《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 嵌入式技術(shù) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 今年存儲(chǔ)器市場(chǎng)銷售額恐衰減三成,明年才能恢復(fù)增長(zhǎng)

今年存儲(chǔ)器市場(chǎng)銷售額恐衰減三成,明年才能恢復(fù)增長(zhǎng)

2019-06-05
關(guān)鍵詞: 存儲(chǔ)器 DRAM NAND

  中美ó易戰(zhàn)下,存儲(chǔ)器市場(chǎng)波動(dòng)情形持續(xù)受關(guān)注,研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技近日舉行“Compuforum 2019:資料經(jīng)濟(jì)大δ來(lái)”研討會(huì),資深協(xié)理吳雅婷預(yù)估,今年整體DRAM銷售額將年減29.3%,整體NAND Flash業(yè)績(jī)則將較去年下滑27.3%,不過(guò),兩者均將在明年恢復(fù)正成長(zhǎng)。

  展望存儲(chǔ)器后市,吳雅婷表示,今年無(wú)論DRAM、NAND Flash均供過(guò)于求,導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)走跌,全年業(yè)績(jī)也將負(fù)成長(zhǎng),預(yù)估DRAM銷售額年減29.3%、NAND Flash年減27.3%。

  價(jià)格方面,受服務(wù)器與智能手機(jī)需求下滑,導(dǎo)致消耗量急凍與庫(kù)存攀高,今年DRAM供過(guò)于求情形較去年擴(kuò)大,而NAND因競(jìng)爭(zhēng)激烈,加上從2D NAND轉(zhuǎn)向不同程度的3D NAND,造成供給λ大幅度增長(zhǎng),雖目前跌幅稍微收斂,但去年累積的庫(kù)存量仍高,兩者價(jià)格仍處跌勢(shì)。全年而言,吳雅婷預(yù)估DRAM價(jià)格下滑近5成,NAND近4成。

  不過(guò),隨需求?續(xù)回溫與價(jià)格變化帶出庫(kù)存回補(bǔ)動(dòng)能,集邦預(yù)期存儲(chǔ)器價(jià)格在2020年止跌反彈。

  技術(shù)發(fā)展方面,吳雅婷指出,現(xiàn)有存儲(chǔ)器面臨制程持續(xù)微縮的物理極限,目前英特爾、三星與美光等存儲(chǔ)器大廠均投入開發(fā)下一代解決方案,如MRAM、PRAM和RRAM等。如英特爾的服務(wù)器產(chǎn)品Optane,以3DxPoint為設(shè)計(jì)基礎(chǔ),并具有與市面上服務(wù)器模塊完全兼容的DIMM,對(duì)主板設(shè)計(jì)廠而言,同樣的插槽可依成本考慮,自由更換服務(wù)器存儲(chǔ)器模塊或Optane解決方案。

  不過(guò),下一代存儲(chǔ)器尚δ規(guī)?;c標(biāo)準(zhǔn)化,成本仍較高,吳雅婷認(rèn)為,下一代存儲(chǔ)器與現(xiàn)有解決方案各有優(yōu)缺,下一代能否放量的關(guān)鍵仍是價(jià)格。目前DRAM、NAND非常便宜,下一代較?有發(fā)展空間,預(yù)期2020年DRAM跟NAND價(jià)格恢復(fù),次世代才有機(jī)會(huì)放量。她還強(qiáng)調(diào),不認(rèn)為下一代存儲(chǔ)器會(huì)取代現(xiàn)有解決方案,而是在部分終端產(chǎn)品市場(chǎng)與DRAM和NAND共存。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。