《電子技術(shù)應(yīng)用》
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高速公路路徑識(shí)別卡低功耗SOC方案
2016年微型機(jī)與應(yīng)用第17期
李德建
北京智芯微電子科技有限公司,北京 100192
摘要: 高速公路多義性路徑識(shí)別卡,是以電子不停車收費(fèi)(ETC)系統(tǒng)所采用的5.8 GHz有源射頻方案為基礎(chǔ)實(shí)現(xiàn)的?,F(xiàn)有ETC車載單元(OBU)物理尺寸相對(duì)寬松,容許配備較大容量電池,對(duì)功耗要求不高,通常采用多顆芯片的系統(tǒng)級(jí)解決方案。這種方案在解決人工半自動(dòng)收費(fèi)(MTC)通道的路徑識(shí)別問(wèn)題時(shí)遇到了瓶頸。MTC對(duì)路徑卡厚度有明確的規(guī)定,這限制了電池尺寸,因此對(duì)系統(tǒng)功耗提出了很高的要求。在這種背景下,該文提出了一種針對(duì)MTC路徑識(shí)別卡的SOC方案,簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)傳輸路徑,細(xì)化電源管理,有效降低了芯片功耗。方案還預(yù)留了擴(kuò)展接口,便于以統(tǒng)一的架構(gòu)同時(shí)解決ETC通道的路徑識(shí)別問(wèn)題。
Abstract:
Key words :

  李德建
 ?。ū本┲切疚㈦娮涌萍加邢薰荆本?100192)

       摘要:高速公路多義性路徑識(shí)別卡,是以電子不停車收費(fèi)(ETC)系統(tǒng)所采用的5.8 GHz有源射頻方案為基礎(chǔ)實(shí)現(xiàn)的。現(xiàn)有ETC車載單元(OBU)物理尺寸相對(duì)寬松,容許配備較大容量電池,對(duì)功耗要求不高,通常采用多顆芯片的系統(tǒng)級(jí)解決方案。這種方案在解決人工半自動(dòng)收費(fèi)(MTC)通道的路徑識(shí)別問(wèn)題時(shí)遇到了瓶頸。MTC對(duì)路徑卡厚度有明確的規(guī)定,這限制了電池尺寸,因此對(duì)系統(tǒng)功耗提出了很高的要求。在這種背景下,該文提出了一種針對(duì)MTC路徑識(shí)別卡的SOC方案,簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)傳輸路徑,細(xì)化電源管理,有效降低了芯片功耗。方案還預(yù)留了擴(kuò)展接口,便于以統(tǒng)一的架構(gòu)同時(shí)解決ETC通道的路徑識(shí)別問(wèn)題。
  關(guān)鍵詞:智能交通; 路徑識(shí)別卡; 低功耗; SOC  

0引言
  近年來(lái),我國(guó)高速公路經(jīng)歷了快速發(fā)展,并實(shí)現(xiàn)了全國(guó)聯(lián)網(wǎng)收費(fèi)。隨著路網(wǎng)密度的增加,車輛在出口和入口之間可能存在多種行車路徑。為了精確判斷車行路徑,多義性路徑識(shí)別技術(shù)在現(xiàn)有電子不停車收費(fèi)(Electronic Toll Collection, ETC)系統(tǒng)的5.8 GHz有源射頻方案基礎(chǔ)上逐漸發(fā)展成熟,在盡可能利用原有頻率資源及通信協(xié)議的前提下,解決路徑識(shí)別問(wèn)題[1]。
  路經(jīng)識(shí)別的實(shí)現(xiàn)方式就是將射頻終端集成到車載單元(On Board Unit, OBU)或復(fù)合通行卡(Compound Pass Card, CPC)中,裝有OBU的ETC用戶從ETC通道進(jìn)入高速路網(wǎng),人工半自動(dòng)收費(fèi)(Manual Toll Collection, MTC)用戶從MTC車道領(lǐng)取CPC卡進(jìn)入路網(wǎng)。當(dāng)車輛攜帶CPC或OBU在高速公路行駛時(shí),接收來(lái)自路側(cè)單元(Road Side Unit, RSU)的標(biāo)識(shí)信息。在高速公路出口處,通過(guò)讀出車輛行經(jīng)RSU的標(biāo)識(shí)信息即可還原出車輛真實(shí)的行駛路徑,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)高速公路車輛行駛路徑的準(zhǔn)確識(shí)別[2]。
1需求分析
  由于對(duì)物理尺寸要求比較寬松,OBU通常使用高容量鋰電池作為主電源,電池額定容量達(dá)900~1 200 mAh,因此對(duì)功耗要求不高,通常采用多顆芯片的系統(tǒng)級(jí)的解決方案[3]。該方案的結(jié)構(gòu)如圖1所示。三顆芯片的互聯(lián)通過(guò)I2C或SPI等串行總線連接。
  

