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如何破解三星/SK海力士/美光搭建的高墻

2017-01-03
關(guān)鍵詞: 存儲 三星 Intel

過去幾年,中國正在瘋狂存儲產(chǎn)業(yè),尤其是經(jīng)歷了2016年的兼并整合以后,中國的存儲產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模。但就目前看來,中國存儲能否大獲成功,就得看在來年,包括Intel、三星、美光等知名的存儲產(chǎn)品供應(yīng)商是否愿意和中國簽署相關(guān)技術(shù)授權(quán)協(xié)議。

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對中國利好的消息是,現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)的存儲玩家都不想看到三星持續(xù)一家獨大的現(xiàn)狀,中國這波掀起對存儲格局的改變,或許會吸引其他相對弱勢的廠商給中國提供支持。

IC Insights的分析師指出,隨著PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、平板、智能手機和其他設(shè)備的興起,中國對DRAM和Flash的渴求達到了一個前所未有的階段。所以他們在“十三五規(guī)劃”里把發(fā)展存儲放在一個重要的位置。

面臨的難題

但坦白說,中國現(xiàn)在的技術(shù)儲備,是撐不起中國現(xiàn)在的存儲野心的。其實隨著后續(xù)IoT和AI應(yīng)用的大量興起,存儲需求是會大量攀升的,對于中國來說,如何迅速獲得核心技術(shù),就成為中國存儲產(chǎn)業(yè)關(guān)注的首要問題。 

據(jù)分析,中國存儲還是需要關(guān)注以下問題:

(1)中國能否自主設(shè)計和生產(chǎn)存儲芯片?

(2)如果中國不能自主設(shè)計,能否買到有相關(guān)技術(shù)的公司?

(3)如果美國CFIUS拒絕中國對其本土企業(yè)發(fā)起的并購,中國還可以從哪里獲得相關(guān)技術(shù)? 

另外還有一個重要的問題,那就是足夠是否能夠籠絡(luò)到一批經(jīng)驗足夠豐富的存儲相關(guān)工程師,以撐起其發(fā)展的野心。

但換個角度看,存儲供應(yīng)商同樣面臨困擾(包括美國本土的)。他們需要思考的是一旦中國不想跟他們玩,他們的未來能怎么辦? 

這不僅僅是中國市場的問題,還有一點就是隨著技術(shù)的發(fā)展,研發(fā)成本支出也越來越大,對于一些稍欠缺點競爭力的廠商,他們還需要考慮怎樣才能活下去。不差錢的中國恰好能夠解決這兩個問題。 

美國硅谷一個不具名的半導(dǎo)體高層表示,如果美光和東芝不和中國達成某種合作,他們應(yīng)該是最先受到?jīng)_擊的。

另一個問題是,假設(shè)中國真的如期推出了其存儲產(chǎn)品,那么在未來幾年,全球市場勢必會面臨NAND和Flash產(chǎn)能過程的問題。 

IC Insights最近的指出,2016年全球存儲的資金支出大增,但根據(jù)過去的觀察,這往往會帶來產(chǎn)能過剩和單價下探的反效果。 

這也是中國攪局全球市場,帶來的另一個重要影響

縱觀全球的存儲市場,尤其是在熱門的3D NAND FLASH市場,有三星、SK海力士、美光、Intel、東芝/閃迪、XMC/長江存儲和眾多新進的中國玩家。IC Insights也認為未來3D NAND Flash的市場需求是非常高的,并將會持續(xù)增長的。

而在這些玩家之中,三星在其中國西安的工作制造相關(guān)的3D NAND Flash產(chǎn)品,SK海力士則在無錫生產(chǎn)DRAM,而Intel也在今年年初,把其大連工廠轉(zhuǎn)成3D NAND Flash生產(chǎn)基地。

需要提一下的是,中國的晶圓代工廠SMIC從很多年前開始,就逐步停止DRAM業(yè)務(wù)。

從現(xiàn)在看來,中國本土的存儲產(chǎn)業(yè)雖然有點弱小,但是中國大張旗鼓的建設(shè),大基金和政府的支持,這絕對是存儲領(lǐng)域不能忽視的新興力量。

