《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 其他 > 業(yè)界動態(tài) > LAPIS Semiconductor開發(fā)出搭載超高速串行總線的鐵電存儲器

LAPIS Semiconductor開發(fā)出搭載超高速串行總線的鐵電存儲器

~實現(xiàn)業(yè)界頂級的最低工作電壓、工作頻率,有助于IoT領(lǐng)域的發(fā)展~
2016-02-24

 

1.jpg

      ROHM集團旗下的LAPIS Semiconductor公司(藍碧石半導(dǎo)體)面向需要高頻日志數(shù)據(jù)采集和緊急時的高速數(shù)據(jù)備份的智能儀表、醫(yī)療保健設(shè)備、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)等,開發(fā)出搭載串行總線的64Kbit鐵電存儲器注1(以下稱“FeRAM”)“MR44V064B / MR45V064B”。

  作為下一代非易失性存儲器而備受期待的FeRAM,與已普及的一般非易失性存儲器相比,具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”、“高擦寫耐久性”、“低功耗”的特點,因此,是一種有助于實現(xiàn)應(yīng)用的節(jié)電化和高性能化的器件。

  新產(chǎn)品不僅實現(xiàn)了業(yè)界頂級的1.8V最低工作電壓,而且2節(jié)鎳氫充電電池也可使用FeRAM。2節(jié)AAA充電電池可實現(xiàn)約11年的擦寫壽命(每秒擦寫64Kbit時)等優(yōu)勢,非常有助于應(yīng)用實現(xiàn)更長時間的驅(qū)動,還可擴大應(yīng)用到便攜設(shè)備和IoT領(lǐng)域。另外,支持的最大工作頻率高達40MHz(SPI總線),僅1.64msec即可完成64Kbit的數(shù)據(jù)擦寫,因此,即使系統(tǒng)發(fā)生異常也可進行超高速備份,從而保證數(shù)據(jù)的高可靠性。不僅如此,還具備兩種不同的串行總線(I2C總線、SPI總線),可靈活應(yīng)對客戶的系統(tǒng)規(guī)格。

  本產(chǎn)品已從2016年1月起開始量產(chǎn)銷售(樣品價格 500日元/個,不含稅)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠(京都市),后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)。

  今后,藍碧石半導(dǎo)體還會繼續(xù)開發(fā)省電且高性能的產(chǎn)品,不斷完善能夠滿足客戶需求的、具備各種容量和接口等的產(chǎn)品陣容。

 ?。急尘埃?/p>

  近年來,隨著節(jié)能化的發(fā)展趨勢,不僅車載、工業(yè)設(shè)備,幾乎在所有應(yīng)用中均要求實現(xiàn)整個系統(tǒng)的低電壓化。同時,隨著高性能化發(fā)展,數(shù)據(jù)量日益增加,還要求更高速地將信息讀取/寫入到存儲器。

  藍碧石半導(dǎo)體利用ROHM的鐵電存儲器制造技術(shù)和藍碧石半導(dǎo)體的存儲器設(shè)計技術(shù)雙重優(yōu)勢,從2011年開始 逐步擴充FeRAM系列產(chǎn)品。

2.jpg

  

proxy.jpg

<特點>

  1.最低工作電壓1.8V,可實現(xiàn)電池的長時間驅(qū)動

  利用ROHM的低功耗鐵電工藝技術(shù)優(yōu)勢,以及確保低電壓下選擇存儲器數(shù)據(jù)的晶體管柵極電位,實現(xiàn)了業(yè)界頂級的1.8V最低工作電壓。

  由此,僅2節(jié)鎳氫充電電池也可使用存儲器。例如,用2節(jié)AAA充電電池按每秒每次64Kbit(原稿紙約10張)持續(xù)進行數(shù)據(jù)擦寫,也可工作約11年,因此還可應(yīng)用于需要長時間電池驅(qū)動的IoT領(lǐng)域。

3.jpg

  2.實現(xiàn)業(yè)界頂級的高速工作

  通過減輕存儲數(shù)據(jù)的鐵電電容選擇時的選擇器負載,實現(xiàn)了超高速 存取。I2C支持業(yè)界頂級工作頻率3.4MHz的Hs-mode。SPI也支持業(yè)界頂級的高達40MHz的工作頻率,從而增強了FeRAM的優(yōu)勢之一----高速數(shù)據(jù)擦寫特點。

  64Kbit的數(shù)據(jù)擦寫時間僅需1.64msec,速度非常快,因此即使發(fā)生停電等意外電壓下降故障,也可在斷電前備份數(shù)據(jù),因此數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險非常低,無需配置用于應(yīng)對停電的延長供電的部件。非常適用于要求高速性且高數(shù)據(jù)保存安全性的應(yīng)用。

  【規(guī)格概要】

4.jpg

  【銷售計劃】

  -產(chǎn)品名                                          :MR44V064B  /  MR45V064B

  -量產(chǎn)銷售時間                                          :2016年1月起

  -量產(chǎn)銷售數(shù)量                                          :月產(chǎn)50萬個

  -樣品價格                                          :500日元/個(不含稅)

  【應(yīng)用領(lǐng)域】

  工業(yè)設(shè)備、汽車配件、醫(yī)療設(shè)備、便攜設(shè)備、IoT領(lǐng)域

  【術(shù)語解說】

  注1 鐵電存儲器

  鐵電存儲器(Ferroelectric Random Access Memory)是即使斷電也可保存存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器之一,

  存儲元件采用鐵電電容,具有高速數(shù)據(jù)擦寫、高擦寫耐久性以及低功耗的特點。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。