SEMI（國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）8日發(fā)布最新“全球晶圓廠預(yù)測報告”（ World Fab Forecast ），指出2017年晶圓廠設(shè)備支出將超過460億美元，創(chuàng)下歷年新高，并預(yù)計2018年支出金額將達500億美元，突破2017年新高點。晶圓廠設(shè)備支出金額不僅持續(xù)創(chuàng)新紀錄，也可望連從2016年至2018年呈現(xiàn)連續(xù)3年的成長趨勢，且為1990年代中期以來首見。

SEMI“全球晶圓廠預(yù)測”報告于2017年2月底的更新資料指出，2017年有282座晶圓廠及生產(chǎn)線進行設(shè)備投資，其中有11座支出金額都超過10億美元。同時2018年預(yù)計有270座廠房有相關(guān)設(shè)備投資，其中12座支出超過10億美元。該項支出主要集中于3D NAND、DRAM、晶圓代工及微處理器（MPU）。其他支出較多的產(chǎn)品分布涵蓋LED與功率分離式元件、邏輯、MEMS（MEMS/RF）與類比/混合訊號。

SEMI預(yù)估，雖中國許多新晶圓廠計劃仍處于興建階段，2017年中國設(shè)備支出大致持平，成長約1%，并為全球支出金額排名第三的地區(qū)。2017年中國總計有14座晶圓廠正在興建，并將于2018年開始裝機。2018年中國晶圓設(shè)備支出總金額將逾100億美元，成長超過55%，全年支出金額位居全球第二。總計2017年中國將有48座晶圓廠有設(shè)備投資，支出金額達67億美元。展望2018年，SEMI預(yù)估中國將有49座晶圓廠有設(shè)備投資，支出金額約100億美元。

其他地區(qū)亦正向成長，SEMI“全球晶圓廠預(yù)測”報告指出，歐洲/中東與韓國將成為今年成長最快的地區(qū)，預(yù)估年成長率分別為47%與45%。日本支出金額將增加28%，其次為年增21%的美洲地區(qū)。