以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點。美、日、歐等各國積極進(jìn)行戰(zhàn)略部署，第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目，并成為半導(dǎo)體技術(shù)研究前沿和產(chǎn)業(yè)競爭焦點。作為電力電子器件，SiC器件在低壓領(lǐng)域如高端的白色家電、電動汽車等由于成本因素，逐漸失去了競爭力。但在高壓領(lǐng)域，如高速列車、風(fēng)力發(fā)電以及智能電網(wǎng)等，SiC具有不可替代性的優(yōu)勢。

SiC材料與電力電子器件的發(fā)展

賽迪智庫在充分研究了SiC材料和電力電子器件的發(fā)展歷程之后認(rèn)為，從2016年開始SiC已經(jīng)進(jìn)入成熟期。站在成熟期的“元年”，去研究各國在政策和產(chǎn)業(yè)的動向，對分析SiC產(chǎn)業(yè)的在我國的后續(xù)發(fā)展有著重要意義。

美國等發(fā)達(dá)國家為了搶占第三代半導(dǎo)體技術(shù)的戰(zhàn)略制高點，通過國家級創(chuàng)新中心、協(xié)同創(chuàng)新中心、聯(lián)合研發(fā)等形式，將企業(yè)、高校、研究機(jī)構(gòu)及相關(guān)政府部門等有機(jī)地聯(lián)合在一起，實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體技術(shù)的加速進(jìn)步，引領(lǐng)、加速并搶占全球第三代半導(dǎo)體市場。美國等發(fā)達(dá)國家2016年第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)部分政策措施：

國內(nèi)也正在積極推進(jìn)，著力換道超車。國家和各地方政府也陸續(xù)推出政策和產(chǎn)業(yè)扶持基金發(fā)展第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)：地方政策也在2016年大量出臺，福建、廣東、江蘇、北京、青海等27個地區(qū)出臺第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策（不包括LED）近30條。一方面多地均將第三代半導(dǎo)體寫入“十三五”相關(guān)規(guī)劃，另一方面不少地方政府有針對性對當(dāng)?shù)鼐哂幸欢▋?yōu)勢的SiC和GaN材料企業(yè)進(jìn)行扶持。福建省更是計劃投入500億，成立專門的安芯基金來建設(shè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。國內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料部分政策：

產(chǎn)業(yè)方面，SiC的電力電子器件市場在2016年正式形成，市場規(guī)模約在2.1億—2.4億美金之間。而據(jù)Yole最新預(yù)測，SiC市場規(guī)模在2021年將上漲到5.5億美金。目前全球有超過30家公司在電力電子領(lǐng)域擁有SiC、GaN相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn)、設(shè)計、制造和銷售能力。2016年SiC無論在襯底材料、器件還是在應(yīng)用方面，均有很大進(jìn)展，已經(jīng)開發(fā)出耐壓水平超過20KV的IGBT樣片。

圖：2015-2012年SiC器件市場規(guī)模 數(shù)據(jù)來源：Yole 2016

2016年的半導(dǎo)體領(lǐng)域并購案中直接涉及第三代半導(dǎo)體的有4項，涉及交易金額達(dá)100億美元。其中以Infineon收購Cree分拆的Wolfspeed對產(chǎn)業(yè)格局影響最大，但該項交易于2017年2月16日因為美國外國投資委員會（CFIUS）關(guān)注的國家安全問題而被迫中止。

2016年，我國第三代半導(dǎo)體電力電子器件的市場規(guī)模約1.6億元，其中90%為進(jìn)口產(chǎn)品。我國在第三代半導(dǎo)體襯底、外延材料、器件的整體水平落后于美日歐等發(fā)達(dá)國家大于3年左右。在電力電子方面，日、美、歐在地鐵機(jī)車、新能源汽車、白色家電等領(lǐng)域已經(jīng)開展了規(guī)模應(yīng)用，而我國只在光伏逆變器、PFC電源、UPS等領(lǐng)域有小規(guī)模應(yīng)用，可以說還有不小的差距。較差的基礎(chǔ)也決定了我國發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)離不開產(chǎn)業(yè)投資基金的支持。據(jù)初步統(tǒng)計，目前各地涉及第三代半導(dǎo)體的地方基金規(guī)模超過1600億人民幣，同時能夠撬動更大規(guī)模的民間資本進(jìn)入第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。2016年部分SiC項目投資列表：

目前，全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立態(tài)勢。其中美國全球獨大，居于領(lǐng)導(dǎo)地位，占有全球SiC產(chǎn)量的70-80%；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，在全球電力電子市場擁有強(qiáng)大的話語權(quán)；日本是設(shè)備和模塊開發(fā)方面的絕對領(lǐng)先者。我國由于在LED方面已經(jīng)接近國際先進(jìn)水平，為第三代半導(dǎo)體在其它方面的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用打下堅實的基礎(chǔ)。

縱觀近幾年中國半導(dǎo)體的發(fā)展，借助產(chǎn)業(yè)扶持基金進(jìn)行海外收購已經(jīng)成為提升國內(nèi)產(chǎn)業(yè)實力的有力武器。但考慮到第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資金和技術(shù)雙密集屬性，特別是SiC和GaN材料和芯片大量應(yīng)用于軍事領(lǐng)域，海外收購第三代半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)和公司將會越來越困難，美國政府以“國家安全”為由阻止金沙江收購Lumiled、宏芯投資基金收購德國Aixtron就是其佐證。自主研發(fā)，全產(chǎn)業(yè)鏈提升國內(nèi)在第三代半導(dǎo)體的競爭力已經(jīng)是一個不可回避的問題。對比美歐日等發(fā)達(dá)國家，我們應(yīng)該在以下幾個方面做出更大努力：

1．集中優(yōu)勢資源扶持龍頭企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)。在我國SiC領(lǐng)域本身就不具備優(yōu)勢的情況下，國家和地方的投資基金卻又很分散的投入到很多企業(yè)里面去，大大分散本來就不足的研發(fā)投入，難以形成規(guī)模效應(yīng)。

2．公共研發(fā)平臺的參與。第三代半導(dǎo)體涉及多個學(xué)科、跨領(lǐng)域的技術(shù)和應(yīng)用。很多基礎(chǔ)性研發(fā)不是企業(yè)能夠解決的。國內(nèi)的研究院所大多按照領(lǐng)域劃分，也很難形成跨領(lǐng)域、多學(xué)科合作?？梢砸試翼椖啃问浇M織多個研究院所共同攻克基礎(chǔ)技術(shù)。

3．產(chǎn)業(yè)規(guī)劃先行。借助行業(yè)協(xié)會的力量，先行規(guī)劃產(chǎn)業(yè)發(fā)展線路，在標(biāo)準(zhǔn)、檢測、認(rèn)證等方面內(nèi)容。是產(chǎn)業(yè)發(fā)展更趨合理性和指導(dǎo)性。解決現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)、檢測、認(rèn)證等規(guī)則、程序和新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點不匹配之處。