半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機(jī)所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)（DP）。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí)，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級(jí)，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來(lái)到10納米甚至7納米時(shí)，基本上可以使用同樣的設(shè)備，似乎己無(wú)懸念，只是芯片的制造成本會(huì)迅速增加。然而到5納米時(shí)肯定是個(gè)坎，因?yàn)槿绻鸈UV不能準(zhǔn)備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)（FP），這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。
        而對(duì)于更先進(jìn)5納米生產(chǎn)線來(lái)說(shuō)，至今業(yè)界尚無(wú)關(guān)于它的投資估計(jì)。但是根據(jù)16/14納米的經(jīng)驗(yàn)，以每1000硅片需要1.5億至1.6億美元計(jì)，推測(cè)未來(lái)的5納米制程，因?yàn)榭赡芤玫紼UV光刻，每臺(tái)設(shè)備需約1億美元，因此它的投資肯定會(huì)大大超過(guò)之前。所以未來(lái)建設(shè)一條芯片生產(chǎn)線需要100億美元是完全有可能的。
        生產(chǎn)線的量產(chǎn)是個(gè)系統(tǒng)工程，需要材料、設(shè)備、晶體管結(jié)構(gòu)、EDA工具等與之配套，對(duì)于半導(dǎo)體業(yè)是個(gè)更大的挑戰(zhàn)。
        新的晶體管型式，加上掩膜、圖形、材料、工藝控制及互連等一系列問題，將導(dǎo)致未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)將面臨許多的困難。
        在近期的會(huì)議上，Intel發(fā)布的一份報(bào)告引起了業(yè)界關(guān)注，并進(jìn)一步推動(dòng)業(yè)界開始思考未來(lái)先進(jìn)工藝制程的發(fā)展方向。
        Intel公司提出的下一代晶體管結(jié)構(gòu)是納米線FET，這是一種晶體管的一面讓柵包圍的finFET。Intel的納米線FET有時(shí)被稱為環(huán)柵FET，并己被國(guó)際工藝路線圖ITRS定義為可實(shí)現(xiàn)5納米的工藝技術(shù)。
        如果Intel不是走在前列，也就不可能提供其5納米進(jìn)展的訊息。該報(bào)告似乎傳遞出一個(gè)信號(hào)，5納米可能有希望實(shí)現(xiàn)，或者已經(jīng)在其工藝路線圖中采用了新的晶體管結(jié)構(gòu)。
        在5納米的競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電也不甘落后，其共同執(zhí)行長(zhǎng)Mark Liu近期也表示，己經(jīng)開始對(duì)5納米的研發(fā)，并有望在7納米之后兩年推出。全球其他先進(jìn)制程制造商也都在關(guān)注5納米。
        不用懷疑，芯片制造商只看到采用如今的finFET技術(shù)有可能延伸至7納米，至于5納米尚不清楚，或者有可能最終并不能實(shí)現(xiàn)。實(shí)際上，在5納米時(shí)，的確有許多技術(shù)上的挑戰(zhàn)，導(dǎo)致成本之高，讓人們無(wú)法預(yù)計(jì)。
        但是如果假設(shè)5納米出現(xiàn)在某個(gè)時(shí)刻，那么產(chǎn)業(yè)界將面臨眾多的難題。應(yīng)用材料公司先進(jìn)圖形技術(shù)部副總裁Mehdi Vaez-ravani認(rèn)為，這其中每一項(xiàng)都是挑戰(zhàn)，有物理和靈敏度的要求，也有新材料方面的需求，其中晶體管的結(jié)構(gòu)必須改變。
        如果產(chǎn)業(yè)真的邁向5納米，將面臨什么樣的挑戰(zhàn)？美國(guó)半導(dǎo)體工程（Semiconductor Engineering）為了推動(dòng)進(jìn)步，從眾多挑戰(zhàn)中匯總了以下幾個(gè)方面。
