2017年被動元器件如MLCC、功率器件MOSFET、存儲芯片NANDFlash、DRAM等缺貨最為突出。針對缺貨較為嚴重的這幾類產(chǎn)品，記者采訪了代表性的原廠和分銷商，一起來聽聽他們對2018年的市場預判。

1、MLCC：原廠重心轉(zhuǎn)至汽車與工業(yè) 中低容MLCC將缺貨至Q4

從供應端來看，日韓系廠商將業(yè)務重心轉(zhuǎn)向工業(yè)、新能源汽車及醫(yī)療等高端市場，逐漸淡出0．1uf－1uf的低容市場，是2017年MLCC缺貨的一大原因，加上三星MLCC廠房搬遷的影響，令MLCC市場供應“雪上加霜”。

深圳市宇陽科技發(fā)展有限公司營銷中心副總經(jīng)理鄭春暉

深圳市宇陽科技發(fā)展有限公司營銷中心副總經(jīng)理鄭春暉表示，日韓系大廠放棄了1uf以下中低容MLCC市場往車載、工業(yè)等領域轉(zhuǎn)移，是導致當前中大尺寸低容MLCC缺貨的主要原因。目前，TDK已經(jīng)完全放棄了消費類市場專攻汽車和工業(yè)，三星、京瓷和太誘前兩年都已經(jīng)在轉(zhuǎn)移重心了，村田也在逐步放棄1210、1206等中大尺寸低容市場。事實上，2017年，低容市場的缺貨也讓這些巨頭措手不及，當然，它們也不可能再回頭針對這些已經(jīng)放棄的市場重新開出產(chǎn)能。因此，日韓系的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)移給了臺系和陸系廠商機會。

京瓷（中國）商貿(mào)有限公司副總經(jīng)理東山清彥坦言，目前，京瓷MLCC產(chǎn)品線不是特別豐富，主要是針對高端市場的小型化和高容的產(chǎn)品。

從應用端對MLCC的性能要求來看，汽車、工業(yè)、醫(yī)療等應用比消費類應用要求高很多，就拿溫度來說，MLCC在消費類電子應用的溫度只需達到85度，而汽車類應用要求達到125度、150度甚至200度，同時，汽車對MLCC的可靠性與測試環(huán)境要求也更嚴格。日韓系大廠在MLCC材料、設備和技術(shù)積累上也更有優(yōu)勢，專攻高端市場亦是情理之中。

從需求端來看，鄭春輝表示，MLCC缺貨和漲價得益于智能手機對MLCC單機搭載量的提升、無線充電需求的暴漲、物聯(lián)網(wǎng)中Wi－Fi等無線傳輸模塊需求量的增長以及網(wǎng)通產(chǎn)品的爆發(fā)帶來的利好，同時純電動汽車對MLCC需求量的驚人增長也是MLCC供應緊張的原因。

據(jù)風華高科相關(guān)人士透露，截至2017年底MLCC的缺口達到1000－2000億只，在尺寸上0402、0603、0805、1206等中大型號供應更為緊缺，主要得益于移動通信、汽車與LED市場的拉動，而智能手機無線充電用的NPO MLCC料號，漲幅更是在10倍以上，不過這顆NPO料號即便價高也無貨供應。

記者獲悉，截至2017年底，部分MLCC廠商已經(jīng)停止接單，而仍在繼續(xù)接單的廠商，交貨周期也是一再延長。大陸廠商的交貨周期由之前的4－6周變?yōu)楝F(xiàn)在的8－12周，臺系廠商交期延長至12－16周，日系廠商的交期甚至延長到24周。

2017年MLCC缺貨與漲價持續(xù)了整年，隨著2018年到來，三星電機、村田以及宇陽等上游原廠依舊看好這波行情，并稱MLCC緊俏的行情可望延續(xù)到2018年年底。

村田（中國）投資有限公司總裁丸山英毅從兩方面解讀了市場對MLCC需求的增長。一方面，智能手機市場雖然已趨于飽和，但輕薄化和新功能的加入不僅對MLCC有更多的需求，還對MLCC的品質(zhì)提出了更高的要求；另一方面，PC、游戲機、物聯(lián)網(wǎng)等領域?qū)LCC也有較大的需求。同時，在蘋果iPhone增加無線充電功能之后，市場對NPO MLCC的需求也快速上升，這也使缺貨和漲價情況更加嚴峻?？梢灶A見的是，2018年MLCC將會持續(xù)缺貨，并且缺口將比2017年更為嚴重。

