《電子技術(shù)應(yīng)用》
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單片弛張振蕩器的溫度補(bǔ)償方法
摘要: 介紹單片弛張振蕩器的工作原理,分析弛張振蕩器產(chǎn)生輸出頻率誤差的原因及溫度對(duì)輸出頻率的影響,推導(dǎo)出振蕩器達(dá)到零溫度系數(shù)的條件,提出一種弛張振蕩器內(nèi)溫度補(bǔ)償方法,只要在設(shè)計(jì)電壓基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)時(shí)結(jié)合振蕩器的需要來考慮,利用該方法就可以使弛張振蕩器方便地獲得較好的溫度系數(shù),大大縮小面積和降低成本。最后給出仿真波形。
Abstract:
Key words :

      1 引言 

       弛張充放電振蕩器在PWM電源和電容傳感器中都得到了廣泛的應(yīng)用,也常常作為時(shí)鐘產(chǎn)生電路用在單片功率集成電路中。但是,由于這種振蕩器結(jié)構(gòu)的特殊性,一般的弛張振蕩器輸出頻率受環(huán)境溫度的變化影響較大,溫度性能較差。為了獲得較好的溫度性能,一般都要采用恒溫槽等措施,但增大了體積和成本。為此,本文提出一種適用于這種結(jié)構(gòu)振蕩器的片內(nèi)溫度補(bǔ)償方案,可以簡(jiǎn)單方便地獲得更好的溫度性能。 

       2 弛張振蕩器的工作原理  

       弛張振蕩器的一般結(jié)構(gòu)如圖1所示。弛張振蕩器的工作過程如下:先用一個(gè)電流源I1向電容器C充電,這時(shí)電容器上的電壓會(huì)不斷上升,將電容器上的電壓通過比較器與設(shè)定的閾值電壓相比較。當(dāng)電容器上的電壓高于電位比較器的閾值電壓V2時(shí),控制部分將會(huì)控制開關(guān)動(dòng)作,使I1斷開,I2導(dǎo)通,電容器開始通過I2放電,電容器的電壓開始下降,設(shè)此時(shí)的時(shí)刻為t2。當(dāng)電容器的電壓下降到低于低位比較器的閾值電壓V1時(shí),控制部分再次使開關(guān)動(dòng)作,使I1導(dǎo)通,I2斷開, I1又重新對(duì)電容器充電,設(shè)此時(shí)的時(shí)刻為t1。這樣不停反復(fù)就可以在電容器上輸出連續(xù)不斷的振蕩波形。   

弛張振蕩器的一般結(jié)構(gòu)如圖

參數(shù)值

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       如果保持IC、C不變,則由(4)式看出電容器的充放電時(shí)間是由電容器電壓的幅度唯一決定的??赏ㄟ^調(diào)節(jié)2個(gè)比較器的閾值電壓來調(diào)節(jié)電容器的電壓幅度,從而可方便地調(diào)節(jié)振蕩器的輸出頻率。以上分析在各個(gè)電路無時(shí)延的條件下獲得的。 

       3 溫度對(duì)輸出電壓頻率的影響 

       3.1 產(chǎn)生頻率誤差的原因

       任何電路結(jié)構(gòu)都存在不同程度的延時(shí)。在這種結(jié)構(gòu)的振蕩器中,比較器和控制部分也存在一定的延時(shí),雖然可以采用高速比較器和盡可能簡(jiǎn)單的控制結(jié)構(gòu)來減少延時(shí),但是始終無法消除延時(shí)帶來的影響。因此,當(dāng)電容器上的電壓已經(jīng)上升或下降到需要開關(guān)動(dòng)作時(shí),由于比較器和控制部分的延時(shí)Δτ使得開關(guān)往往要經(jīng)過一段時(shí)間后才會(huì)動(dòng)作,而在這段時(shí)間內(nèi),I1(I2)還在繼續(xù)對(duì)電容器充電(放電),因此輸出電壓與Uc相比會(huì)產(chǎn)生誤差(ICΔτ)/C,此時(shí),

產(chǎn)生頻率誤差的參數(shù)

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        可以看出輸出電壓頻率與設(shè)計(jì)值產(chǎn)生了偏差。 

        3.2 溫度對(duì)輸出頻率的影響 

       顯然,在不同溫度條件下比較器和控制部分的延時(shí)是不一樣的。由于主要考察延時(shí)對(duì)輸出頻率的影響,因此設(shè)在不同溫度條件下IC和C保持不變,在溫度T1時(shí),比較器和控制部分產(chǎn)生的延時(shí)為Δτ1,在溫度T2時(shí)產(chǎn)生的延時(shí)為Δτ2。則(5)式和(7)式可寫為   

溫度對(duì)輸出頻率的影響參數(shù)

