存儲(chǔ)器毫無(wú)疑問(wèn)是現(xiàn)在集成電路市場(chǎng)上的明星。

拋開(kāi)過(guò)去一年飛漲的價(jià)格不提，未來(lái)幾年巨大的銷量預(yù)期也讓它成為各大廠商眼中的香餑餑，這也是吸引國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華等企業(yè)大舉進(jìn)軍存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的原因之一。但是隨著產(chǎn)品和應(yīng)用的發(fā)展，傳統(tǒng)的電荷型存儲(chǔ)器性能已經(jīng)無(wú)法滿足需求：

一方面在于Flash與DRAM速度差距大，導(dǎo)致“存儲(chǔ)墻”和“功耗墻”等問(wèn)題的產(chǎn)生；另一方面信息存儲(chǔ)與計(jì)算分離，成為大數(shù)據(jù)處理實(shí)時(shí)性的瓶頸。于是業(yè)界開(kāi)始探索新型存儲(chǔ)器，阻變存儲(chǔ)器（RRAM）就成為廠商們的一個(gè)選擇。由于擁有速度快、可靠性高、非揮發(fā)、多值存儲(chǔ)和高密度的特性，這種存儲(chǔ)能給滿足現(xiàn)在新興的人工智能等新興應(yīng)用領(lǐng)域的需求。

雖然優(yōu)點(diǎn)不少，但我們同時(shí)也應(yīng)該看到，RRAM面臨著機(jī)理不清、漲落大、可靠性不足、工藝集成問(wèn)題和模擬阻變特性優(yōu)化等問(wèn)題。在RRAM可靠性與表征的研究中，也同時(shí)還存在諸多挑戰(zhàn)：如在RRAM器件，需要考慮瞬態(tài)測(cè)量、循環(huán)次數(shù)測(cè)試、微觀原位表征；而在RRAM陣列，則有自動(dòng)測(cè)試方法和讀取速度的困擾。