近日，納米電子與數(shù)字技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新中心imec與楷登電子（美國(guó)Cadence公司）今日聯(lián)合宣布，得益于雙方的長(zhǎng)期深入合作，業(yè)界首款3nm測(cè)試芯片成功流片。該項(xiàng)目采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)，193浸沒(méi)式（193i）光刻技術(shù)設(shè)計(jì)規(guī)則，以及Cadence?Innovus?設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)和Genus?綜合解決方案，旨在實(shí)現(xiàn)更為先進(jìn)的3nm芯片設(shè)計(jì)。

Imec為測(cè)試芯片選擇了業(yè)界通用的64-bitCPU，并采用定制3nm標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)及TRIM金屬的流程，將繞線(xiàn)的中心間距縮短至21nm。Cadence與imec攜手助力3nm制程工藝流程的完整驗(yàn)證，為新一代設(shè)計(jì)創(chuàng)新保駕護(hù)航。

CadenceInnovus設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)是大規(guī)模的并行物理實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)，幫助工程師交付高質(zhì)量設(shè)計(jì)，在滿(mǎn)足功耗、性能和面積（PPA）目標(biāo)的同時(shí)縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。CadenceGenus綜合解決方案是新一代高容量RTL綜合及物理綜合引擎，滿(mǎn)足最新FinFET工藝的節(jié)點(diǎn)需求，并將RTL設(shè)計(jì)效率提高達(dá)10倍。

項(xiàng)目期間，EUV技術(shù)及193i光刻規(guī)則皆經(jīng)過(guò)測(cè)試，以滿(mǎn)足所需分辨率；并在兩種不同的圖案化假設(shè)下比較了PPA目標(biāo)。

“隨著芯片制程工藝深入到3nm節(jié)點(diǎn)，互連參數(shù)顯得愈加關(guān)鍵，“imec半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)事業(yè)部執(zhí)行副總裁AnSteegan表示?！蔽覀?cè)跍y(cè)試芯片上投入了大量精力，助力互連參數(shù)的可測(cè)量和優(yōu)化，以及3nm制程工藝的驗(yàn)證。

同時(shí)，Cadence數(shù)字解決方案也讓3nm工藝的實(shí)現(xiàn)萬(wàn)事俱備。Cadence完美集成的工作流讓該解決方案的采納更加簡(jiǎn)單，幫助我們的工程設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在開(kāi)發(fā)3nm規(guī)則集的時(shí)候保持高效?！?/p>

“Imec領(lǐng)先的基礎(chǔ)設(shè)施讓生產(chǎn)前創(chuàng)新領(lǐng)先于業(yè)界需求成為可能，是EDA行業(yè)的關(guān)鍵合作伙伴，“Cadence公司全球副總裁兼數(shù)字與簽核事業(yè)部總經(jīng)理Chin-chiTeng博士表示?！拔覀兣cimec的合作在2015年成功流片業(yè)界首款5nm芯片的基礎(chǔ)上繼續(xù)深化，此次3nm測(cè)試芯片的成功流片標(biāo)志著全新的里程碑，繼續(xù)引領(lǐng)未來(lái)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)移動(dòng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域的變革?！?/p>