臺灣MLCC巨頭國巨曾表示，2018年MLCC供需狀況持續(xù)緊缺，受新型智能手機拉貨動能強勁，高毛利車用電子及工業(yè)級MLCC產(chǎn)品出貨比重提升。鑒于此，國巨將提高利基型MLCC產(chǎn)品比重（大約在10％－15％之間），行情可延續(xù)到2018年底。預計2018年國巨業(yè)績可望較2017年成長15％－20％，或創(chuàng)歷史新高。

事實上，國巨在2017年已經(jīng)4度調(diào)漲部分品項MLCC產(chǎn)品價格，其緊缺的MLCC產(chǎn)品包括高容、低容和高壓的MLCC品類。在2017年第四季度，國巨發(fā)布漲價通知，針對通信、工業(yè)用NPO MLCC調(diào)漲報價20－30％，該應用將以手機、手機充電器、電源供應器等產(chǎn)品為主，約有15％的MLCC規(guī)格受惠。

“解決缺貨問題最有效的措施當然是提升產(chǎn)能”，丸山英毅表示村田在看到MLCC缺貨的情況之后已經(jīng)動用了所有可以使用的資源去滿足市場需求，包括提供庫存以及提升產(chǎn)能。提升產(chǎn)能方面村田有長期的計劃，例如在2017財年有2600億日元的設備投入來提高產(chǎn)能，未來還將持續(xù)投入，但產(chǎn)能的提升并非立竿見影，工廠的建設和投產(chǎn)都需要時間?！坝捎贛LCC的需求仍在保持兩位數(shù)增長，我們的產(chǎn)能2018年年底才能有明顯提升”。

某原廠預計，MLCC缺貨緩解時間是2018年底，在擴充產(chǎn)能方面，原廠都比較謹慎，因為在設備采購、人工成本上都不小的投入，設備購買運輸也需要時間，且明年的市場需求現(xiàn)在不能完全看清。以前MLCC的生產(chǎn)周期是21天，從下訂單到出貨在一個月左右，而現(xiàn)在是六個月，部分廠商已經(jīng)停止接單。相對而言，中小型客戶將缺貨更嚴重，大型客戶因跟原廠有供貨協(xié)議，因此不會遭受太高的漲價幅度。

鄭春暉也表示，2018年Q4并不是所有的型號都可以得到緩解，預計2018年智能手機對MLCC仍將維持2017年的需求量，但電動汽車、物聯(lián)網(wǎng)對MLCC的需求將在2017年的基礎上仍會有大幅增長。在擴產(chǎn)計劃上，鄭春暉預計原廠對小尺寸封裝的MLCC的擴產(chǎn)會多于中大尺寸的擴充，用于無線充電的NPO料號目前缺口最大，但會在各家的相繼投產(chǎn)中逐步緩解緊缺危機。

2、NAND Flash：3D制程轉(zhuǎn)進結(jié)束 2018價格下探 2019恐供過于求

硅晶圓供不應求和晶圓代工廠新制程轉(zhuǎn)進，是2017年存儲芯片缺貨與漲價的直接原因。上半年，三星、美光等DRAM制造正式進入1x／1y納米時代，3D NAND也開始全面進行投片，導致8寸和12寸硅圓供給日益吃緊，加上大陸半導體晶圓廠亦開始大幅度搶貨，缺貨程度愈發(fā)緊張。

NAND Flash缺貨的又一原因在于，服務器、PC和智能手機所搭載的存儲容量需求的翻倍。以智能手機用NANDFlash為例，2017年，排名前8的手機廠商都采用了中大容量閃存，中端機型一般是32G起步，高端機型在蘋果iPhone的引領下多采用64G和128G。單機搭載容量的翻倍增長，必然以增加3D NAND堆疊層數(shù)為代價，進而導致NAND Flash對硅晶圓的需求數(shù)倍增長。相對國內(nèi)主流的品牌機型，出口海外的手機容量仍以8G和16G為主，而這部分產(chǎn)品仍集中在2D制程，除此2D制程仍會滿足車載、POS機等行業(yè)客戶的需求。