從IC Insights的報告我們得知,中國現(xiàn)有的存儲勢力包括:

(1)長江存儲,這是清華紫光在今年7月收購XMC之后成立的新公司。它的300mm 3D NANND FLASH 晶圓廠已經(jīng)動工,產(chǎn)線預(yù)計2017年底或者2018年初投入使用。

(2)兆易創(chuàng)新和中芯國際前CEO王寧國打造的合肥長鑫,專攻DRAM,預(yù)計2017年7月動工。

(3)福建晉華項目,強攻DRAM,由當(dāng)?shù)卣吐?lián)電攜手打造。預(yù)計2018年第三季度量產(chǎn)。

下面我們來深入了解一下:

中國存儲的重要玩家——長江存儲

長江存儲可以說是清華紫光求購兩個美國公司不成的選擇。 

在2015年,清華紫光向美光科技發(fā)起了一個230億美元的收購邀約,之后又向西部數(shù)據(jù)一個38億美元的投資協(xié)議,但這兩個發(fā)起統(tǒng)統(tǒng)都被美國政府方面否定。于是紫光集團將目光瞄向了本土的XMC,在今年7月收購后者之后,成立了長江存儲。

這次的并購釋放出了一個明顯的信號,那就是無論多困難,中國也不會放棄其發(fā)展存儲的野心。

XMC本來是由楊士寧(后辭去武漢新芯CEO職位)運營的,之前一直為Spansion(現(xiàn)已被Cypress收購)生產(chǎn)nor flash。在2015年初,XMC宣布和Spansion攜手開發(fā)3D NAND Flash。另外,XMC同樣也為兆易創(chuàng)新生產(chǎn)Nor Flash。 

新的長江存儲計劃投入240億美元,分三個階段建設(shè)一個300mm Fab,現(xiàn)在第一階段的建設(shè)已經(jīng)開工,預(yù)計總體建設(shè)工程會在2019年完成。相關(guān)人士指出,長江存儲將會在2017年底量產(chǎn)32層的3D NAND FLASH,產(chǎn)能達到30萬片每月。而技術(shù)則可能來自于Spansion。 

但對于這種說法,我是有些疑問的。

在和很多日本從業(yè)者交流過之后,他們給我的反饋就是,他們對于XMC所說的3D NAND Flash相關(guān)技術(shù)存有疑問的。他們認為,雖然官方給出了計劃表,但實際上NAND FLASH什么時候能夠真正量產(chǎn),都是一個未知之?dāng)?shù)。

他們更傾向于相信XMC正在加緊開發(fā)3D NAND FLASH技術(shù)。因為Spansion的3D NAND FLASH從來沒有量產(chǎn)過,很多業(yè)者認為,他們的技術(shù)還不夠成熟。

就算到XMC真的能拿出32層的3D NAND FLASH技術(shù),并按時量產(chǎn)。但屆時三星和其他玩家甚至可能拿出了100層以上的3D NAND Flash,或者將存儲方向轉(zhuǎn)向了Intel正在推的3D Xpoint。雖然是有差距,但是對中國來說,也是一個大突破。

而根據(jù)行業(yè)專家觀點,長江存儲未來在存儲上的投入至少達千億規(guī)模。

怎么獲取技術(shù)?

如果真如我們所說,XMC的3D NAND Flash技術(shù)不夠可靠,那么對于長江存儲來說,可能的選擇是什么?

假設(shè)中國又不能從美國人手上買到一個存儲芯片公司(如美光),中國將怎么獲取到存儲的核心技術(shù)?JV是一個好選擇么?

