今日，華虹半導(dǎo)體官方宣布，其第三代90 納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。
據(jù)介紹，第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，創(chuàng)下了全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀錄。Flash IP更具面積優(yōu)勢，光罩層數(shù)進一步減少。同時，可靠性指標方面，可達到10萬次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能。
華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：華虹半導(dǎo)體未來將繼續(xù)聚焦200mm差異化技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場，同時不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化，將200mm現(xiàn)有的技術(shù)優(yōu)勢向300mm延伸，更好地服務(wù)國內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計公司，滿足市場需求。
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