鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，或FeRAM）在1990年代中期被認(rèn)為將成為主流技術(shù)，但至今仍與其他眾多新存儲(chǔ)器技術(shù)一樣，并沒(méi)有如預(yù)期般迅速崛起。FRAM 的內(nèi)部運(yùn)作原理類似DRAM，有媲美SRAM的高速度以及如同快閃存儲(chǔ)器的非揮發(fā)性；在1980年代首個(gè)成功的FRAM電路問(wèn)世，其通用功能就被認(rèn)為可以 在許多應(yīng)用中取代DRAM、SRAM與EEPROM。
　　“那樣的情況就是沒(méi)有發(fā)生，”半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師Jim Handy （來(lái)自O(shè)bjective Analysis）在Cypress收購(gòu)FRAM供應(yīng)商Ramtron時(shí)表示：“該技術(shù)總是比生產(chǎn)傳統(tǒng)存儲(chǔ)器更昂貴?！弊?980年代晚期，F(xiàn)RAM開(kāi)發(fā)商因?yàn)閷?duì)鐵店材料的物理特性了解有限，而遭遇了各種問(wèn)題；其中有很多與其他具潛力的、開(kāi)發(fā)中的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器所面臨之問(wèn)題類似，例如磁阻式存儲(chǔ)器 （MRAM）、電阻式存儲(chǔ)器（RRAM）以及相變化存儲(chǔ)器（PCM）。
　　盡管一路顛簸，F(xiàn)RAM目前已經(jīng)商業(yè)化量產(chǎn)，有適合多種應(yīng)用的不同產(chǎn)品線。Handy 在最近表示，有人觀察到：“ FRAM是未來(lái)的技術(shù)，而且注定要維持那樣的模式；FRAM在某一段時(shí)間在某些方面是有潛力的，但還沒(méi)有真正走向主流?！?br/>　　如同所有的存儲(chǔ)器技術(shù)，成本是開(kāi)拓市場(chǎng)的一大障礙；FRAM需要一層沉積在標(biāo)準(zhǔn)矽基板上的鈣鈦礦（Perovskite）晶體，鈣鈦礦晶體內(nèi)含的元素會(huì)干擾矽電晶體，因此需要一個(gè)障礙層隔離鈣鈦礦與下方的矽基板。Handy表示，這種結(jié)構(gòu)提高了FRAM元件的制造成本。
　　市場(chǎng)對(duì)FRAM確實(shí)有一些需求；根據(jù)Research and Markets 約一年前發(fā)布的市場(chǎng)研究報(bào)告預(yù)測(cè)，全球FRAM市場(chǎng)在2013~2018年間可達(dá)到16.4%的復(fù)合平均年成長(zhǎng)率（CAGR），其低功耗特性是推動(dòng)市場(chǎng)成長(zhǎng)的關(guān)鍵力量。
　　FRAM供應(yīng)商包括現(xiàn)在歸屬于Cypress的Ramtrom、德州儀器（TI）以及富士通半導(dǎo)體（Fujitsu），各家業(yè)者都擴(kuò)大了在FRAM硬件與軟件方面的研發(fā)投資，因此提升了FRAM的性能與效益，也擴(kuò)展了其應(yīng)用領(lǐng)域。。
　　雞生蛋還是蛋生雞的難題
　　富士通在2014年底最新發(fā)表的FRAM產(chǎn)品MB85RDP16LX是一款超低功耗元件，整合了二進(jìn)位功能，能對(duì)節(jié)省能源有所貢獻(xiàn)；該公司新產(chǎn)品鎖定的目標(biāo)市場(chǎng)是工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用，包括旋轉(zhuǎn)編碼器（rotary encoders）、馬達(dá)控制器以及傳感器。為符合工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng)需求，該元件支援-40~105 °C運(yùn)作溫度，保證10年無(wú)資料流失風(fēng)險(xiǎn)。
　　收購(gòu)了FRAM領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商Ramtron 的Cypress，一直致力以與SRAM相同的方式推廣該技術(shù)；該公司不久前發(fā)表了一系列4Mb串列式FRAM，根據(jù)Cypress非揮發(fā)性產(chǎn)品部門副總 裁Rainer Hoehler表示，新產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用是針對(duì)需要連續(xù)、頻繁高速資料讀寫(xiě)，而且對(duì)安全性敏感的應(yīng)用，包括工業(yè)控制與自動(dòng)化、工業(yè)讀表、多功能印表機(jī)、量測(cè) 設(shè)備，以及醫(yī)療用可穿戴式裝置。
　　Hoehler指出，上述系統(tǒng)需要高密度、高可靠性、高耐久性以及省電的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其他非揮發(fā)性技術(shù)如EEPROM與MRAM，性能皆無(wú)法與FRAM匹敵；他表示，F(xiàn)RAM的功耗僅有最先進(jìn)的EEPROM方案的30%，而且讀寫(xiě)耐久性可達(dá)1億次。
　　Handy則表示，F(xiàn)RAM與許多存儲(chǔ)器技術(shù)一樣，面臨“雞生蛋還是蛋生雞”的難題，更大的市場(chǎng)需求量才能讓制造成本降低，但是若要激勵(lì)需求，需要更低價(jià)格的FRAM。但盡管面臨這些挑戰(zhàn)，他認(rèn)為仍有一個(gè)可行的市場(chǎng)，讓供應(yīng)商們能專注于開(kāi)發(fā)FRAM的各種應(yīng)用。