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中微半導體過會!曾被美國多次打擊依然屹立不倒

2019-06-26

近日,中微半導體設備(上海)股份有限公司成功過會,獲得發(fā)行上市資格。中微公司成立于2004年,聚焦集成電路領域的等離子體刻蝕設備、深硅刻蝕設備和LED芯片領域用薄膜沉積(MOCVD)設備等關鍵設備的研發(fā)、生產和銷售,是我國集成電路設備行業(yè)的領先企業(yè)。

成長之路的艱辛與曲折

中微能有今天的成就,離不開尹志堯十多年的探索和付出。本科畢業(yè)于中科大的尹志堯,在拿下北京大學化學系碩士學位之后赴美留學,在加利福尼亞大學洛杉磯分校拿到了物理化學博士學位后,尹志堯進入了美國硅谷工作,先后在因特爾公司、泛林半導體公司、應用材料公司等工作了16余年。

2004年,尹志堯回國創(chuàng)業(yè),創(chuàng)辦中微半導體。隨后,尹志堯此前就職過的應用材料公司認為其有竊密之嫌,就將中微半導體告上了美國法庭,但應用材料公司沒有找到相應的證據(jù),這場官司最終得到和解。

2009年,泛林半導體又狀告中微半導體專利侵權,糾纏了四年之久,事件出現(xiàn)了大反轉,中微半導體拿出了泛林半導體竊取機密的證據(jù),反告泛林半導體,并取得了勝利。

經歷兩次失敗之后,美國并沒有就此罷手,又企圖從供應鏈上來遏制中微半導體的發(fā)展。2017年,美國一家LED設備廠商Veeco狀告中微半導體的MOVCD石墨托盤供應商侵犯了其專利,要求其停止對中微半導體供貨,在這一次的博弈當中,也以Veeco妥協(xié)而告終。

面對美國三番兩次的打擊,中微公司并沒有因此而停滯發(fā)展的腳步,相反,中微公司在刻蝕設備和薄膜沉積設備領域取得突破性進展,并且一發(fā)不可收拾。

打破國外壟斷,躋身世界半導體廠商前列

刻蝕設備和薄膜沉積設備是晶圓制造十分重要的設備,此前一直被西方發(fā)達國家所壟斷,有一段時間還被作為出口管制產品。中微公司打破了這種受制于人的情況,研制出國內第一臺電介質刻蝕機,是我國集成電路設備行業(yè)的領先企業(yè)。

中微公司十多年來一直深耕芯片制造刻蝕領域,其生產的刻蝕設備和MOCVD(有機金屬化學氣相沉積法)設備代表我國刻蝕和薄膜沉積設備最高技術水平:

2007年推出雙反應臺Primo D-RIE,適用于65-16納米工藝節(jié)點;

2010年成功開發(fā)電感等離子體深硅刻蝕設備Primo TSV,采用雙腔設計,支持12英寸和8英寸無縫切換;

2011年推出雙反應臺Primo AD-RIE,適用于45-7納米工藝節(jié)點;

2013年推出單反應臺Primo SSC AD-RIE,適用于45-7納米工藝節(jié)點;并滿足16 納米以下 2D 閃存芯片制造;

2016年首臺ICP刻蝕設備產品Primo nanova研制成功;

2017年推出Primo AD-RIE-e,適用于7納米工藝節(jié)點。

去年12月,中微公司自主研制的5納米等離子體刻蝕機正式通過臺積電驗證,將用于全球首條5納米制程生產線,預計將在2020年實現(xiàn)量產。

如今,中微與泛林、應用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)一起,成為全球最先進芯片生產線供應刻蝕機企業(yè)。

薄膜沉積設備(MOCVD)是一種高端薄膜沉積設備,主要用于藍綠光LED和功率器件等生產加工,是LED器件加工中最關鍵的設備。

中微公司于2010 年開始開發(fā)MOCVD設備,2012年首臺MOCVD設備Prismo D-Blue研制成功、2017年推出第二代設備Prismo A7,目前正在開發(fā)第三代更大尺寸設備。

此前,國內市場一直被美國維科(Veeco)和德國愛思強(Aixtron)兩家供應商長期壟斷,花了短短9年的時間,中微從幾乎為零的國內市場占有率到實現(xiàn)超過70%的市場占有率,一舉打破長期以來受制于人的局面。

不斷突破自我,實力更加強大

縱觀中微的發(fā)展歷程,可以說是充滿了曲折與艱辛,但是這些磨難沒有阻止中微飛速前進的步伐,反而激勵中微不斷進行突破,變得更加強大。

到目前,中微憑借自身的實力,擁有一大批客戶,刻蝕設備的主要客戶有臺積電、中芯國際、聯(lián)電、SK海力士、長江存儲、意法半導體等,薄膜沉積設備主要客戶包括三安光電、璨揚光電、華燦光電、乾照光電。

目前,全球集成電路產業(yè)正在向中國轉移,中國也越來越重視集成電路的發(fā)展,將其視作國家戰(zhàn)略并出臺了一系列的優(yōu)惠政策,如今科創(chuàng)板過會,中微公司將獲得等多資金來投入研發(fā),在此大好機遇下,中微有望成為一個國際一流的半導體裝備制造企業(yè)。


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