由中國(guó)科學(xué)院光電技術(shù)研究所研制的國(guó)家重大科研裝備研制項(xiàng)目“超分辨光刻裝備研制”11月30日通過(guò)驗(yàn)收。

　　該裝備光刻分辨力達(dá)到22納米，結(jié)合雙重曝光技術(shù)后，未來(lái)還可用于制造10納米級(jí)別的芯片。

　　中科院光電所科研人員展示利用超分辨光刻設(shè)備加工的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器。

　　采用超分辨光刻設(shè)備加工的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器。

　　超分辨光刻設(shè)備加工的4英寸光刻樣品。

　　當(dāng)天，中科院理化技術(shù)研究所許祖彥院士等驗(yàn)收組專家一致表示，

　　該光刻機(jī)在365納米光源波長(zhǎng)下，單次曝光最高線寬分辨力達(dá)到22納米。

　　項(xiàng)目在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發(fā)新路線，繞過(guò)國(guó)外相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)壁壘。

　　中科院光電所科研人員操作超分辨光刻設(shè)備。

　　光刻機(jī)是制造芯片的核心裝備，我國(guó)在這一領(lǐng)域長(zhǎng)期落后。

　　它采用類似照片沖印的技術(shù)，把母版上的精細(xì)圖形通過(guò)曝光轉(zhuǎn)移至硅片上，一般來(lái)說(shuō)，光刻分辨力越高，加工的芯片集成度也就越高。但傳統(tǒng)光刻技術(shù)由于受到光學(xué)衍射效應(yīng)的影響，分辨力進(jìn)一步提高受到很大限制。

　　為獲得更高分辨力，傳統(tǒng)上采用縮短光波、增加成像系統(tǒng)數(shù)值孔徑等技術(shù)路徑來(lái)改進(jìn)光刻機(jī)，但技術(shù)難度極高，裝備成本也極高。

　　超分辨光刻裝備核心部件納米定位干涉儀以及精密間隙測(cè)量系統(tǒng)。

　　超分辨光刻設(shè)備核心部件超分辨光刻鏡頭。

　　該項(xiàng)目副總設(shè)計(jì)師胡松介紹，中科院光電所此次通過(guò)驗(yàn)收的表面等離子體超分辨光刻裝備，打破了傳統(tǒng)路線格局，形成一條全新的納米光學(xué)光刻技術(shù)路線，具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，為超材料/超表面、第三代光學(xué)器件、廣義芯片等變革性領(lǐng)域的跨越式發(fā)展提供了制造工具。

　　項(xiàng)目副總設(shè)計(jì)師胡松研究員介紹超分辨光刻裝備研制項(xiàng)目攻關(guān)情況。

　　據(jù)了解，這種超分辨光刻裝備制造的相關(guān)器件已在中國(guó)航天科技集團(tuán)公司第八研究院、電子科技大學(xué)、四川大學(xué)華西醫(yī)院、中科院微系統(tǒng)所等多家科研院所和高校的重大研究任務(wù)中得到應(yīng)用。