圖像 001.png

  對(duì)于5.8 GHz射頻數(shù)據(jù)的交換,由于射頻芯片不具備對(duì)通信協(xié)議的處理能力,數(shù)據(jù)包解析及響應(yīng)等功能都必須由主控芯片完成。這就引入了額外的數(shù)據(jù)緩存、中斷處理、串并/并串變換等冗余操作。這不僅增加了系統(tǒng)成本,更重要的是引入了許多不必要的功耗。同時(shí),由于這些冗余操作會(huì)使系統(tǒng)對(duì)數(shù)據(jù)包響應(yīng)變慢,為了能夠滿足系統(tǒng)對(duì)實(shí)時(shí)性(車輛高速行駛)的需求,主控芯片需要更早被喚醒進(jìn)入待機(jī)狀態(tài),這又進(jìn)一步加重了系統(tǒng)功耗的負(fù)擔(dān)。
  另外,5.8 GHz射頻數(shù)據(jù)和IC卡標(biāo)簽之間所有數(shù)據(jù)交互必須通過(guò)主控中介完成。這也會(huì)增加主控芯片上電工作的時(shí)間,特別是在主控芯片通常為多功能通用型芯片時(shí),更多無(wú)意義的功耗在這個(gè)階段被引入。在單純ETC應(yīng)用中,由于只有在高速出入口時(shí)會(huì)發(fā)生射頻芯片和IC卡標(biāo)簽交換數(shù)據(jù),這個(gè)問(wèn)題并不嚴(yán)重[4]??墒强紤]路徑識(shí)別,則芯片需要全程多次被喚醒記錄路徑信息,這個(gè)功耗損失就不可忽視了。
  MTC的路徑識(shí)別卡要求卡片厚度小于5 mm,這使卡內(nèi)電池容量相對(duì)OBU大大減少,通常額定容量只有200~230 mAh。因此使用原有ETC方案移植或升級(jí)已很難滿足路徑卡使用年限大于5年的要求。而SOC由于具有高度集成的特征,同時(shí)有利于協(xié)同規(guī)劃數(shù)據(jù)通路和進(jìn)行精細(xì)電源管理,能夠很好地解決這一問(wèn)題。
2架構(gòu)設(shè)計(jì)
  針對(duì)前文所述問(wèn)題,本文設(shè)計(jì)的芯片采用共享存儲(chǔ)單元的總線架構(gòu),數(shù)據(jù)統(tǒng)一存儲(chǔ)于總線上的SRAM或EEPROM中,其他模塊均可以通過(guò)總線直接訪問(wèn)存儲(chǔ)器。并依據(jù)功能模塊和應(yīng)用場(chǎng)景劃分為6個(gè)可以獨(dú)立控制的電源域。其整體結(jié)構(gòu)框架如圖2所示。
  