換種方式,假設(shè)中國真不能買到美光,又能否獲得美光的相關(guān)Flash技術(shù)授權(quán)?市場是也有傳言中國將會和美光簽訂相關(guān)的合作協(xié)議。

IC Insight的分析師認為,由于美國、日本和韓國等的層層阻撓,中國是不可能輕易能收購到這些國家的企業(yè),甚至相關(guān)合作也會是困難重重,所以中國獲得先進的NVM技術(shù)和先進DRAM技術(shù)的過程,一定是困難重重的。

他還指出,根據(jù)存儲的發(fā)展規(guī)律,現(xiàn)在似乎也進入了存儲產(chǎn)業(yè)的周期性轉(zhuǎn)移階段,中國能否效仿當(dāng)年的韓國從日本手上搶來存儲產(chǎn)業(yè),將同樣的故事在韓國的身上重演,我們保留觀察。但我們眼見的就是中國臺灣在過去二十年的存儲嘗試是失敗的。 

從現(xiàn)狀看來,授權(quán)應(yīng)該是中國獲得相關(guān)技術(shù)的最可行方式了。專利授權(quán)是最好的一個途徑。而根據(jù)中國過往的產(chǎn)業(yè)發(fā)展經(jīng)驗,這也是有成功經(jīng)驗可參考的。 

例如美光曾經(jīng)將一些專利賣給了技術(shù)研究機構(gòu)和專利授權(quán)公司Round Rock Research LLC,他們擁有豐富的產(chǎn)品線,而產(chǎn)品布局也貫穿整個亞洲、美洲和歐洲。這是中國可以獲取專利的一個方向。

另外,美光還和很多企業(yè)有交叉授權(quán),中間有些公司就能提供相關(guān)的授權(quán)服務(wù)。這些公司當(dāng)中就包括了Quatela Lynch McCurdy。

我們認為XMC遲早會獲得相關(guān)技術(shù)授權(quán),區(qū)別只是時間遲早、價格高低以及合作條件的問題。

至于具體會獲得哪些技術(shù),分析人士指出,美光的3D NAND FLASH是應(yīng)該沒問題的,但是在Intel和美光共同開發(fā)的3D Xpoint上。相關(guān)人士指出,現(xiàn)階段Intel是不會輕易點頭的。

但從某個角度看,這也并非是不可能。因為中國和這些跨國巨頭的合作非常緊密。

大家應(yīng)該還記得在2014年,Intel和紫光集團的一個深度的合作。所以一切都是有可能的。

中國DRAM的前景又如何?

據(jù)作者了解到,按照早期規(guī)劃,長江存儲原本是想既做Flash,又做DRAM的。但經(jīng)過了幾個月的運營,形勢逐漸明朗,長江存儲還是只專注于做NAND Flash。 

但是DRAM對中國來說,同樣重要,所以中國也不會忽視。另外跟FLASH相比,DRAM的供應(yīng)商更少,且專利什么的更集中,競爭對手少,但是強大。

聯(lián)電和福建政府打造的晉華項目,就是瞄準DRAM而去的。雙方的合作在今年五月份宣布的,這個合作是中國半導(dǎo)體建設(shè)的一個重要組成部分。 

根據(jù)合作協(xié)議,聯(lián)電會在臺灣成立一個百人規(guī)模的研發(fā)團隊,而福建晉華則提供研發(fā)所需的資金。根據(jù)分析人士透露,聯(lián)電本身對于進入DRAM是沒有什么興趣,但他們看好和中國合作伙伴共同推進先進技術(shù)后帶來的收益。

晉華項目將投資56.5億美元在晉江建立一個300mm晶圓廠,投入先進存儲技術(shù)的研發(fā)。計劃2018年9月試產(chǎn),并達到月產(chǎn)6萬片的規(guī)模。據(jù)透露,初期將會導(dǎo)入32nm制程。 

韓國等著,中國來啦

業(yè)界傳言,三星、SK海力士和美光之間有一個私下協(xié)議,就是聯(lián)手阻礙中國存儲的崛起。 

但是另外也有人指出,除三星外的其他供應(yīng)商對于三星長達十?dāng)?shù)年的存儲領(lǐng)先感到厭煩,他們希望聯(lián)合中國把三星拉下馬。

很多硅谷芯片專家也指出,如果在不久的將來,某個或幾個廠商和中國合作,目的就是為了打破三星的壟斷,這也不會讓人驚訝。 

韓國人,中國來了,做好準備吧! 

但對于中國存儲來說,就算拿到了技術(shù),未來還有很多路要走,因為他們的目標(biāo)是爬上第一陣型和領(lǐng)先廠商并駕齊驅(qū),甚至尋機超越。

而這則是一個漫長、艱苦且耗資巨大的過程。


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