        Lam Research全球產(chǎn)品部首席技術(shù)官泮陽(yáng)（Yang Pan）認(rèn)為，在通向5納米時(shí)，功能與成本是無(wú)法躲避的最大挑戰(zhàn)，所以要引入新的技術(shù)與材料。
        晶體管結(jié)構(gòu)
        在finFET或者納米線FET之間選擇誰(shuí)會(huì)勝利還為時(shí)尚早，業(yè)界正試圖尋求更多的解決方案。
        首先芯片制造商必須要做一些困難的決定，其中之一就是必須選擇在5納米時(shí)晶體管的結(jié)構(gòu)，如今有兩種可供選擇，finFET或者納米線FET。
        格羅方德先進(jìn)器件架構(gòu)總監(jiān)及院士Srinivasa Banna認(rèn)為，對(duì)于5納米，finFET是一種選擇。顯然其從產(chǎn)業(yè)角度希望盡可能延伸finFET技術(shù)。眾所周知，產(chǎn)業(yè)界為了finFET的生態(tài)鏈己經(jīng)投了許多錢，因此從投資回報(bào)率角度上，希望finFET技術(shù)能用得更久。
        然而縮小finFET技術(shù)至5納米是個(gè)挑戰(zhàn)，因?yàn)樵?納米finFET時(shí)，預(yù)計(jì)鰭的寬度是5納米，而實(shí)際上這種結(jié)構(gòu)己經(jīng)達(dá)到理論極限。
        Banna說(shuō)，這也是芯片制造商正在開發(fā)納米線FET的原因。納米線有很好的靜電優(yōu)勢(shì)（CMOS有靜電擊穿問題），但是也帶來(lái)許多問題，如納米線的器件寬度及器件能有多大的驅(qū)動(dòng)電流，這些業(yè)界都在摸索之中。
        三星先進(jìn)邏輯實(shí)驗(yàn)室高級(jí)副總裁Rodder認(rèn)為，直到今天，對(duì)于5納米來(lái)說(shuō)，在finFET或者納米線FET之間選擇誰(shuí)會(huì)是勝利者還為時(shí)尚早，因?yàn)闃I(yè)界正試圖尋求更多的解決方案。
        掩膜制造
        掩膜的類型將由光刻工藝是采用光學(xué)光刻還是EUV來(lái)決定。掩膜的寫入時(shí)間是最大的挑戰(zhàn)。
        在芯片制造工藝流程中，掩膜制造是首步工藝之一。過(guò)去是光刻技術(shù)來(lái)決定掩膜的型式及規(guī)格。而到5納米時(shí)，掩膜的類型將由光刻工藝是采用光學(xué)光刻還是EUV來(lái)決定。
        做5納米的光學(xué)掩膜是令人害怕的，同樣EUV的掩膜也十分困難。D2S首席執(zhí)行官Aki Fujimura認(rèn)為，EUV掩膜在很多方面與193i掩膜不一樣。因?yàn)樗泻艽蟮母淖?，?duì)于每個(gè)產(chǎn)品的特性或者功能，在供應(yīng)鏈中會(huì)產(chǎn)生很大影響，其中包括光刻膠、掩膜及中間掩膜，也涉及制造設(shè)備，如采用電子束寫入設(shè)備以及軟件。
        盡管EUV掩膜在有些方面已取得進(jìn)展，但是還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，其中空白掩膜的檢查是個(gè)難點(diǎn)。至今EUV掩膜及中間掩膜的相關(guān)問題仍有待解決。
在5納米時(shí)，掩膜的寫入時(shí)間是最大的挑戰(zhàn)。因?yàn)榻裉斓膯坞娮邮鴮懭朐O(shè)備在做復(fù)雜圖形時(shí)的出貨不夠快，費(fèi)時(shí)太久。
        目前有兩個(gè)公司在致力于解決掩膜寫入問題，一個(gè)是IMS/JEOL duo，另一個(gè)是Nuflare，它們正采用新型的多束電子束寫入技術(shù)，目標(biāo)都是為了縮短寫入時(shí)間，有望在2016年發(fā)貨。
        從己經(jīng)出爐的報(bào)告來(lái)看，由于技術(shù)原因，設(shè)備的研發(fā)用了比預(yù)期長(zhǎng)得多的時(shí)間。D2S的Fujimura說(shuō)，任何突破性的創(chuàng)新技術(shù)從研發(fā)到成功，再達(dá)到量產(chǎn)水平，都是如此。
        圖形
        真正的關(guān)鍵層（critical layers）才需要采用EUV，未來(lái)combined混合模式光刻是趨勢(shì)。
        掩膜完成之后，將在生產(chǎn)線中使用。掩膜放在光刻機(jī)中，然后通過(guò)掩膜的投影光線把圖形留在硅片的光刻膠上面。
