2019年11月12日，中國(guó)內(nèi)地代工雙雄中芯國(guó)際和華虹半導(dǎo)體同一天發(fā)布2019年第三季財(cái)報(bào)，受惠于國(guó)產(chǎn)替代，都較上一季度取得成長(zhǎng)。

中芯國(guó)際進(jìn)一步縮短先進(jìn)技術(shù)的差距，F(xiàn)inFET技術(shù)研發(fā)不斷向前推進(jìn)，第一代FinFET已成功量產(chǎn)，第四季將貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收；第二代FinFET研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，客戶導(dǎo)入進(jìn)展順利。同時(shí)中國(guó)區(qū)客戶需求強(qiáng)勁，營(yíng)收占幅達(dá)60．5％。公司表示，將全面受惠于市場(chǎng)向5G標(biāo)準(zhǔn)遷移帶來(lái)的廣泛商機(jī)，走出調(diào)整，重啟成長(zhǎng)。

華虹半導(dǎo)體作為特色工藝的領(lǐng)先者，華虹半導(dǎo)體的MCU、超級(jí)結(jié)、IGBT、通用MOSFET、電源管理芯片和模擬產(chǎn)品的收入埋深強(qiáng)勁，并將在5G創(chuàng)新中扮演不可或缺的重要角色。同時(shí)中國(guó)區(qū)客戶需求強(qiáng)勁，營(yíng)收占幅達(dá)62．2％。無(wú)錫12英寸晶圓廠本季度開始投入生產(chǎn)，在線驗(yàn)證通過(guò)了若干個(gè)客戶的產(chǎn)品，其中有兩個(gè)產(chǎn)品的良品率已達(dá)到90％。

一、中芯國(guó)際2019年第三季度財(cái)報(bào)分析

財(cái)報(bào)顯示，第三季度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8．16億美元，環(huán)比增長(zhǎng)3．2％；毛利為1．7億美元，環(huán)比增長(zhǎng)12．3％；毛利率為20．8％，而第二季度為19．1％。

從凈利潤(rùn)來(lái)看，本季盈利8500萬(wàn)美元，而上季是虧損2582萬(wàn)美元；而去年同期盈利僅僅760萬(wàn)美元。

從研發(fā)投入來(lái)看，本季的研發(fā)支出為1．85億美元，較上季的1．82億美元增長(zhǎng)1．5％。

從工藝節(jié)點(diǎn)看：28納米為4．3％、40／45納米為18．5％、55／65納米為29．3％、90納米為1．3％、110／130納米為6．6％、150／180納米為35．8％、250／350納米為4．2％。從數(shù)據(jù)可以看出，先進(jìn)工藝營(yíng)收占比小幅下滑，本季40／45納米和28納米占比合計(jì)為22．8％，較上季的23％減少0．2個(gè)百分點(diǎn)，但較去年同期的25．8％減少3個(gè)百分點(diǎn)。

從應(yīng)用領(lǐng)域看，通信領(lǐng)域仍是最大，達(dá)46．1％，較上季減少2．8個(gè)百分點(diǎn)；消費(fèi)電子34．9％，較上季增加3．8個(gè)百分點(diǎn)，汽車／工業(yè)4．8％，較上季減少1．9個(gè)百分點(diǎn)，電腦5．6％、其他8．6％。

從區(qū)域市場(chǎng)看，來(lái)自中國(guó)內(nèi)地和香港的營(yíng)收超過(guò)6成，達(dá)到了60．5％，較上季增加3．6個(gè)百分點(diǎn)；來(lái)自北美洲的營(yíng)收再度下降，由上季的27．5％下降為24．7年，而第一季是32．3％；歐亞地區(qū)占比從上季的15．6％降至14．8％。

從產(chǎn)能方面看，中芯國(guó)際本季月產(chǎn)能超過(guò)133萬(wàn)片約當(dāng)8寸晶圓，較上季減少12萬(wàn)片，主要是公司出售位于意大利阿韋扎諾的8英寸晶圓廠，該廠的季產(chǎn)能為13萬(wàn)片。同時(shí)我們也發(fā)現(xiàn)上海8英寸季減產(chǎn)能10000片；而天津和深圳廠的季產(chǎn)能合計(jì)增長(zhǎng)10000片，北京12英寸廠的產(chǎn)能也在擴(kuò)充。

從晶圓付運(yùn)量來(lái)看，本季為132萬(wàn)片約當(dāng)8英寸晶圓，較上季的128萬(wàn)片增長(zhǎng)了2．4％，較去年同期的132萬(wàn)片持平。

今年公司產(chǎn)能利用率持續(xù)爬升，本季產(chǎn)能利勝率為97％，上季為91．1％，第一季僅為89．2％。

從約當(dāng)8英寸晶圓每片售價(jià)來(lái)看，本季為621美元，較上季的616美元增長(zhǎng)8％。

從資本開支看，2019年第三季為1．9億美元，相比上季的9．08億美元大幅下降，約為上季的20％；前三季資本支出合計(jì)15．4億美元，主要用于上海300mm晶圓廠的機(jī)器及設(shè)備以及用于FinFET研發(fā)線。預(yù)估全年資本支出為21億美元。

二、華虹半導(dǎo)體第三季度財(cái)報(bào)分析

財(cái)報(bào)顯示，第三季度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2．39億美元，環(huán)比增長(zhǎng)3．9％；毛利為7400萬(wàn)美元，環(huán)比增長(zhǎng)3．6％；毛利率為31％，而第二季度為21％。

