ROHM集團旗下的LAPIS Semiconductor公司（藍碧石半導體）面向需要高頻日志數(shù)據(jù)采集和緊急時的高速數(shù)據(jù)備份的智能儀表、醫(yī)療保健設備、汽車導航系統(tǒng)等，開發(fā)出搭載串行總線的64Kbit鐵電存儲器注1（以下稱“FeRAM”）“MR44V064B / MR45V064B”。
作為下一代非易失性存儲器而備受期待的FeRAM，與已普及的一般非易失性存儲器相比，具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”、“高擦寫耐久性”、“低功耗”的特點，因此，是一種有助于實現(xiàn)應用的節(jié)電化和高性能化的器件。
新產品不僅實現(xiàn)了業(yè)界頂級的1.8V最低工作電壓，而且2節(jié)鎳氫充電電池也可使用FeRAM。2節(jié)AAA充電電池可實現(xiàn)約11年的擦寫壽命（每秒擦寫64Kbit時）等優(yōu)勢，非常有助于應用實現(xiàn)更長時間的驅動，還可擴大應用到便攜設備和IoT領域。另外，支持的最大工作頻率高達40MHz（SPI總線），僅1.64msec即可完成64Kbit的數(shù)據(jù)擦寫，因此，即使系統(tǒng)發(fā)生異常也可進行超高速備份，從而保證數(shù)據(jù)的高可靠性。不僅如此，還具備兩種不同的串行總線(I2C總線、SPI總線)，可靈活應對客戶的系統(tǒng)規(guī)格。
本產品已從2016年1月起開始量產銷售（樣品價格 500日元/個，不含稅）。前期工序的生產基地為ROHM總部工廠（京都市），后期工序的生產基地為ROHM Electronics Philippines, Inc.（菲律賓）。
今后，藍碧石半導體還會繼續(xù)開發(fā)省電且高性能的產品，不斷完善能夠滿足客戶需求的、具備各種容量和接口等的產品陣容。
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近年來，隨著節(jié)能化的發(fā)展趨勢，不僅車載、工業(yè)設備，幾乎在所有應用中均要求實現(xiàn)整個系統(tǒng)的低電壓化。同時，隨著高性能化發(fā)展，數(shù)據(jù)量日益增加，還要求更高速地將信息讀取/寫入到存儲器。
藍碧石半導體利用ROHM的鐵電存儲器制造技術和藍碧石半導體的存儲器設計技術雙重優(yōu)勢，從2011年開始 逐步擴充FeRAM系列產品。
＜特點＞
1.最低工作電壓1.8V，可實現(xiàn)電池的長時間驅動
利用ROHM的低功耗鐵電工藝技術優(yōu)勢，以及確保低電壓下選擇存儲器數(shù)據(jù)的晶體管柵極電位，實現(xiàn)了業(yè)界頂級的1.8V最低工作電壓。
由此，僅2節(jié)鎳氫充電電池也可使用存儲器。例如，用2節(jié)AAA充電電池按每秒每次64Kbit（原稿紙約10張）持續(xù)進行數(shù)據(jù)擦寫，也可工作約11年，因此還可應用于需要長時間電池驅動的IoT領域。
2.實現(xiàn)業(yè)界頂級的高速工作
通過減輕存儲數(shù)據(jù)的鐵電電容選擇時的選擇器負載，實現(xiàn)了超高速 存取。I2C支持業(yè)界頂級工作頻率3.4MHz的Hs-mode。SPI也支持業(yè)界頂級的高達40MHz的工作頻率，從而增強了FeRAM的優(yōu)勢之一----高速數(shù)據(jù)擦寫特點。
64Kbit的數(shù)據(jù)擦寫時間僅需1.64msec，速度非常快，因此即使發(fā)生停電等意外電壓下降故障，也可在斷電前備份數(shù)據(jù)，因此數(shù)據(jù)丟失的風險非常低，無需配置用于應對停電的延長供電的部件。非常適用于要求高速性且高數(shù)據(jù)保存安全性的應用。
【規(guī)格概要】
【銷售計劃】
-產品名 ：MR44V064B / MR45V064B
-量產銷售時間 ：2016年1月起
-量產銷售數(shù)量 ：月產50萬個
-樣品價格 ：500日元/個（不含稅）
【應用領域】
工業(yè)設備、汽車配件、醫(yī)療設備、便攜設備、IoT領域
【術語解說】
注1 鐵電存儲器
鐵電存儲器（Ferroelectric Random Access Memory）是即使斷電也可保存存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器之一，
存儲元件采用鐵電電容，具有高速數(shù)據(jù)擦寫、高擦寫耐久性以及低功耗的特點。