        從(8)式可以看出,在不同的溫度條件下電容器的充放電時(shí)間發(fā)生了的變化Δt,從而導(dǎo)致輸出電壓的頻率隨溫度而變化。  

        圖2給出在沒有溫度補(bǔ)償?shù)那闆r下,采用CSMC 0.6μm雙層金屬、雙層多晶硅工藝下和使用Hspice仿真出來的振蕩器輸出波形。其中,取IC為 250μA,C為5pE,比較器采用的是參考文獻(xiàn)[2]中介紹的高速比較器方案,低位比較器的閾值電壓為2.4V,高位比較器的閾值電壓為2.5V。圖中 T1、T2、T3分別為-40℃、27℃、85℃時(shí)的輸出波形。把振蕩器27℃時(shí)的輸出頻率設(shè)計(jì)為20MHz,測(cè)出此時(shí)振蕩器的溫度系數(shù)約為 1 685ppm/℃。圖3中的曲線1給出近似的輸出電壓幅度與溫度的關(guān)系,正如上面所推導(dǎo)的一樣,在不同的溫度條件下輸出的電壓幅度并不相等。

沒有溫度補(bǔ)償?shù)恼袷幤鬏敵霾ㄐ? border=

       4 溫度補(bǔ)償?shù)膶?shí)現(xiàn)  

       為了消除溫度對(duì)輸出頻率的影響,從(12)式可以看出還必須使Δt=0。為了實(shí)現(xiàn)上述要求,令T1時(shí)的V2=V’ 2;T2時(shí)的V2=V”2,V1保持不變,則(9)、(11)式改寫為(13)式或(17)式:

溫度補(bǔ)償?shù)膮?shù)

       從(17)式可以看出,為了消除溫度對(duì)輸出頻率的影響,可以使電容電壓在不同溫度條件下取不同的電容值來實(shí)現(xiàn)。只要它們能滿足(17)式的條件,就可以得

 

到零溫度系數(shù)的輸出頻率。在振蕩器中,電容器電壓是由比較器的閾值電壓控制的,可以通過調(diào)節(jié)比較器的閾值電壓來滿足要求。在芯片設(shè)計(jì)中,比較器的閾值電壓一般由基準(zhǔn)源提供。基準(zhǔn)源往往根據(jù)帶隙原理來調(diào)整它的溫度系數(shù)。一般會(huì)盡量調(diào)節(jié)使其具有零溫度系數(shù)。但從需要出發(fā),也可以把它調(diào)試成所需的非零溫度系數(shù)。因此,可使令低位比較器的閾值電壓不變,只調(diào)節(jié)高位比較器的閾值電壓使其具有負(fù)溫度的系數(shù),這樣,隨著溫度的增大UC不斷降低,輸出的頻率較為恒定。在圖 3中,為了研究的方便,使輸出電壓與溫度的關(guān)系近似為直線1。根據(jù)上述推導(dǎo),以振蕩器輸出電壓的中間值為軸,曲線1水平翻轉(zhuǎn),得到的曲線3為基準(zhǔn)源的輸出幅度曲線,從而可獲得整個(gè)溫度范圍內(nèi)的最好溫度補(bǔ)償效果。此時(shí)需要把基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)調(diào)節(jié)到大約1 319ppm/℃。  

輸出電壓幅度與溫度的關(guān)系

       圖4示出按上述方法進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)恼袷幤鞯妮敵霾ㄐ?。由于使輸出電壓幅度與溫度的關(guān)系近似線性化,因此與實(shí)際輸出曲線存在一定的誤差,仍舊無法得到零溫度系數(shù)的輸出波形。為了仿真的方便,把比較器的閾值電壓外接,人為地按照上述要求調(diào)節(jié)高位比較器的閾值電壓。圖4中,T1、T2、T3分別為-40℃、 27℃、85℃時(shí)的輸出波形。可以看出輸出電壓的幅度隨著溫度的變化而大大減小,此時(shí)仍把27℃時(shí)的輸出頻率設(shè)計(jì)為20MHz,測(cè)出此時(shí)振蕩器的溫度系數(shù)為115ppm/℃。比起沒有溫度補(bǔ)償?shù)臏囟认禂?shù)有了很大的提高。   

加入溫度補(bǔ)償?shù)恼袷幤鞯妮敵霾ㄐ? border=

       5 結(jié)束語 

       針對(duì)一般弛張振蕩器溫度系數(shù)較差的缺點(diǎn),提出了一種新的片內(nèi)溫度補(bǔ)償方案。只要在設(shè)計(jì)基準(zhǔn)源的時(shí)候結(jié)合振蕩器的要求來確定它的溫度系數(shù),就可以方便地使振蕩器獲得較好的溫度性能,同時(shí)并不增加它的面積和成本,具有較大的實(shí)用性。

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