TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在平均銷售單價下滑幅度明顯高于位元出貨量成長的情況下，第一季NAND Flash品牌商營收較去年第四季下滑2.9%，已連續(xù)兩個季衰退。

　　2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過于求影響，通路顆粒合約價下滑約10%；智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級固態(tài)硬碟(SSD)跌價幅度擴(kuò)大至13~18%。

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在平均銷售單價下滑幅度明顯高于位元出貨量成長的情況下，第一季NAND Flash品牌商營收較去年第四季下滑2.9%，已連續(xù)兩個季衰退。

　 　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆衲晗M(fèi)性電子產(chǎn)品市場持續(xù)衰退，因此需求端的成長只能透過平均容量(Content Per Box)的增加，然而在2D-NAND制程轉(zhuǎn)進(jìn)逼近最后世代、3D-NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)不斷遞延的情況下，成本降低的幅度有限，今年NAND Flash制造商將面臨營收成長趨緩的挑戰(zhàn)。

　 　以各家廠商來看，三星電子(Samsung)受惠于高容量企業(yè)級固態(tài)硬碟的亮麗表現(xiàn)，有效減緩消費(fèi)型產(chǎn)品出貨低迷的沖擊。第一季位元出貨量單季成長約 9%，平均銷售單價也僅下滑6~8%，因此三星電子第一季營收較去年第四季微幅增加1.2%，NAND Flash產(chǎn)品的營業(yè)利益率也較上季提升。

　 　隨筆記型電腦固態(tài)硬碟滲透率持續(xù)提升與資料中心對固態(tài)硬碟的需求增加，三星電子今年NAND Flash重點(diǎn)布局依舊鎖定在固態(tài)硬碟，DRAMeXchange預(yù)估2016年三星電子NAND Flash的位元成長率在3D-NAND Flash的比重持續(xù)增加下，將優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水準(zhǔn)。

　　東芝電子(Toshiba)由于營運(yùn)面臨外在壓力，東芝在2015會計(jì)年度第四季 (1~3月)結(jié)束前積極去化庫存，因此第一季位元出貨量較上一季大幅增加20~25%，然而第一季智慧型手機(jī)出貨不振，造成零組件平均銷售單價下滑 13-15%。東芝電子營收季成長12%，而營業(yè)利益率也約略持平。

　　東芝電子15奈米產(chǎn)出比重在第一季超越70%，TLC產(chǎn)出比重也超 過40%，48層堆疊的3D-NAND Flash將在下半年開始送樣測試。東芝集團(tuán)未來將集中資源在NAND Flash項(xiàng)目上，且3D-NAND Flash所需設(shè)備投入與資金將比2D-NAND Flash多，DRAMeXchange預(yù)估2016年東芝電子資本支出將較去年增加20%以上。

晟碟(SanDisk)第一季嵌入式產(chǎn)品線因主要大客戶庫存調(diào)整的影響，營收大幅衰退逾30%，然而隨著用戶級固態(tài)硬碟產(chǎn)品開始觸底反彈，及企業(yè)級 固態(tài)硬碟在幾個主要資料中心業(yè)者的出貨開始增加，第一季位元出貨量僅季衰退6%，平均銷售單價與成本則分別下滑8%與6%，整體產(chǎn)品營收下滑6.8%，毛 利率維持40%。

　　企業(yè)級固態(tài)硬碟快速導(dǎo)入15奈米與增加NVMe的產(chǎn)品線為晟碟之后的布局重點(diǎn)，用戶級固態(tài)硬碟則著眼于15奈米TLC 的導(dǎo)入，整體產(chǎn)品成本可望下滑，嵌入式產(chǎn)品線持續(xù)拓展15奈米TLC在旗艦智慧型手機(jī)的應(yīng)用。此外在生產(chǎn)端上，晟碟今年六月底前將微幅增加5%的晶圓產(chǎn) 出，3D-NAND Flas則預(yù)計(jì)年底前占整體投片量15%。

　　SK海力士(Hynix)受到第一季智慧型手機(jī)主要策略客戶拉貨減弱的 影響，平均銷售單價下滑12%，出貨量下降11%，營收大幅滑落約24%至6.41億美元，表現(xiàn)持續(xù)疲軟。在第一季基期較低且第二季開始中國新款智慧型手 機(jī)的備貨需求下，SK海力士第二季位元出貨成長率將有30%以上的增幅。

　　SK海力士14奈米轉(zhuǎn)進(jìn)為下個階段2D-NAND Flash的重點(diǎn)，3D-NAND Flash的進(jìn)度也持續(xù)進(jìn)行，除現(xiàn)今MLC版本的3D-NAND Flash開始導(dǎo)入高容量的UFS和eMMC外，TLC版本的3D-NAND Flash預(yù)計(jì)第三季末可供樣本予客戶測試。今年3D-NAND Flash依舊在M12廠生產(chǎn)外，M14廠生產(chǎn)3D-NAND Flash的進(jìn)度也將自明年啟動。

　　美光(Micron) 2016會計(jì)年度第二季(12~2月)非揮發(fā)性記憶體(Non-Volatile)出貨位元季成長11%，但由于營收多來自于易受市場波動影響的零組件銷售，因此整體營收季衰退6.9%至10.74億元。

　 　美光新加坡廠轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND Flash的進(jìn)度加快，F(xiàn)ab10X新廠目前機(jī)臺設(shè)備開始移入準(zhǔn)備下半年的量產(chǎn)。3D-NAND Flash的進(jìn)度上，美光已將用戶級固態(tài)硬碟送樣給各大PC-OEMs業(yè)者測試，預(yù)期年底前3D-NAND Flash的產(chǎn)出占比將達(dá)50%。產(chǎn)品組合上，晶圓與顆粒的銷售比重微幅增加，維持超過50%的水準(zhǔn)，Mobile NAND約占10-15%，固態(tài)硬碟則約15%，其他部分多屬車用、網(wǎng)通與工控類產(chǎn)品。

　　英特爾(Intel)由于第一季整體NAND Flash市場呈供過于求，加上其他NAND Flash業(yè)者也積極搶進(jìn)企業(yè)級固態(tài)硬碟市場，使英特爾營收季衰退16%至5.57億美元；而平均銷售單價下滑幅度大于成本下降，營業(yè)利益率也由盈轉(zhuǎn)虧。

　 　現(xiàn)階段英特爾主要產(chǎn)品為16奈米MLC為主，3D-NAND Flash的企業(yè)級固態(tài)硬碟在第二季開始送樣給全球資料中心業(yè)者測試，預(yù)計(jì)今年下半年可量產(chǎn)出貨。3D-XPoint也持續(xù)開發(fā)中，2017年上半年可開 始送樣測試。大連廠3D-NAND Flash機(jī)臺設(shè)備已開始移入，預(yù)計(jì)第三季開始試產(chǎn)，第四季可量產(chǎn)出貨。