近期業(yè)界再次點燃中國半導體業(yè)要不要搞IDM模式的討論，盡管意見存有分岐，其實也是十分正常。

事實上采用什么模式可能并不重要，而是要想清楚兩種模式，代工與IDM究竟差異在那里？及現階段中國半導體業(yè)要實現什么樣的目標。

中國半導體業(yè)以代工啟步

全球半導體業(yè)發(fā)展有差異性，表現在僅美國、日本、韓國及臺灣地區(qū)等大力發(fā)展，而許多第一世界國家，它們都采用“拿來主義”。而美日韓及臺灣地區(qū)的發(fā)展模式是各不相同，各有特色，足見只要適合自己的需要，就是正確的。

相對而言，美國半導體業(yè)的綜合實力最強，它集中fabless、IDM、設備等優(yōu)勢，而且在應用方面有蘋果、谷歌等支撐。

對于日本半導體業(yè)，表面上看似在節(jié)節(jié)地衰退，實際上可能要客觀的去評價它。日本半導體的研發(fā)力量很強，材料占全球的60%以上。另外如韓國、臺灣地區(qū)的半導體也都各有所長，在全球有一定的話語權。

中國大陸半導體業(yè)以代工啟步，其中有跟隨臺灣地區(qū)半導體方面的因素，另外代工也適合中國大陸半導體業(yè)啟步的發(fā)展需要。

按“十三五”半導體規(guī)劃，中國選擇IDM模式是必然的趨勢

在“十三五”中國半導體業(yè)規(guī)劃中，提出產業(yè)要實現“自主可控”，及另一個明確的目標，國產化率2020年時達到40%，及2025年時達到70%。

盡管中國式的“國產化率”定義可能有值得商榷的地方，其中包括兩個方面，一個是把代工（包括前道后道）的產值作為產品的銷售額計，以及另一個把眾多外資半導體廠的銷售額也統(tǒng)計在內。

現階段中國半導體業(yè)上馬IDM的原因，可能與最終要實現產業(yè)“自主可控”，及提高進口替代，擴大國產化率等相關。

對于“十三五”規(guī)劃，國家下定決心，成立大基金，帶動地方資本等進行突破，所以必須有一個顯見的目標能提升。

在這樣的思路指導下，通過比較，發(fā)展存儲器可能是個相對合理的產品，因為存儲器的產值大，可替代性高，歷史上觀察日本、韓國都是采用此法都取得突破成功。

IDM模式真到了時候嗎？

中國半導體業(yè)在討論發(fā)展模式時的分岐點，其實大部分業(yè)界也認為中國半導體不能只做一種代工，需要IDM模式，只是真的到時候了嗎？

代工與IDM的差別究竟在什么地方：

通常IDM模式，采用最先進的工藝制程技術，把產品做到極致，并盡可能的擴大產能，把產品成本降低，把競爭對手擠出市場。

IDM模式一定會做出貨量大的產品。因為推出一個新的產品，需要研發(fā)投入巨大的人力、財力、物力以及時間，之后為了保持競爭力，尚需要不斷的研發(fā)及提高產品性價比。

因此只有出貨量大到足夠分擔研發(fā)費用，才會釆用IDM模式，把產品的進程牢牢的控制在自己手中。

如英特爾的CPU，三星的DRAM、NAND及3D NAND都是如此。所以關鍵是把產品達到最大的生產經濟規(guī)模和降低成本，并透過持續(xù)的研發(fā)新技術制程，可以把競爭對手趕出市場。然而這樣的方法用在晶圓代工領域中，可能并不適用。

但是IDM模式也有它的另一方面，如相對于代工，它可能有產品的庫存，因此風險更大，以及需要主動的，不斷的提升工藝制程技術，加強研發(fā)，而這兩個方面恰恰對于中國半導體業(yè)都不是強項。

通常晶圓代工是提供一個工藝技術平臺，它要滿足許多個客戶的需求，并為客戶提供全方位的服務。

由于代工講求客制化，對于大小客戶都要能接納，加上產品繁雜、所以工藝技術平臺是在通用性下實現多樣化。因此代工模式的核心是“服務”，它要滿足客戶time to market及time to money，在此方面臺積電有獨特的優(yōu)勢。