        理論上看，EUV的光刻工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，可以節(jié)省成本。但是即便EUV在7納米或者5納米時(shí)準(zhǔn)備好，從芯片制造商角度尚離不開多次圖形曝光技術(shù)。因?yàn)檎嬲年P(guān)鍵層（critical layers）才需要采用EUV，所以未來(lái)combined混合模式光刻是趨勢(shì)。
        在5納米時(shí)，圖形的形成是很大的挑戰(zhàn)。為此芯片制造商希望EUV光刻能在7納米或者5納米時(shí)準(zhǔn)備好。然而目前EUV光刻機(jī)尚未真正達(dá)到量產(chǎn)水平，其光源功率、光刻膠以及掩膜的供應(yīng)鏈尚未完善。
        如果EUV光刻在7納米或者5納米時(shí)不能達(dá)到量產(chǎn)要求，芯片制造商會(huì)面臨窘境。盡管193i光刻有可能延伸至7納米及以下，但是芯片制造成本的上升可能讓人無(wú)法接受。
        在5納米時(shí)，采用EUV肯定比193i方法便宜，但是由于EUV光刻供應(yīng)鏈大的改變，必須在整個(gè)工藝制造中新建供應(yīng)鏈，其代價(jià)也高得驚人，全球只有極少數(shù)公司能承受。
        Mentor Graphics經(jīng)理David Abercrombie認(rèn)為，在5納米時(shí)，芯片制造商可能會(huì)采用不協(xié)調(diào)的混合策略，EUV的到來(lái)并不表示多次圖形曝光技術(shù)的結(jié)束。在5納米時(shí)，即便EUV己準(zhǔn)備好，也非常有可能根據(jù)線寬的不同要求采用混用模式，即分別有193i單次及多次圖形曝光，單次EUV及EUV也很有可能要采用多次圖形曝光技術(shù)。
        這一切都由不同的工藝尺寸來(lái)決定，對(duì)于那些簡(jiǎn)單、大尺寸的光刻層會(huì)采用193i單次圖形曝光。相信至少兩次圖形曝光193i 2LE比單次EUV光刻要省錢，在三次圖形曝光技術(shù)193i 3LE中對(duì)于有些層非?？赡軙?huì)更省錢，自對(duì)準(zhǔn)的兩次圖形曝光（SADP）也比單次EUV光刻便宜。只有到4LE 或者5LE時(shí)，EUV才有優(yōu)勢(shì)。所以對(duì)應(yīng)于不同尺寸的光刻層要采用相應(yīng)的方法，EUV光刻有可能作為自對(duì)準(zhǔn)的四次圖形曝光技術(shù)（SAQP）的替代品。
        當(dāng)EUV延伸至7納米以下時(shí)，作為一種提高光刻機(jī)放大倍率的方法，需要大數(shù)值孔徑的鏡頭（NA），為此ASML已經(jīng)開發(fā)了一種變形鏡頭。它的兩軸EUV鏡頭在掃描模式下能支持8倍放大，而在其他模式下也有4倍，因此NA要達(dá)0.5至0.6。
        由此帶來(lái)的問題是EUV光刻機(jī)的吞吐量矛盾，它的曝光硅片僅為全場(chǎng)尺寸的一半，與今天EUV光刻機(jī)能進(jìn)行全場(chǎng)尺寸的曝光不一樣。
        Mentor的Abercrombie說(shuō)，問題擺在眼前，假設(shè)EUV錯(cuò)失5納米機(jī)會(huì)，或者技術(shù)最終失敗，要如何完成5納米？業(yè)界只能綜合采用更嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則及更復(fù)雜的多次圖形曝光技術(shù)。非常可能是五次圖形曝光技術(shù)5LE、把多次圖形曝光技術(shù)的線寬再次分半的自對(duì)準(zhǔn)的四次圖形光刻技術(shù)（SAQP），因此工藝之中會(huì)有更多的圖形需要采用多次圖形曝光技術(shù)，無(wú)疑將導(dǎo)致成本及工藝循環(huán)周期的增加。
晶體管材料
        到5納米時(shí)，需要一個(gè)更有潛力的晶體管形式，包括能使電子或者空穴遷移率更快的新溝道材料等。
        另一個(gè)因素是晶體管的形成。目前芯片制造商在16nm/14nm包括10nm時(shí)都采用finFET結(jié)構(gòu)，但是也到了轉(zhuǎn)折階段。
        納米線FET的晶體管結(jié)構(gòu)的許多工藝步驟與finFET一樣。在納米線FET中，納米線從源穿過(guò)柵層一直到漏。開初的納米線FET可能由三個(gè)堆疊線組成。
        Lam的泮認(rèn)為，到5納米時(shí)，需要一個(gè)更有潛力的晶體管形式，包括能使電子或者空穴遷移率更快的新溝道材料等。為了降低器件的功耗及提高它的頻率而采用的新技術(shù)，必須能減少接觸電阻及寄生電容。
