《電子技術(shù)應(yīng)用》
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中國存儲器芯片市場風(fēng)云迭起 誰將成為“攪局者”

2017-12-18
關(guān)鍵詞: 存儲器 芯片 SSD NAND

隨著全球信息化浪潮的不斷涌起,智能手機、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域迎來高速發(fā)展契機。值此背景之下,其上游存儲器芯片產(chǎn)業(yè)再遇爆發(fā)期,作為生產(chǎn)、消費大國的中國,自然首當(dāng)其沖,成為存儲器芯片大戰(zhàn)的主戰(zhàn)場。在中國存儲器芯片市場風(fēng)云迭起的同時,“攪局者”的出現(xiàn)正緩緩改變著戰(zhàn)場的局勢……

美日韓的壟斷之勢

在全球半導(dǎo)體市場日益擴張的趨勢下,芯片市場供不應(yīng)求之勢越發(fā)明顯,這其中又以存儲器市場為最。據(jù)統(tǒng)計,2016全球存儲器市場容量約800億美元左右,約占半導(dǎo)體市場的23%,是僅次于邏輯電路的第二大產(chǎn)品。

以目前市場來看,存儲器主要分為DRAM和NAND Flash兩大類。其中2016年DARM市場容量約414億美元,NAND Flash約346億美元。在DRAM方面,全球DRAM價格持續(xù)七個季度高漲,是歷來漲勢最久的一次,據(jù)業(yè)界人士預(yù)測,此漲勢將持續(xù)至2018年第二季度。在NAND Flash方面,全球NAND Flash產(chǎn)線出現(xiàn)2D向3D轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象,且3D NAND 在SSD產(chǎn)品上的應(yīng)用也日趨增多,至此閃存市場供應(yīng)得到緩解。

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而在供應(yīng)短缺以及高增長的背后,壟斷之勢也越發(fā)明顯。據(jù)數(shù)據(jù)調(diào)查顯示,僅三星電子、SK海力士、英特爾、美光科技以及東芝半導(dǎo)體等五家美日韓半導(dǎo)體企業(yè),幾乎壟斷了全球95%左右的存儲器市場。

以三星電子為例,據(jù)業(yè)界人士預(yù)估,在三星今年260億美元半導(dǎo)體資金中,3D NAND Flash約為140億美元,DRAM約為70億美元。面對如此“誘人”的存儲器市場,三星電子完全無法忍住誘惑。據(jù)消息透漏,三星電子計劃于2018年將DRAM價格上調(diào)5%左右,并且會加大3D NAND Flash技術(shù)研發(fā)的投入。而且,隨著智能手機、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)需求的增加,3D NAND Flash將得到長足發(fā)展。在這種趨勢下,中國也開始了布局。

紫光國際“攪局” 破勢而出

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事實上,在全球存儲器市場需求的不斷驅(qū)動下,中國存儲器市場的起色也很明顯。為了打破美日韓企業(yè)的壟斷之勢,中國芯片企業(yè)并未放棄對半導(dǎo)體的研究。而且隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷衍進(jìn),存儲器芯片研發(fā)難度隨之加大,加之3D NAND技術(shù)的出現(xiàn),都為國產(chǎn)存儲器廠商彎道超車提供了機會。

2016年,在三星電子、SK海力士、英特爾、美光以及東芝等存儲器廠商開始量產(chǎn)32層3D NAND Flash的時候,國內(nèi)存儲器廠商才開始布局,錯失良機的國內(nèi)存儲器廠商急忙與政府合作,投資建立“國產(chǎn)存儲器基地”,建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房以供3D NAND Flash研發(fā)與生產(chǎn)。在這場全球3D NAND Flash市場之戰(zhàn)中,紫光國際首先“舉旗”,長江存儲、武漢新芯以及中國科學(xué)院微電子研究所緊隨其后,互相配合共同研發(fā)3D NAND Flash技術(shù)。

2017年11月中旬,長江存儲已經(jīng)成功研發(fā)出32層3D NAND Flash芯片,預(yù)計將于2018年實現(xiàn)量產(chǎn)。目前,紫光國際與長江存儲已經(jīng)在研究64層3D NAND Flash技術(shù),預(yù)計將于2019年實現(xiàn)量產(chǎn)。

機遇與挑戰(zhàn)并存

當(dāng)然,彎道超車依舊困難重重。從國內(nèi)存儲器廠商的發(fā)展情況來看,主要面臨的機遇有以下四點:

其一,全球存儲器芯片價格持續(xù)走高、市場供不應(yīng)求的趨勢;

其二,智能手機、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)等科技的不斷發(fā)展,導(dǎo)致存儲器芯片的需求也隨之增加;

其三,全球存儲器領(lǐng)先技術(shù)突破的趨勢減緩,各項技術(shù)的不斷成熟;

其四,國家政策的不斷出臺,政企聯(lián)合之勢擴大。

在機遇存在的同時,國內(nèi)存儲器廠商所面臨的挑戰(zhàn)也不可謂不小,主要體現(xiàn)在以下三方面:

其一,國內(nèi)存儲器技術(shù)人才匱乏,導(dǎo)致技術(shù)研發(fā)速度過慢;

其二,原材料價格的不斷上漲,導(dǎo)致投入過高;

其三,存儲器增長過快,產(chǎn)能過剩的風(fēng)險隨時將至。

小結(jié):

從國內(nèi)存儲器市場的趨勢來看,紫光國際以及長江存儲已成為“攪局者”,于國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)而言,將是一把利劍,也是打破美日韓壟斷國內(nèi)存儲器市場的希望??梢灶A(yù)料的是,隨著國內(nèi)3D NAND Flash技術(shù)的不斷突破與成熟,加之DRAM產(chǎn)量的不斷提升,未來與五大存儲器巨頭的差距將越來越小。


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