臺(tái)積電與三星的晶圓領(lǐng)域均已經(jīng)進(jìn)入了 10nm 制程，半導(dǎo)體大廠英特爾(Intel）也不甘示弱，今天在中國北京所舉辦的尖端制造大會(huì)上，英特爾正式公布了自家的 10 nm 制程技術(shù)，以及全球首次對(duì)外展示的 10 nm 晶圓。英特爾還宣布，該公司將會(huì)在接下來的技術(shù)大會(huì)上，除了介紹自家的 10 nm 制程技術(shù)之外，同時(shí)也將于競爭對(duì)手，也就是臺(tái)積電以及三星的 10 nm 制程技術(shù)進(jìn)行比較。

在本次大會(huì)上，英特爾制程架構(gòu)總監(jiān) Mark T.Bohr 發(fā)布了英特爾的 10 nm 制程技術(shù)。Mark T.Bohr 表示，與臺(tái)積電和三星等競爭對(duì)手相比，可以看出英特爾的 10 nm 制程在鰭片的間距、柵極間距都低于臺(tái)積電和三星，而且最小金屬間距更是大幅領(lǐng)先競爭對(duì)手。

另外，從最終邏輯晶體管密度參數(shù)上面，英特爾的 10 nm 制程技術(shù)能夠達(dá)到每平方毫米 1 億晶體數(shù)，而臺(tái)積電為 4800 萬，三星為 5160 萬，也就是說英特爾的 10nm 制程技術(shù)的晶體密度是臺(tái)積電的 2 倍還多。

另外，英特爾執(zhí)行副總裁 Stacy J.Smith 做完英特爾未來戰(zhàn)略演講后，Smith 還向全世界首次展示了以最新 10 nm 制成技術(shù)所打造的圓晶，這也是未來 Cannon Lake CPU 的最基礎(chǔ)部分。這次是英特爾首次全球展示 10 nm 的圓晶，雖然英特爾表示自家的 10 nm 制成技術(shù)還將會(huì)領(lǐng)先競爭對(duì)手很多，而且未來還會(huì)有 10 nm+ 以及 10nm++ 制程技術(shù)。

不過在目前英特爾還沒有對(duì)最新的 10nm 制成技術(shù)透露更多的技術(shù)資訊。英特爾已經(jīng)表示，將會(huì)在 2017 年底前正式投產(chǎn) 10 nm 制成技術(shù)的處理器。