圖像 002.png

  2.1電源域與功能模塊
  芯片中電源域劃分及電源域中主要模塊簡(jiǎn)述如下:
  VTAG: 該電源域使用磁場(chǎng)感應(yīng)電流供電。主要模塊為IC卡標(biāo)簽和EEPROM存儲(chǔ)器。IC卡標(biāo)簽實(shí)現(xiàn)ISO/IEC 14443 TYPEA標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議。除此之外,當(dāng)標(biāo)簽處于讀卡器磁場(chǎng)中可以正常工作時(shí),需給出中斷到外部檢測(cè)模塊。
  VDET: 該電源域直接使用主電池供電并處于常開(kāi)狀態(tài)。主要模塊為外部中斷監(jiān)測(cè),用以監(jiān)測(cè)來(lái)自IC卡標(biāo)簽的中斷并產(chǎn)生芯片上電復(fù)位信號(hào)。
  VPMU: 該電源域直接使用主電池供電。主要模塊為射頻喚醒和電源管理(PMU)。當(dāng)射頻喚醒打開(kāi)時(shí),它會(huì)檢測(cè)調(diào)制于5.8 GHz載波上的14 kHz方波信號(hào),并通知PMU啟動(dòng)芯片至工作狀態(tài)。PMU的主要功能即根據(jù)配置適時(shí)開(kāi)關(guān)各個(gè)功能模塊電源。
  VRX: 該電源域使用內(nèi)部LDO供電。主要模塊為射頻接收模擬前端,實(shí)現(xiàn)5.8 GHz射頻信號(hào)的下變頻及解調(diào)。
  VTX: 該電源域使用內(nèi)部LDO供電。主要模塊為射頻發(fā)射模擬前端,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)整形,調(diào)制發(fā)射。
  VDIG: 該電源域使用內(nèi)部LDO供電。所有數(shù)字邏輯都處于此電源域中,例如MCU、5.8 GHz數(shù)字基帶等。
  另外,I2C與SPI為預(yù)留擴(kuò)展接口,主要用于MCU周邊外設(shè)芯片以實(shí)現(xiàn)路徑識(shí)別OBU方案。這部分功能在MTC路徑卡應(yīng)用中可以禁用,內(nèi)部采用關(guān)閉時(shí)鐘的方式來(lái)避免功耗損失。
  2.2數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
  路徑信息的完整有效涉及到最終的費(fèi)用結(jié)算,因此相關(guān)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)需要使用非易失存儲(chǔ)器。根據(jù)路徑識(shí)別技術(shù)要求的規(guī)定,每個(gè)標(biāo)識(shí)點(diǎn)的路徑信息由2 B構(gòu)成,因此對(duì)它的存儲(chǔ)又存在每次寫入數(shù)據(jù)量小,但重復(fù)擦寫次數(shù)多的特點(diǎn)。綜合考慮,本方案采用片內(nèi)EEPROM做為主存儲(chǔ)單元。另外,考慮到MCU的執(zhí)行效率,以及SM4國(guó)密算法和CRC校驗(yàn)等對(duì)相對(duì)大量數(shù)據(jù)的處理需求,配備SRAM做為輔助存儲(chǔ)單元。其中EEPROM大小為32 KB。代碼段分配24 KB,用來(lái)存儲(chǔ)MCU啟動(dòng)程序,智能卡操作系統(tǒng)(Card Operation System, COS)以及解析符合GB/T 20851標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的專用短程通信技術(shù)(Dedicated Short Range Communication, DSRC)通信協(xié)議[5]。數(shù)據(jù)段分配8 KB,用來(lái)存儲(chǔ)路徑信息文件。通過(guò)地址譯碼,確保代碼段只能由MCU訪問(wèn);數(shù)據(jù)段則可以由數(shù)字基帶模塊、MCU模塊、IC卡標(biāo)簽?zāi)K訪問(wèn),以便路徑信息通過(guò)不同的數(shù)據(jù)通路寫入或者讀出。
  SRAM大小為4 KB,主要用做中間數(shù)據(jù)文件存儲(chǔ)及MCU緩存使用。
  2.3EEPROM電源方案
  EEPROM中的路徑信息在不同時(shí)刻可能會(huì)分別被5.8 GHz射頻模塊以及IC卡標(biāo)簽?zāi)K訪問(wèn)到。為了避免EEPROM及附屬電路全時(shí)使用電池供電,延長(zhǎng)電池使用壽命,對(duì)它的供電方案沒(méi)有采用單一電源,而是做了特殊處理。從圖2電源域的結(jié)構(gòu)可以看出,EEPROM置于VTAG 和VDIG兩個(gè)電源域的重疊區(qū)域。當(dāng)車輛在出入口與IC卡讀寫器交換數(shù)據(jù)時(shí),IC卡標(biāo)簽對(duì)EEPROM進(jìn)行讀寫,此時(shí)EEPROM切換至由讀卡器磁場(chǎng)感應(yīng)電流供電。當(dāng)車輛行駛在途中交換路徑信息時(shí),射頻基帶對(duì)EEPROM進(jìn)行讀寫,此時(shí)EEPROM切換至由電池供電。
  為實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo),本方案設(shè)計(jì)了電源切換電路(Power Switch)。該電路缺省使用線圈耦合電壓給EEPROM圖像 003.png供電。當(dāng)VDIG被打開(kāi)時(shí),EEPROM切換為由VDIG供電。其原理如圖3所示。
  2.4電源管理
  根據(jù)多義性路徑識(shí)別技術(shù)要求,MTC路徑卡的主要應(yīng)用場(chǎng)景如下:
  (1)高速入口:路徑卡上電,檢查電量,清除路徑信息,并寫入口信息;
  (2)途中:接收并記錄路徑信息;
  (3)高速出口:讀入口信息及路徑標(biāo)識(shí)信息,觸發(fā)路徑卡掉電。
  考慮這些應(yīng)用場(chǎng)景的需求以及芯片內(nèi)各個(gè)模塊相互之間的關(guān)系,定義了深度睡眠(DeepSleep)、睡眠(Sleep)、待機(jī)(Standby)、發(fā)送(Tx)、接收(Rx)等電源管理狀態(tài),各個(gè)狀態(tài)下模塊開(kāi)關(guān)如表1所示。

