LAPIS Semiconductor開發(fā)出搭載超高速串行總線的鐵電存儲器
2016-02-24
ROHM集團旗下的LAPIS Semiconductor公司(藍碧石半導(dǎo)體)面向需要高頻日志數(shù)據(jù)采集和緊急時的高速數(shù)據(jù)備份的智能儀表、醫(yī)療保健設(shè)備、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)等,開發(fā)出搭載串行總線的64Kbit鐵電存儲器注1(以下稱“FeRAM”)“MR44V064B / MR45V064B”。
作為下一代非易失性存儲器而備受期待的FeRAM,與已普及的一般非易失性存儲器相比,具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”、“高擦寫耐久性”、“低功耗”的特點,因此,是一種有助于實現(xiàn)應(yīng)用的節(jié)電化和高性能化的器件。
新產(chǎn)品不僅實現(xiàn)了業(yè)界頂級的1.8V最低工作電壓,而且2節(jié)鎳氫充電電池也可使用FeRAM。2節(jié)AAA充電電池可實現(xiàn)約11年的擦寫壽命(每秒擦寫64Kbit時)等優(yōu)勢,非常有助于應(yīng)用實現(xiàn)更長時間的驅(qū)動,還可擴大應(yīng)用到便攜設(shè)備和IoT領(lǐng)域。另外,支持的最大工作頻率高達40MHz(SPI總線),僅1.64msec即可完成64Kbit的數(shù)據(jù)擦寫,因此,即使系統(tǒng)發(fā)生異常也可進行超高速備份,從而保證數(shù)據(jù)的高可靠性。不僅如此,還具備兩種不同的串行總線(I2C總線、SPI總線),可靈活應(yīng)對客戶的系統(tǒng)規(guī)格。
本產(chǎn)品已從2016年1月起開始量產(chǎn)銷售(樣品價格 500日元/個,不含稅)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠(京都市),后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)。
今后,藍碧石半導(dǎo)體還會繼續(xù)開發(fā)省電且高性能的產(chǎn)品,不斷完善能夠滿足客戶需求的、具備各種容量和接口等的產(chǎn)品陣容。
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近年來,隨著節(jié)能化的發(fā)展趨勢,不僅車載、工業(yè)設(shè)備,幾乎在所有應(yīng)用中均要求實現(xiàn)整個系統(tǒng)的低電壓化。同時,隨著高性能化發(fā)展,數(shù)據(jù)量日益增加,還要求更高速地將信息讀取/寫入到存儲器。
藍碧石半導(dǎo)體利用ROHM的鐵電存儲器制造技術(shù)和藍碧石半導(dǎo)體的存儲器設(shè)計技術(shù)雙重優(yōu)勢,從2011年開始 逐步擴充FeRAM系列產(chǎn)品。
<特點>
1.最低工作電壓1.8V,可實現(xiàn)電池的長時間驅(qū)動
利用ROHM的低功耗鐵電工藝技術(shù)優(yōu)勢,以及確保低電壓下選擇存儲器數(shù)據(jù)的晶體管柵極電位,實現(xiàn)了業(yè)界頂級的1.8V最低工作電壓。
由此,僅2節(jié)鎳氫充電電池也可使用存儲器。例如,用2節(jié)AAA充電電池按每秒每次64Kbit(原稿紙約10張)持續(xù)進行數(shù)據(jù)擦寫,也可工作約11年,因此還可應(yīng)用于需要長時間電池驅(qū)動的IoT領(lǐng)域。
2.實現(xiàn)業(yè)界頂級的高速工作
通過減輕存儲數(shù)據(jù)的鐵電電容選擇時的選擇器負載,實現(xiàn)了超高速 存取。I2C支持業(yè)界頂級工作頻率3.4MHz的Hs-mode。SPI也支持業(yè)界頂級的高達40MHz的工作頻率,從而增強了FeRAM的優(yōu)勢之一----高速數(shù)據(jù)擦寫特點。
64Kbit的數(shù)據(jù)擦寫時間僅需1.64msec,速度非常快,因此即使發(fā)生停電等意外電壓下降故障,也可在斷電前備份數(shù)據(jù),因此數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險非常低,無需配置用于應(yīng)對停電的延長供電的部件。非常適用于要求高速性且高數(shù)據(jù)保存安全性的應(yīng)用。
【規(guī)格概要】
【銷售計劃】
-產(chǎn)品名 :MR44V064B / MR45V064B
-量產(chǎn)銷售時間 :2016年1月起
-量產(chǎn)銷售數(shù)量 :月產(chǎn)50萬個
-樣品價格 :500日元/個(不含稅)
【應(yīng)用領(lǐng)域】
工業(yè)設(shè)備、汽車配件、醫(yī)療設(shè)備、便攜設(shè)備、IoT領(lǐng)域
【術(shù)語解說】
注1 鐵電存儲器
鐵電存儲器(Ferroelectric Random Access Memory)是即使斷電也可保存存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器之一,
存儲元件采用鐵電電容,具有高速數(shù)據(jù)擦寫、高擦寫耐久性以及低功耗的特點。