GLOBALFOUNDRIES今天介紹了一種創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)可以克服推進(jìn)高 k金屬柵（HKMG）晶體管的一個(gè)主要障礙，從而將該行業(yè)向具有更強(qiáng)計(jì)算能力和大大延長(zhǎng)的電池使用壽命的下一代移動(dòng)設(shè)備推進(jìn)了一步。?

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眾所周知，半導(dǎo)體行業(yè)一直致力于克服似乎難以逾越的困難，以延續(xù)更小、更快、更節(jié)能的產(chǎn)品趨勢(shì)。研究是通過(guò)GLOBALFOUNDRIES參與IBM技術(shù)聯(lián)盟來(lái)與IBM合作的形式進(jìn)行的，旨在繼續(xù)將半導(dǎo)體元件的尺寸縮小到22納米節(jié)點(diǎn)及更小尺寸。?

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在2009年于日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上，GLOBALFOUNDRIES首次展示了可使高k金屬柵（HKMG）晶體管的等效氧化層厚度（EOT）縮小到遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于22納米節(jié)點(diǎn)所需水平，同時(shí)保持了低漏電、低閾值電壓和優(yōu)越的載流子遷移率等優(yōu)點(diǎn)的技術(shù)。?

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GLOBALFOUNDRIES技術(shù)與研發(fā)高級(jí)副總裁Gregg Bartlett說(shuō)：“HKMG是GLOBALFOUNDRIES技術(shù)路線圖的關(guān)鍵組成部分。這種進(jìn)展可能最終為客戶提供另一種提高其產(chǎn)品性能的工具，尤其是在快速增長(zhǎng)的具有長(zhǎng)電池壽命的超便攜筆記本電腦和智能手機(jī)市場(chǎng)。通過(guò)與IBM及聯(lián)盟伙伴的合作，我們利用我們的全球知識(shí)庫(kù)開發(fā)先進(jìn)的技術(shù)，幫助我們的客戶處于半導(dǎo)體制造的前沿?！?/SPAN>?

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為了保持HKMG晶體管的開關(guān)精度，必須減少高k氧化層的等效氧化層厚度。然而，減少EOT會(huì)增加泄漏電流，從而增加微芯片的功耗。GLOBALFOUNDRIES和IBM已經(jīng)開發(fā)出一種可克服這一障礙的新技術(shù)，首次展示了將EOT縮小到遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于22納米節(jié)點(diǎn)，同時(shí)保持所需的漏電流、閾值電壓和載流子遷移率是可以實(shí)現(xiàn)的。通過(guò)使用0.55nm的EOT制造n-MOSFET器件和0.7nm的EOT制造p-MOSFET期間，結(jié)果得到了成功的展示。?

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關(guān)于GLOBALFOUNDRIES?

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GLOBALFOUNDRIES公司是世界第一家真正的全球性尖端半導(dǎo)體制造企業(yè)。GLOBALFOUNDRIE公司由AMD(紐約證券交易所：AMD)和先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)于2009年3月合作成立，公司提供尖端技術(shù)、卓越制造和全球經(jīng)營(yíng)的獨(dú)特結(jié)合。GLOBALFOUNDRIES公司總部設(shè)在硅谷，并在奧斯汀、德累斯頓和紐約設(shè)廠。?

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欲了解更多關(guān)于GLOBALFOUNDRIES公司的信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.globalfoundries.com。?

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警告聲明?

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本新聞稿涉及依據(jù)《美國(guó)1995年私有證券改革法案》“安全港”規(guī)定做所的前瞻性陳述，包括但不限于公司當(dāng)前預(yù)期、假設(shè)、評(píng)估、期望、目標(biāo)、計(jì)劃、希望、信念、意圖及未來(lái)策略等的相關(guān)陳述。因此這些前瞻性陳述存在風(fēng)險(xiǎn)和不確定性，可能導(dǎo)致實(shí)際結(jié)果與陳述產(chǎn)生極大不同。造成這些風(fēng)險(xiǎn)和不確定性的部分因素包括美國(guó)和全球的經(jīng)濟(jì)狀況；開發(fā)新客戶的困難；半導(dǎo)體/晶片制造業(yè)整體的供需前景；潛在客戶群的獲取策略；競(jìng)爭(zhēng)者行為；公司技術(shù)聯(lián)盟成敗；額外制造設(shè)施的建設(shè)情況及相關(guān)的政府流程；部件和設(shè)備的供應(yīng)情況；各制造設(shè)施的勞工和雇傭問(wèn)題；技術(shù)及工藝逐步發(fā)展；及不可預(yù)見(jiàn)事項(xiàng)。公司沒(méi)有義務(wù)依據(jù)新的信息或事件對(duì)本新聞稿中的前瞻性陳述做任何更新。?

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