從2017年工藝制程的轉(zhuǎn)進來看，2017年上半年仍以2D為主，下半年已全面轉(zhuǎn)向了3D。3D比2D有成本優(yōu)勢，且隨著良率的提升這種優(yōu)勢會被無限放大，以32G NAND Flash為例，3D工藝要比2D節(jié)省18－20美金，這必然加速原廠將制程從2D向3D轉(zhuǎn)進。

深圳市江波龍電子有限公司產(chǎn)品中心嵌入式產(chǎn)品經(jīng)理李中政告訴記者，目前32G、64G和128G都已全面采用64層3D NAND Flash工藝，且32G已經(jīng)成為市場應用主流，預計2018年3月，三星第四代3D NAND Flash以及東芝第三代3D NAND Flash開始批量量產(chǎn)，屆時NAND Flash產(chǎn)能就會趨向穩(wěn)定。預計2018年5－6月份，隨著產(chǎn)能的穩(wěn)定，3D NANDFlash價格會有所下降。

從3D NAND Flash的主流應用來看，2018年3D會率先普及SSD固態(tài)硬盤和T卡，并以48層和64層為主，待SSD固態(tài)硬盤和T卡等穩(wěn)定性提高之后，才會普及到智能手機等嵌入式產(chǎn)品。

“隨著供應商3D NAND Flash良率逐步改善，預計2018年Q1整體供需將出現(xiàn)轉(zhuǎn)變?！盋inno產(chǎn)業(yè)咨詢部副總經(jīng)理楊文得預計，2018年，2D NAND Flash會全面轉(zhuǎn)向3D NAND Flash，預計3D與2D的產(chǎn)出比例為8：2。2018年NAND的主要成長仍將依賴服務器、云儲存以及車載的快速增長。國內(nèi)阿里、百度、騰訊與國外谷歌、亞馬遜等巨頭對大數(shù)據(jù)和服務器存儲的需求上揚，將促使SSD在云服務器的應用得到持續(xù)增長。

李中政也表示，隨著存儲巨頭將8成的產(chǎn)能都轉(zhuǎn)向3D NAND Flash，預計2018年Q2左右3D NAND Flash價格會逐漸下探至理性水位。不過由于存儲巨頭逐漸減弱2D產(chǎn)能，仍適用于汽車的高可靠性2D NAND Flash依然會供應吃緊，價格自然也不會有明顯下調(diào)。

目前，三星的3D NAND的產(chǎn)能已經(jīng)占到自家總產(chǎn)能的70％甚至更高，其他諸如美光、東芝、海力士的3D NAND Flash占比僅20％，但3D制程已成是主流趨勢，2018年下半年會逐漸起量。

從未來各大巨頭的擴產(chǎn)趨勢來看，除東芝剛宣布新建的Fab 7以及已興建中的Fab 6以外，為應對旺盛的服務器SSD需求，英特爾也將擴建大連廠二期，目標在2018年底增加一倍的3D NAND Flash產(chǎn)能。同時，三星將擴建西安廠二期，持續(xù)放大在中國生產(chǎn)3D NAND Flash的能量。SK海力士則將在韓國清州廠區(qū)另外興建一座新廠M15，同樣以投產(chǎn)96層以上3D NANDFlash為目標，預計2019年正式進入營運。

楊文得也預計2018年3D NAND的產(chǎn)出會不斷加載，良率也會提升很多。隨著3D產(chǎn)能的不斷釋放，預計2018年一整年3D NAND的價格將比2017年下跌15－20％。而在中國大陸，長江存儲將于2018年下半年投產(chǎn)32層3D NAND Flash產(chǎn)品，并致力于64層產(chǎn)品的開發(fā)，以拉近與其他供應商之間的差距。不過，相對國際存儲巨頭，長江存儲的32層3D NAND Flash最早也要到2019年Q2或Q3才會有真正的產(chǎn)能開出。

DRAMeXchange特別分析指出，基于各大供應商都在擴充3D NAND Flash產(chǎn)能，預計2019年以后3D NAND Flash市場恐將再度陷入供過于求的格局，至于2D NAND Flash因供應商陸續(xù)轉(zhuǎn)產(chǎn)，僅維持較低比重以滿足工規(guī)需求，因此2D市場將逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)槔袌觥?/p>