所以它與CPU、存儲器等要將產品的工藝技術做到極致，是迥然不同的。

如英特爾每年的研發(fā)費用超過100億美元，而臺積電的研發(fā)費用每年僅20億美元。兩者的差異反映對于技術的先進性要求不同。

另外，純晶圓代工模式一直是臺積電引以為傲的強項，臺積電只做代工，沒有自家的產品，不與客戶競爭，對于每個客戶都是海納百川的心態(tài)，是其成功最大秘訣。

現階段國際半導體大廠不約而同競逐晶圓代工市場，因為全球代工中80%以上的利潤屬于臺積電。

其中，三星在存儲器領域獨大，要擴張版圖跨入晶圓代工可以理解，而英特爾輝煌的PC時代已過，積極拓展新的業(yè)務，朝向晶圓代工也是可能。

中國半導體業(yè)的發(fā)展不太可能是“水到渠成”，而一定是要有賭一把的決心。觀察產業(yè)為什么說已到跨入IDM模式的時候，原因至少有兩個方面，一個是全球存儲器業(yè)發(fā)展己到轉折點，DRAM的尺寸縮小趨緩，接近極限；而NAND閃存正由2D NAND向3D NAND迅速過渡。

所以近幾年存儲器業(yè)總的產能偏緊，眾多存儲器廠正在窺測方向，導致少見的存儲器價格持續(xù)上升，及存儲器業(yè)銷售額不斷創(chuàng)新高，反映供需矛盾仍有缺口。

此時中國毅然決心加入戰(zhàn)局，至少有同步的優(yōu)勢。另一方面是中國IC產業(yè)鏈日趨完善，“十三五”產業(yè)規(guī)劃的要求，而單純依靠IC設計，代工業(yè)的增長己不太可能滿足需求，迫切需要IDM模式來帶動產業(yè)鏈的全面躍升。

選擇存儲器是理性的表現

實際上做IC產品，決定做什么，是十分困難的。因為全球半導體業(yè)己日趨成熟，各類產品已為幾家大的廠家壟斷，2016年全球半導體業(yè)達3350億美元。

按WSTS的數據分類方法，半導體分IC及非IC（分立、傳感及光電等），其中IC占81.9%，為2745億美元。而IC中又分成四大類，其中模擬為452億美元，占IC中的16.4%；微處理器與微控制器為612億美元，占22.2%；邏輯為907億美元，占33%；及存儲器為772億美元，占28%。

理性分析，邏輯電路總量最大，但產品分散度太高，品種多，無法集中兵力；模擬電路，利潤高，但它的工藝難度大，品種分散，加上一個模擬公司的真正成熟可能需要花10-20年時間，所以恐怕也不太適合于中國。

剩下中國可以突破的兩大類，分別是存儲器及微處理器。眾所周知，微處理器十分重要，所以中國的啟步也并不晚，如龍芯等己經跟蹤近20年?，F階段雖然取得了成績，但是難言成功。所以中國的微處理器業(yè)正依多頭并進方式繼續(xù)在推進，但是估計不太可能在近期內會有很大的進展。

因此，比較下來只有存儲器可以作為選項之一。盡管它的難度也很大，但是別無它法，想在短時期內取得可觀的銷售額，作為有效的替代進口，存儲器可能是唯一的選擇。

如果暫不計產品的競爭力，一條存儲器生產線，月產12英寸硅片100000片，并假設成品率達90%，及每個硅片售價達到2000美元以上，則年銷售額可達20億美元以上。

現階段中國IC銷售額要實現年均20%的增長，在芯片制造業(yè)中主要依靠先進制程的突破及產能擴充，然而這樣的進程有可能趕不及，因此為了實現“十三五規(guī)劃”的目標，發(fā)起對于存儲器產品的總攻，可能是理性的表現。

但是什么時間能取得成功，是2020年，還是2025年，恐怕目前尚難以回答。因為它涉及人才及產業(yè)大環(huán)境等的改善，需要時間及堅持。另外不可忽視國際上對于中國進軍存儲器業(yè)的強烈反應程度。

中國半導體業(yè)要對全球半導體業(yè)作出新的貢獻

中國半導體業(yè)發(fā)展中不必要化太多的時間去討論IDM，或者代工模式，實際上不存在那種模式更為優(yōu)秀，而僅是在哪個階段，哪種模式更適合于中國半導體業(yè)的發(fā)展需要。現階段的關鍵要集中精力突破存儲器的研發(fā)，來確保實現按計劃的量產。

不管如何中國半導體業(yè)向IDM模式挺進，是一次飛躍，無論對于中國，甚至全球半導體業(yè)都是個巨大的貢獻。