最后，該公司還計(jì)劃再建兩座 DRAM 晶圓廠。

　　目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)國(guó)內(nèi)唯一的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是清華紫光，它計(jì)劃于2021年在重慶建成研發(fā)中心和DRAM晶圓廠，距離量產(chǎn)還要3-5年時(shí)間。

　　就在前幾天，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布，就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM內(nèi)存專利，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議，依據(jù)專利許可協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從Polaris獲得大量DRAM技術(shù)專利的實(shí)施許可。依據(jù)獨(dú)立的專利采購(gòu)協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從Polaris購(gòu)得相當(dāng)數(shù)量的DRAM專利。