DRAM內存商用已歷經50年，NAND Flash閃存面世也已經有30年，從最初的群雄并舉演化到當前的寡頭格局，地域上也可分出韓國、美日、和中國臺灣這3個梯隊；以長江存儲、長鑫、晉華和紫光DRAM項目為主的中國新晉力量受到廣泛關注。
中國存儲器產業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術和發(fā)展思路等方面提出幾點思考：
DRAM
數據來源：IHS
PC：DDR4；利基：DDR3
DDR3和DDR4內核并無本質差別，邏輯部分同為8位預加載，晶圓制成大同小異。定位PC和服務器市場，DDR4是不二選擇。車載等利基市場產品應用滯后主流技術1代，定位利基市場需要在市場準入和可靠性方面打開局面并建立多產品小批次的運營模式，DDR3不失為一種選擇，但是必須考慮到市場容量問題。
目前市場上已經出現(xiàn)紫光國芯品牌的DDR3內存條，也許可以理解為是一種前奏。紫光國芯的前身為2003年建立的英飛凌西安DRAM設計部門，2009年被浪潮收購開始獨立運作。紫光國芯具有一流的設計能力，從事利基型DRAM和設計服務，晶圓主要由臺灣的合作伙伴供應。這種類似金士頓的模式需要強大的渠道控制力和品牌號召力，且成本較高；但是由此可以實現(xiàn)零的突破，建立品牌和分銷模式，為今后的大發(fā)展奠定一個基礎。
移動：LPDDR4
移動DRAM在受手機市場的推動量價齊升。根據IDG公布的數字，2017年全球智能手機年產量14.62億臺，中國品牌約占一半的全球份額。一些專供亞非拉市場的公司由于上市而忽然受到關注，例如傳音手機，據說2017年出了3500萬臺智能機和8500萬臺功能機！總體智能手機出貨量趨于飽和，但是平均售價和平均存儲器消耗在上升，對于DRAM和NAND Flash仍然是主要的推動力量。無論對于DRAM還是NAND Flash制造商，得移動者得天下，LPDDR4優(yōu)先。新晉業(yè)者在產能、性能和IP積累等方面居劣勢，不妨放低姿態(tài)，利用中國的市場優(yōu)勢，先農村后城市。
根據官方發(fā)布的信息，上市公司兆易創(chuàng)新和政府投資的合肥長鑫這一組合將在2018年底展示其產品，前者管設計，后者管制造，合力沖擊19nm DRAM制程。兆易的創(chuàng)始人朱一明在中國IC界有著廣泛的聲譽，創(chuàng)業(yè)初期幾次試錯后產品被瑞星微接受，SPI NOR打開市場，MCU也大獲成功，2016年公司上市斬獲17個連續(xù)漲停。值得關注的是兆易已經進入eMCP和eMMC市場，并自主生產38nm的2D NAND。合肥長鑫的主導者王寧國擁有加州伯克利博士學位，早年在全球最大的設備公司應用材料擔任高管，曾經先后擔任華虹和中芯國際這兩家中國最大的Foundry的CEO。長鑫的第一款產品尚未公布，我們拭目以待。
福建晉華則是福建省與臺灣聯(lián)華兩岸合作的模式，規(guī)劃6萬片產能。臺灣DRAM產業(yè)曾經試圖挑戰(zhàn)三星的地位，然而研發(fā)不足制約了自身的發(fā)展，南亞、華亞科、力晶、華邦等劫后余生的企業(yè)基本依賴技術授權和代工業(yè)務。希望晉華在發(fā)展路徑上可以堅持自主研發(fā)，哪怕走的慢一點。
比特幣挖礦機對臺積電10nm產能購買力令人側目。與比特幣的哈希算法碰撞猜謎不同，以太坊采用的ETHASH算法比拼DRAM頻寬，據說一臺礦機會配備72GByte DRAM。礦機所搭配的DRAM是否必須是符合JEDEC的標準產品？對新晉的業(yè)者會不會是機遇？
NAND Flash
數據來源：美光
NAND Flash三步走：存儲卡-移動終端-SSD
閃存的增長來自于移動終端、消費級SSD（筆記本電腦）和企業(yè)級SSD。其他如存儲卡等也保持著一定的份額。長江存儲已經演示了32層3D閃存，紫光集團早期收購的展銳擁有移動處理器、基帶和射頻，2016年入主新華三提供云服務，之后頻頻收購下游芯片封裝和SSD制造企業(yè)，垂直一體化指向非常明顯。日前紫光存儲發(fā)布了一系列的產品，目前使用的應該是大廠的顆粒，一旦長江存儲開始出貨相信會迅速導入。NAND Flash不同于DRAM，DRAM只要有一個點失效（出廠前尚可小規(guī)模修補），一顆芯片乃至一個模組就不能正常工作了；而NAND Flash由主控芯片規(guī)劃數據存儲區(qū)域，當閃存芯片出現(xiàn)失效單元后主控可以把這部分隔離，整體依然可用。紫光存儲的發(fā)布中出現(xiàn)了自研的SSD主控芯片。
