《電子技術(shù)應(yīng)用》
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中芯國際發(fā)布 Q3 財(cái)報(bào):凈利潤暴漲 10 倍 12nm 進(jìn)展順利

2019-11-16
來源:世紀(jì)電源網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 中芯國際 12nm 晶體管 Intel

11月12日晚,中芯國際發(fā)布了Q3季度財(cái)報(bào),當(dāng)季營收8.165億美元,同比增長4%,環(huán)比下滑3.2%,凈利潤8462.6萬美元,相比去年同期的759.1萬美元大漲了1014%。實(shí)際上中芯國際Q3季度的毛利是下滑,1.7億美元環(huán)比增長12.3%,同比下滑了2.7%。
凈利暴增主要是去年同期運(yùn)營虧損582.8萬美元,今年Q3季度運(yùn)營利潤4715萬美元,還有另外4153.7萬美元的其他收益,主要是出售了海外的阿韋扎諾晶圓廠,所以推高了盈利,歸屬于股東的凈利潤有1.15.億美元,凈利潤也有8462.8萬美元。

具體到工藝上來看,收入占比分別是150/180nm (35.8%)、55/65nm (29.3%)、40/45nm (18.5%)、110/130nm (6.6%)、250/350nm (4.2%)、28nm (4.3%)、90nm (1.3%),占大頭的依然是成熟的150/180nm、55/65nm工藝,量產(chǎn)最先進(jìn)的28nm工藝占比只有4.3%,不過相比上季度的2.8%已經(jīng)開始增長。

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在技術(shù)方面,中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官,趙海軍博士和梁孟松博士評(píng)論說:經(jīng)過兩年的積累,我們不僅進(jìn)一步縮短先進(jìn)技術(shù)的差距,也同時(shí)全面拓展新的成熟工藝技術(shù)平臺(tái),有信心隨著5G終端應(yīng)用發(fā)展的浪潮步入新的發(fā)展階段。
FinFET技術(shù)研發(fā)不斷向前推進(jìn):第一代FinFET已成功量產(chǎn),四季度將貢獻(xiàn)有意義的營收;第二代FinFET研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn),客戶導(dǎo)入進(jìn)展順利。中芯國際所說的第一代FinFET工藝應(yīng)該是14nm,這個(gè)季度會(huì)開始量產(chǎn)出貨,不過之前他們表示大規(guī)模出貨要到2021年。

第二代FinFET工藝應(yīng)該是改進(jìn)型的12nm工藝,該工藝相比14nm晶體管尺寸進(jìn)一步縮微,功耗降低20%、性能提升10%,錯(cuò)誤率降低20%,現(xiàn)在是客戶導(dǎo)入,年底會(huì)有一些流片。按照中芯國際所說的進(jìn)展,那么國內(nèi)今年底、最晚明年就會(huì)有12nm芯片進(jìn)入生產(chǎn),這個(gè)工藝水平跟Intel的14nm是一代的了,與國際最先進(jìn)水平也就一兩代的差距了。

來源:21Dianyuan


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