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円星科技開發(fā)臺積電28HPC+ ULL SRAM Compiler IP解決方案

進軍智能裝置芯片市場
2016-03-15

  臺灣新竹-2015年3月14日-全球精品IP開發(fā)商円星科技(M31 Technology)今天宣布,已完成在臺積電28HPC+ ULL SRAM Compiler IP解決方案,可協(xié)助系統(tǒng)芯片設計人員利用功耗與效能的優(yōu)勢,進行更具成本效益的SoC設計開發(fā)。

  円星科技董事長林孝平表示:「円星科技已開發(fā)一系列在臺積電28HPC+制程的IP解決方案。其中,所開發(fā)的臺積電28HPC+ ULL SRAM CompilerIP,具有低功耗的特性,加上Green Low Power 的獨有設計, 預計將于2016年第一季完成開發(fā),為客戶提供完整低功耗IP解決方案?!?/p>

  臺積電設計建構營銷事業(yè)處資深處長Suk Lee表示:「采用臺積電28HPC+制程,業(yè)者在相同功耗下可進行較高速度的設計開發(fā);在相同速度的設計過程中可降低漏電流。未來藉由臺積電極具競爭力的28HPC+制程技術與円星科技攜手合作,將協(xié)助客戶開發(fā)各式智能裝置的應用產品?!?/p>

  円星科技在臺積電28HPC+開發(fā)的IP,包括完整的低功耗(Green Low Power)內存編譯程序平臺,如一端口緩存器檔案 (One Port Register File) 、二端口緩存器檔案(Two Port Register File)、高密度單端口 SRAM 編譯程序 (High Density Single Port SRAM Compiler) 、高密度雙端口 SRAM 編譯程序 (High Density Dual Port SRAM Compiler) 以及 高密度VIA ROM編譯程序 (High Density VIA ROM Compiler)。円星科技在臺積電28HPC+開發(fā)的內存編譯程序皆具備節(jié)能模式, 用戶可依據(jù)不同操作狀態(tài),切換到當下最佳省電模式,來延長行動組件電池的使用時間。

  在標準組件庫(Standard Cell Library)使用上,搭配特有的低耗電最佳設計模型( Low Power Optimization Kit) 以及電源控制模塊( Power Management Kit),可提供使用者進行高速,以及低功耗的設計。這些省電模式適用的標準組件庫包括:7軌道高密度組件庫(7-Track, High Density Library),9軌道通用型組件庫(9-Track, General Purpose Library),12軌道高速型組件庫(12-Track, Ultra-High Speed Library)。

  此外,円星科技亦針對廣大USB相關應用、固態(tài)硬盤(SSD)市場、行動裝置以及通用閃存(UFS)應用,開發(fā)各式差異化的28HPC+高速接口IP解決方案,包括USB、PCIe、MIPI D-PHY與M-PHY等IP,解決了當今主流智能裝置中各種芯片互連的需求。

  透過円星科技開發(fā)的臺積電28HPC+IP解決方案,協(xié)助芯片設計業(yè)者實現(xiàn)更低功耗、更高效能以及較小面積的設計,客戶可進行各式智能裝置的產品設計,包括手機影音、無人機/車、車用電子、GPS定位等應用產品。


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