3、DRAM：“寡頭”優(yōu)勢延續(xù) 產(chǎn)能限量開出 價格持續(xù)暢旺

從全球DRAM市場競爭格局來看，三星、SK海力士和美光共囊括全球了95％以上的市場份額，在供應端擁有絕對的話語權(quán)。業(yè)界均預測，從三大巨頭欲持續(xù)盈利的角度考慮，2018年DRAM產(chǎn)能輸出恐仍將吃緊，漲價仍在所難免。

據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威機構(gòu)提供的數(shù)據(jù)來看，DRAM的平均售價已由2016年4月的2．41美元攀升到2017年2月的3．7美元，漲幅高達53．3％。從產(chǎn)品毛利率來看，供應智能手機DRAM的毛利率已高達50％－60％，依靠這些價格高漲的DRAM產(chǎn)品，三星2017年前三季度的利潤高達338．1億美元，同比增長92．3％。

Cinno產(chǎn)業(yè)咨詢部副總經(jīng)理楊文得預計，2018年三星、SK海力士和美光依然會以獲利為主要考量，因此不會明顯開出更多DRAM產(chǎn)能，可見2018年DRAM仍將維持一定幅度的漲勢，漲幅約為10－15％。從應用端來看，服務器需求將受益于AI、VR／AR以及車載對運算力的升級而持續(xù)增加，因此他持續(xù)看好DRAM在2018年的漲勢。

三星、SK海力士和美光幾乎占據(jù)了全球98％的DRAM市場份額。集邦科技行動式記憶體研究經(jīng)理黃郁琁表示，2018年三家DRAM大廠的產(chǎn)出仍將十分有限，她預計服務器使用的高效能DRAM與智能手機使用的低功耗、高密度DRAM缺貨情況仍會相當明顯。她預計2018年上半年DRAM價格都會是上揚態(tài)勢，直到三星平澤廠有些許DRAM量產(chǎn)后，全球DRAM供應才會有所改善。

黃郁琁預計，2018年的移動式DRAM會從LPDDR3轉(zhuǎn)換到LPDDR4，一是因為高通、華為的高端手機芯片平臺要求搭載性能更強的LPDDR4芯片，促使終端手機廠商不得不升級DRAM的搭載標準；二是三星、SK海力士和美光三巨頭的產(chǎn)品規(guī)劃本身也是朝著LPDDR4演進。不過她也表示，由于三大巨頭的價格都非常強勢，阻擋了DRAM容量提升的幅度，所以2018年LPDDR3仍會在市場徘徊一段時間才會進入LPDDR4，而更先進的LPDDR4X和LPDDR5系列預計要到2019年才會真正普及。

事實上，2016年前DRAM漲價幅度已經(jīng)達到了30％，2017年搭載8GB DDR4 DRAM的旗艦機寥寥可數(shù)，只因終端廠商難以承受高漲的價格而保守選用了低容量的LPDDR3。2018年DRAM價格仍會持續(xù)上漲，所以LPDDR3仍會在市場有一定時間的停留。黃郁琁預計2018年DRAM市場需求量仍會有14％的成長，2018年原廠營收至少還要增長27％。

雖然往年Q4和Q1是DRAM市場的淡季，但由于DRAM的供貨將持續(xù)緊張，黃郁琁建議目前相關(guān)廠商可以備一兩周的庫存了，待到2018年三星平澤廠DRAM產(chǎn)能釋放出來，原廠供貨才會舒緩一點。從服務器、PC和手機三大DRAM需求大戶來看，預估2018年Q1智能手機搭載的DRAM價格會向PC靠攏，但不會像服務器需求的DRAM價格那么高，而這樣的狀況會延續(xù)2018整個上半年。

4、MOSFET：無線充電需求爆發(fā) MOSFET供應告急Q4初步緩解

據(jù)記者了解，下游應用需求諸如新能源汽車、藍牙音箱、智能家居、快速充電、無線充電等市場增速的加快，是導致金屬半場效晶體管（MOSFET）缺貨的直接拉動力，特別是在iPhone X搭載無線充電技術(shù)的帶動下，無線充電市場對電源IC、MOSFET等的需求與日俱增。