圖像 005.png

  由于IC卡標(biāo)簽的開(kāi)關(guān)狀態(tài)取決于是否存在外部磁場(chǎng),因此VTAG是獨(dú)立于上述5種電源管理狀態(tài)開(kāi)關(guān)的。考慮到路徑卡使用時(shí)只有高速出入口才有讀卡器設(shè)備,芯片設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)于VTAG在其他電源管理狀態(tài)下產(chǎn)生的中斷做了屏蔽處理。因此表1中只標(biāo)出了VTAG在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景下可能出現(xiàn)的情況。
  將芯片的具體行為與電源管理狀態(tài)對(duì)應(yīng)起來(lái),并分解到應(yīng)用場(chǎng)景之中,其具體描述如下:
  高速入口:芯片初始處于DeepSleep狀態(tài),只有VDET消耗微量漏電流。當(dāng)路徑卡置于IC卡讀卡器上時(shí),VTAG通過(guò)天線線圈耦合讀卡器發(fā)射的13.56 MHz載波供電。IC卡標(biāo)簽?zāi)K上電后,響應(yīng)讀卡器指令,清除舊路徑信息,并將入口信息寫入EEPROM。同時(shí),自動(dòng)產(chǎn)生預(yù)定形狀脈沖給外部中斷監(jiān)測(cè)模塊。外部中斷監(jiān)測(cè)模塊繼而產(chǎn)生上電復(fù)位信號(hào)給PMU,啟動(dòng)芯片進(jìn)入Standby狀態(tài)。MCU運(yùn)行并配置射頻接收前端參數(shù)等信息,啟動(dòng)射頻喚醒模塊,之后轉(zhuǎn)入Sleep狀態(tài)。
  途中:此時(shí)芯片處于Sleep狀態(tài),VPMU帶電,射頻喚醒模塊消耗μA級(jí)工作電流用以接收來(lái)自RSU的14 kHz射頻調(diào)制波。當(dāng)監(jiān)測(cè)到符合標(biāo)準(zhǔn)要求的14 kHz調(diào)制方波時(shí),射頻喚醒模塊通知PMU啟動(dòng)射頻Rx模塊,直接進(jìn)入Rx模式接收第一個(gè)數(shù)據(jù)包。Rx模塊對(duì)接收到的數(shù)據(jù)包進(jìn)行有效性檢查,如果校驗(yàn)錯(cuò)誤,則判斷為誤喚醒,由PMU記錄后重新轉(zhuǎn)入Sleep狀態(tài)。如果數(shù)據(jù)包正確,則進(jìn)入Standby狀態(tài)由MCU進(jìn)行通信協(xié)議解析并決定是否需要啟動(dòng)Tx模塊應(yīng)答。數(shù)據(jù)交換完成后,路徑信息被存儲(chǔ)到EEPROM,芯片重新進(jìn)入Sleep狀態(tài)。
  高速出口:此時(shí)芯片處于Sleep狀態(tài)。VTAG由線圈供電后,讀卡器將路徑信息讀出;同時(shí)IC卡標(biāo)簽產(chǎn)生脈沖,經(jīng)外部中斷監(jiān)測(cè)模塊處理以中斷形式通知PMU。PMU啟動(dòng)MCU,確認(rèn)當(dāng)前操作為真實(shí)出站行為,啟動(dòng)掉電程序,轉(zhuǎn)入DeepSleep狀態(tài)。
  電源管理模塊控制芯片在各個(gè)狀態(tài)間跳轉(zhuǎn)及跳轉(zhuǎn)條件的流程圖如圖4所示。
  

圖像 004.png

3結(jié)論
  本文提出了一種低功耗路徑識(shí)別卡單芯片SOC方案。該方案使用統(tǒng)一的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu),充分優(yōu)化了模塊間接口結(jié)構(gòu),減少了中間數(shù)據(jù)的重復(fù)存儲(chǔ),有效降低了芯片面積及整體功耗。另外,5.8 GHz射頻模塊和IC卡標(biāo)簽?zāi)K可以通過(guò)內(nèi)部總線交換數(shù)據(jù),極大便利了應(yīng)用擴(kuò)展。該方案還根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景,切分了多個(gè)電源域,并設(shè)計(jì)了專門的電源管理模塊進(jìn)行精細(xì)化控制,最大限度降低了不必要的功耗損失,是高速公路MTC路徑識(shí)別卡的理想SOC方案。
  芯片預(yù)留了擴(kuò)展接口,可以擴(kuò)展IC卡讀寫芯片以及其他簡(jiǎn)單外設(shè),因此同樣適用于帶有路徑識(shí)別的ETC車載單元設(shè)計(jì)。

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