        以Intel提出的納米線FET為例。在實(shí)驗(yàn)室中，他們?cè)囼?yàn)了相比硅材料更優(yōu)的多種不同的溝道材料。如為了增大驅(qū)動(dòng)電流，采用鍺的溝道材料，用在NMOS及PMOS晶體管中都是不錯(cuò)的。同樣為了減少電容及降低功耗，可以把鍺材料用在PMOS中，以及把III-V族材料用在NMOS中。
        互連
        每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上的問題都在不斷升級(jí)，業(yè)界正在開發(fā)不同的材料來(lái)解決互連問題。
        互連的問題是什么？應(yīng)用材料公司的策略計(jì)劃部資深總監(jiān)Micheal Chudzik說(shuō)，III-V族、富鍺及純鍺都有禁帶寬度的問題，如漏電流變大。鍺與III-V族材料在柵堆結(jié)構(gòu)中有可靠性問題，至今未解決。
        晶體管制成后，下面是后道工藝，引線互連是器件所必須的。由于采用通孔技術(shù)，器件的引線之間非?？拷瑫?huì)由于電阻電容的RC振蕩而導(dǎo)致芯片的延遲。
        每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上的問題都在不斷升級(jí)，業(yè)界正在開發(fā)不同的材料來(lái)解決互連問題，但是當(dāng)在7納米及以下時(shí)，目前尚無(wú)更好的解決辦法。
        IMEC工藝技術(shù)和邏輯器件研發(fā)部副總裁Aaron Thean說(shuō)，未來(lái)最大的改變是在后道工藝中也需要采用多次圖形曝光技術(shù)，因此后道的成本將像火箭一樣上升。這表明，在推動(dòng)下一代工藝節(jié)點(diǎn)時(shí)，成本變成每個(gè)人必須面對(duì)的問題。
        除非在后道工藝中有大的突破，否則在5納米時(shí)問題將越來(lái)越復(fù)雜。越來(lái)越多的層級(jí)需要采用多次圖形曝光技術(shù)，原先認(rèn)為相對(duì)簡(jiǎn)單的后道工藝也很難應(yīng)對(duì)。
        工藝控制
        產(chǎn)業(yè)界開始采用多朿電子束檢查設(shè)備，但是此項(xiàng)技術(shù)可能到2020年時(shí)也準(zhǔn)備不好。
        芯片制造工藝流程中有許多工藝檢查點(diǎn)，未來(lái)會(huì)不會(huì)是挑戰(zhàn)？光學(xué)檢驗(yàn)在生產(chǎn)線中仍是主力軍，但是在20納米及以下時(shí)，缺陷檢測(cè)開始有困難。使用電子束技術(shù)能檢測(cè)微小缺陷，然而受目前的技術(shù)限制，速度太慢。為了解決這些問題，產(chǎn)業(yè)界開始采用多朿電子束檢查設(shè)備，但是此項(xiàng)技術(shù)可能到2020年時(shí)也準(zhǔn)備不好。
        那么7納米與5納米的解決方案在哪里？Vaez-Iravani說(shuō)，實(shí)際上未來(lái)生產(chǎn)線中光學(xué)與電子束兩種檢查設(shè)備都必須準(zhǔn)備好。
工藝檢測(cè)也是需要面對(duì)的問題。在一條生產(chǎn)線中檢測(cè)點(diǎn)有許許多多，也不可能由一種設(shè)備全部解決，芯片制造商必須使用多種不同的檢測(cè)設(shè)備。KLA-Tencor圖形市場(chǎng)部副總裁Ady Levy說(shuō)，當(dāng)IC設(shè)計(jì)由一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)向下一個(gè)邁進(jìn)時(shí)，計(jì)量檢測(cè)設(shè)備同樣面臨挑戰(zhàn)。不管是光學(xué)或是電子束設(shè)備，都必須考慮它的信號(hào)與噪聲比、測(cè)量精度、使用是否方便，以及在量產(chǎn)中是否有它的價(jià)值與地位。
        Lam的泮說(shuō)，還有挑戰(zhàn)在等著我們。由于表面的散射效應(yīng)、高線和通孔及更大的變異等，將推動(dòng)業(yè)界采用低電阻率金屬層，同時(shí)開發(fā)工藝解決方案要求更嚴(yán)的工藝控制。采用下一代光刻EUV或者延伸多次圖形曝光技術(shù)等，以及下一代器件實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)性的量產(chǎn)，都需要有更嚴(yán)的工藝控制，以實(shí)現(xiàn)可接受的成品率，當(dāng)然還包括面對(duì)成本的挑戰(zhàn)。