從產品規(guī)劃的時序來看，U盤存儲卡市場門檻低，業(yè)者眾多，客戶容忍度高，非常適合量產初期。工藝成熟后兼顧移動終端和消費級SSD，最終目標利潤豐厚的企業(yè)級應用。
封裝
數據來源：Yole
封測在存儲器成本占比約20%，高端應用涉及扇出、TSV 3D堆疊等技術，成本比重更高。商業(yè)模式方面Memory封測大多是IDM直接運作，外包部分大多交給交叉持股的關聯(lián)企業(yè)以共同抵御價格波動等風險。中國的封測行業(yè)在技術和規(guī)模方面和國際先進差距不大，而且在大基金的影響下容易形成一個虛擬IDM，做Memory封裝應該是水到渠成的；追求最先進的3D TSV似乎不太必要，畢竟新進廠商短期內進入高端服務器市場可能性不大。
PC DDR4：Flipchip倒裝封裝
綁線工藝在DDR3時代是絕對主流，目前三星DDR4基本轉入Flip-Chip。封裝方面限制DRAM性能發(fā)揮的主要因素是信號傳輸途徑中的整體延時和不同通道之間時差，而Flipchip封裝無疑可以減小這種影響。目前Flipchip工藝成熟，與綁線的成本差距已經很小了。
存儲卡/SSD：多層堆疊綁線封裝
對于講究大容量的SSD和存儲卡市場來說，多層堆疊綁線封裝成本密度高。其中的挑戰(zhàn)在于把芯片打磨到十幾mil甚至幾mil?。ňA在這個尺度上像紙一樣軟），切割后8層甚至16層交叉堆疊，極具匠心。
手機：扇出型晶圓級封裝
就移動市場使用的存儲器而言，eMMC（NAND+主控）和 eMCP(NAND+DRAM+主控)依然是主流。兆易購買NAND晶圓封裝出貨已經是駕輕就熟了；另一個重要應用方向是基帶、處理器和存儲器混合封裝，紫光在這方面擁有整合優(yōu)勢。MCP是把基帶芯片F(xiàn)lipchip倒扣在下，Memory綁線在上，然后塑封起來；PoP則是把DRAM和NAND Flash用綁線封裝組合，然后駝在基帶背上。高通一款LTE調制解調器內置的Memory被磨到0.072毫米也就是不到3mil，3芯片堆疊的MCP總厚度只有0.71毫米；蘋果A10采用底部為扇出型晶圓級封裝代替倒裝的PoP，使得整體厚度減低了20%，這應當是業(yè)界主流。追求極小、薄、極低電耗則需要使用3D TSV，成本和散熱等挑戰(zhàn)都很大，可以暫時忽略。
國內長電、通富、華天等三大封裝廠都表達了進軍存儲器產業(yè)的興趣，對于時機的選擇，合作伙伴的選擇和技術路線的選擇尚不清晰。臺企如力成、華東也是躍躍欲試，經驗和技術成熟是一個主要優(yōu)勢。國內也有幾家較小規(guī)模的封裝廠如太極（原TI旗下DRAM封裝）面臨發(fā)展機遇。
發(fā)展思路
應用端的支撐對于中國存儲器產業(yè)的發(fā)展的制勝因素。存儲器產業(yè)寡頭化的趨勢無論是對像蘋果、華為、聯(lián)想、亞馬遜和阿里這樣的集團采購者，對深圳浩如煙海的中小型電子制造者乃至你我這樣的消費者都很不利：技術發(fā)展緩慢，新技術被遏制；價格高昂，影響下游產業(yè)利潤率；服務不能滿足需求。甚至對產業(yè)巨頭自身，由于缺乏有效的外部競爭刺激，不免逐步走向遲緩。新晉的業(yè)者一定要和華為、聯(lián)想、阿里加強溝通（雖然早期他們也許不會大量采購），更要想方設法去滿足深圳的中小電子制造商的需求，市場如此廣闊，機會到處都是。
中國半導體存儲產業(yè)應當加大參與SEMI和JEDEC等國際組織的活動力度，在標準和國際化等方面謀求話語權。SEMI是一個國際性的半導體產業(yè)協(xié)會，四十多年來致力于貿易促進，消除壁壘，傳播中立而客觀的資訊，促進半導體乃至電子產業(yè)上下游和國內外的交流、合作和創(chuàng)新，其標準平臺在3D封裝等方面有巨大的國際影響力；JEDEC是存儲器產品標準制定的平臺和發(fā)布者，有獨特的一套運作邏輯，要在JEDEC擁有發(fā)言權不但需要技術實力也需要學會合縱連橫。了解現(xiàn)有標準，熟悉游戲規(guī)則，逐步介入到標準制定中去，長期而言對中國產業(yè)的發(fā)展是一件不可或缺的事情。