《電子技術(shù)應(yīng)用》
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三星宣布推出1Z納米工藝DRAM

2019-03-25
關(guān)鍵詞: 三星 DRAM 納米工藝

  在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)工藝陸續(xù)進(jìn)入1X及1Y工藝領(lǐng)域之后,全球 DRAM 龍頭韓國(guó)三星21日宣布,首次業(yè)界開(kāi)發(fā)第3代10 納米等級(jí)(1Z 納米工藝)8GB 高性能 DRAM。這也是三星發(fā)展 1Y 納米工藝 DRAM 之后,經(jīng)歷 16 個(gè)月,再開(kāi)發(fā)出更先進(jìn)工藝的 DRAM 產(chǎn)品。

  據(jù)了解,新一代 1Z 納米工藝 DRAM,三星在不使用極紫外線光刻機(jī)(EUV)的情況下打造,這顯示三星進(jìn)一步提高了 DRAM 的生產(chǎn)極限,并拉高競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的生產(chǎn)門(mén)坎。隨著 1Z 納米工藝產(chǎn)品問(wèn)世,并成為業(yè)界最小的內(nèi)存生產(chǎn)節(jié)點(diǎn),目前三星已準(zhǔn)備好用新的 1Z 納米工藝 DDR4 DRAM 滿(mǎn)足日益成長(zhǎng)的市場(chǎng)需求,生產(chǎn)效率比以前 1Y 納米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

  三星表示,1Z 納米工藝 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生產(chǎn)時(shí)間將落在 2019 下半年,以因應(yīng)下一代企業(yè)服務(wù)器需求,并有望能在 2020 年支持新高階個(gè)人計(jì)算機(jī)。除了提供市場(chǎng)需求,三星還指出,跨入 1Z 納米工藝的 DRAM 生產(chǎn),將為全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 接口,包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等預(yù)做準(zhǔn)備。這些具更高容量和性能的 1Z 納米工藝產(chǎn)品將增強(qiáng)三星在市場(chǎng)的業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力,鞏固其高階 DRAM 市場(chǎng)應(yīng)用的領(lǐng)導(dǎo)地位,包括服務(wù)器、圖形和行動(dòng)裝置等領(lǐng)域。

  另市場(chǎng)消息指出,與一家CPU制造商就8GB DDR4模塊全面驗(yàn)證后,三星將積極與全球客戶(hù)合作,提供一系列即將面世的內(nèi)存解決方案。為了滿(mǎn)足目前的行業(yè)需求,三星計(jì)劃增加主要內(nèi)存生產(chǎn)比重。


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