隨著2017年Q3元器件需求旺季的到來，MOSFET的供不應求開始加劇，產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)均開始漲價。不僅是英飛凌、安森美等國際大廠發(fā)出漲價通知，大陸最大的MOSFET廠商長電科技2017年連續(xù)3次漲價，累積調(diào)漲幅度10－30％。在長電大漲MOSFET價格后，其它供貨商如大中、尼克松、富鼎等臺系MOSFET廠商立刻全面跟進漲價。

深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示，MOSFET主要有三個方面的缺貨原因：一是硅材料的漲價導致晶圓片價位高企，相應的中芯國際、華虹－宏力等晶圓廠也跟著漲價；二是封測環(huán)節(jié)所需的包材、樹脂粉等材料價位不斷高企，封測廠跟著水漲船高；三是指紋識別芯片與第三代身份證IC需求量呈爆發(fā)式增長，且這塊的利潤比MOSFET更為可觀，晶圓廠和封測廠將更多的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到指紋識別與第三代身份證芯片，直接導致了MOSFET供應緊缺，漲價成了必然。

記者獲悉，低壓相比中高壓MOSFET更缺，國際IDM廠陸續(xù)淡出計算機及消費性電子的中低壓MOSFET市場，產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至汽車電子中高壓MOSFET市場，或是轉(zhuǎn)向量產(chǎn)絕緣閘雙極晶體管（IGBT）或超接面（Super Junction）組件，是中低壓更缺貨的原因。

從交期上來看，根據(jù)富昌電子2017年Q4的市場分析報告指出，針對低壓MOSFET產(chǎn)品，英飛凌、Diodes、飛兆／安森美、安世、ST、Vishay的交期均延長至16－30周；針對高壓MOSFET產(chǎn)品，除IXYS和MS交期穩(wěn)定之外，英飛凌、飛兆／安森美、ST、羅姆、Vishay交期也均有延長。

華科半導體負責人李婷在接下來的應對策略上，華科半導體負責人李婷表示，一是盡量將訂單計劃提前，二是尋找新的產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴以補充貨源。國內(nèi)MOSFET晶圓供應商不多，高壓主要有士蘭微、華微、華晶等，低壓主要有華虹、深圳本土的深愛等幾家。目前高壓MOSFET晶圓集中在6寸片，8寸片還沒真正成熟，不過士蘭微已經(jīng)啟動8寸片的產(chǎn)線，預計兩年內(nèi)可實現(xiàn)產(chǎn)能的成熟。

MOSFET漲價何時能得到緩解？陳金松表示可能要到2018年Q4，待國內(nèi)12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價仍會持續(xù)，只是漲價幅度不會像2017年這么大了。

與此同時，MOSFET國產(chǎn)化替代的趨勢整在加強。以前，電源用的MOSFET多采用國外品牌，如美國A／O、臺灣茂達、富鼎之類的廠商，而近些年電源廠商逐漸朝著國產(chǎn)MOSFET靠攏，而這個趨勢越來越明顯。陳金松告訴記者，A／O訂貨周期以前在4－6周，目前需要12周以上。相比之下，本土MOSFET品質(zhì)在逐年提升，本土化的技術(shù)支持、交貨周期也更靈活，終端廠商逐漸開始青睞國產(chǎn)MOSFET。

國際巨頭在逐漸退出消費了市場之后，逐漸將重心轉(zhuǎn)向利潤空間更高的工業(yè)和醫(yī)療領域，給了國產(chǎn)MOSFET很大的市場機遇。相對而言，國際巨頭在MOSFET產(chǎn)品的性能參數(shù)、可靠性、使用壽命等方面還是有一定的優(yōu)勢。不過，國內(nèi)廠商在成本控制、本土化服務、交貨后期等方面優(yōu)要于國際巨頭，因此在中低壓消費類市場迅速占領了主導地位，國產(chǎn)化替代也在不斷加速。

5、其他

除了上述4大類缺貨最為嚴重的半導體元器件，2018年初行業(yè)爆出諸如電阻、電感等被動元器件、電源管理芯片、LED驅(qū)動芯片也出現(xiàn)了不同程度的缺貨。

記者獲悉，2018年元旦前后，國內(nèi)外原廠就發(fā)布了新的漲價通知，主要集中在MOSFET、電源管理IC、LED驅(qū)動IC等產(chǎn)品，部分產(chǎn)品漲幅達到了15％－20％。2018年年初的這一波IC和元器件的漲幅，正式掀開了2018年半導體持續(xù)供應緊缺的序幕。