從凈利潤(rùn)來(lái)看，本期為4442萬(wàn)美元，環(huán)比下降11％；本期凈利率18．6％。

從工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)看，0．35um及以上工藝營(yíng)收仍是公司營(yíng)收主力，占比49．70％，相比上季是56．1％；0．13um及以下工藝營(yíng)收占比33．9％，相比上季是32．10％；0．15um／0．18um工藝營(yíng)收占比15％，相比上季是10．90％；0．25um工藝營(yíng)收占比1．4，相比上季是0．9％。具體來(lái)看，來(lái)自0．35um及以上工藝營(yíng)收1．19億美元，同比減少0．7％，是由于智能卡芯片和通用MOSFET產(chǎn)品減少，但超結(jié)產(chǎn)品有所增長(zhǎng)；來(lái)自0．13um及以下工藝營(yíng)收8090萬(wàn)美元，同比下滑1．9％，智能卡和邏輯產(chǎn)品需求減少；來(lái)自0．15um／0．18um工藝營(yíng)收為3590萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)2％，主要由于模擬產(chǎn)品需求增加；來(lái)自0．25um工藝營(yíng)收為320萬(wàn)美元，同比減少14．3％，主要是由于智能卡需求減少。由此可見，公司超結(jié)產(chǎn)品需求強(qiáng)勁。

從技術(shù)平臺(tái)來(lái)看，分立器件平臺(tái)成為本季最大營(yíng)收來(lái)源，占比39．1％；嵌入式非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)營(yíng)收保持第二，占比36．2％；模擬與電源管理平臺(tái)占比13．5％；邏輯與射頻平臺(tái)占比9．8％；獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)占比1．3％；其他0．1％。具體來(lái)看，得益于超結(jié)和通用MOSFET和IGBT產(chǎn)品的增長(zhǎng)，分立器件平臺(tái)營(yíng)收達(dá)9030萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)10．9％；嵌入式非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)營(yíng)收為8820萬(wàn)美元，同比減少1．5％，分析原因是主要由于智能卡芯片的需求減少，部分被MCU產(chǎn)品的需求增加所抵消；模擬與電源管理平臺(tái)營(yíng)收3650萬(wàn)美元，同比減少3．5％，主要由于LED照明的需求減少，但模擬產(chǎn)品有所增長(zhǎng)；獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器營(yíng)收180萬(wàn)美元，同比大幅減少72．1％，主要由于閃存和EEPROM產(chǎn)品的需求減少。

從應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)看，消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域?yàn)?1．1％，工業(yè)及汽車領(lǐng)域?yàn)?5．2％，通訊領(lǐng)域9．9％，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域?yàn)?．8％。本季消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域依舊是公司第一大營(yíng)收來(lái)源，但由于智能卡需求減少，導(dǎo)致同比減少6．8％；工業(yè)及汽車領(lǐng)域得益于MCU、超級(jí)結(jié)、通用MOSFET及射頻產(chǎn)品的需求增加，營(yíng)收達(dá)6020萬(wàn)美元，同比大幅增長(zhǎng)24．2％；通訊領(lǐng)域營(yíng)收2360萬(wàn)美元，同比減少4％，主要由于邏輯產(chǎn)品的需求減少，部分被智能卡芯片的需求增加所抵消；計(jì)算機(jī)領(lǐng)域營(yíng)收920萬(wàn)美元，同比減少20．5％，主要由于閃存和通用MOSFET產(chǎn)品的需求減少。

從地區(qū)營(yíng)收來(lái)看，中國(guó)的營(yíng)收占比表現(xiàn)強(qiáng)勁，達(dá)到了62．2％；美國(guó)營(yíng)收持續(xù)下降占比14．8％；亞洲地區(qū)（不含中國(guó)、日本）營(yíng)收占比12．4％；歐洲地區(qū)占比占比7．2％；日本占比占比3．4％。具體來(lái)看，來(lái)自中國(guó)營(yíng)收1．49億美元，同比增長(zhǎng)8％，分析原因是主要是由于MCU產(chǎn)品需求增長(zhǎng)；由于通用MOSFET和閃存產(chǎn)品的需求減少，來(lái)自美國(guó)營(yíng)收同比下降12％達(dá)，僅為3530萬(wàn)美元，；來(lái)自日本的營(yíng)收達(dá)810萬(wàn)美元，同比大減43％，主要是由于單一客戶需求減少；由于智能卡需求減少，來(lái)自歐洲的營(yíng)收同比下降7％，為1820萬(wàn)美元；來(lái)自亞洲地區(qū)（不含中國(guó)、日本）的營(yíng)收2960萬(wàn)美元，同比下滑3．3％，主要由于邏輯產(chǎn)品的需求減少，部分被MCU和通用MOSFET產(chǎn)品的需求增加所抵消。

從產(chǎn)能來(lái)看，華虹半導(dǎo)體本期總產(chǎn)能52．5萬(wàn)片，和上季持平。

從產(chǎn)能利用率來(lái)看，持續(xù)爬升，由上季93．2％升到96．5％，而第一季是87．3％。

從晶圓付運(yùn)量來(lái)看，華虹半導(dǎo)體本季晶圓付運(yùn)量為52．4萬(wàn)片，較上季48．9萬(wàn)片增長(zhǎng)7．2％，較去年同期53萬(wàn)下滑1．1％。

從約當(dāng)8英寸晶圓每片售價(jià)來(lái)看，本季為456美元，而上季為470美元。

從資本支出來(lái)看，華虹半導(dǎo)體本期支出達(dá)4．6億美元，較上季翻倍。主要是無(wú)錫基地支出增加，本季無(wú)錫基地支出達(dá)4．3億美元，較上季增長(zhǎng)130％。

作者：趙元闖