根據(jù)市場調(diào)研機構IC Insights最新數(shù)據(jù)，2017年將是全球半導體資本支出大年，共有15家半導體公司進入“十億美元俱樂部”，即2017年資本支出計劃達到或超過10億美元。十億美元俱樂部比2016年增加4家，而2013年時僅有8家。

時隔五年之后，英飛凌有望再次進入十億美元俱樂部，而瑞薩也是十多年來首次資本支出達到10億美元線，看好汽車半導體從而加大投資是這兩家進入資本支出排行榜前列的主要原因。南亞科技與意法半導體也在時隔數(shù)年之后重入榜單。

IC Insights表示，由于近年來中國大陸大力擴充晶圓制造產(chǎn)能，所以預計未來幾年，將有更多中國大陸半導體公司進入“資本支出大公司”榜單。

如圖所示，2017年資本支出前十五大公司中包含4家純晶圓代工廠，15家支出總和預計為628億美元，占2017年全球半導資本支出總額比例為83%，為11年以來最高比例。

英特爾、三星、格芯（GlobalFoundries）和海力士（SK Hynix）四家資本支出計劃增長最多。相比2016年，三星預計增加32億美元支出，英特爾預計增加23.75億美元支出，格芯預計增加8.65億美元，海力士預計增加8.12億美元，四家公司支出增加值合計為72.52億美元。2017年全行業(yè)資本支出計劃比2016年增加80.21億美元，三星、英特爾、格芯和海力士四家資本支出增加值合計占了90%。

產(chǎn)品類別中，DRAM/SRAM資本支出同比增長31%，增長率居首。2016年第三季度開始的DRAM價格瘋漲，讓DRAM制造商再一次步入增加資本支出階段。

2016年投資于閃存的資本支出為146億美元，遠高于DRAM產(chǎn)品資本支出（85億美元）。IC Insights估計，2016年和2017年投入到閃存的資本支出主要用于3D NAND閃存工藝技術，而不再投入到平面閃存工藝。2017年閃存資本支出增加主要來自于三星，三星將擴大其在韓國平澤市（Pyeongtaek）超大新晶圓廠的3D NAND產(chǎn)能。

臺積電在強資本支出策略下縮小了和英特爾工藝差距

（圖片源于IDF2011英特爾演講）

短評：半導體制造是重資本支出行業(yè)，資本支出能力不足的公司，已經(jīng)逐漸脫離先進工藝競爭者行列。與非網(wǎng)分析師王樹一注意到，過去11年中，有9年三星資本支出都排名榜首，英特爾只有兩年排名第一。雖然存儲器工藝與邏輯工藝有區(qū)別，但從三星半導體營收來看，強資本支出策略對維持三星存儲器優(yōu)勢居功至偉。同樣，臺積電自2009年開始進入資本支出榜前三名，這也是臺積電與其他純代工廠技術代差拉大的開始。

臺積電強資本支出策略使其能夠在合適的時間點切換工藝

在半導體制造領域，缺乏足夠的資本支出，就不可能跟上工藝演進節(jié)奏。