世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：ST" title="ST">STM)日前公布了該公司的45nm" title="45nm">45nm (0.045微米) CMOS設(shè)計(jì)平臺(tái)" title="設(shè)計(jì)平臺(tái)">設(shè)計(jì)平臺(tái)，在這個(gè)平臺(tái)上，客戶可以為低功耗" title="低功耗">低功耗的無(wú)線和便攜通信應(yīng)用設(shè)備開發(fā)下一代系統(tǒng)芯片(SoC" title="SoC">SoC)產(chǎn)品。  

與采用65nm技術(shù)的設(shè)計(jì)相比，ST的低功耗創(chuàng)新工藝結(jié)合多個(gè)閾值晶體管，將芯片面積縮減一半。同時(shí)，新工藝將處理速度提高了20%，在正常工作模式下，泄漏電流降低二分之一，在保持模式下，泄漏電流降低到幾分之一。后一項(xiàng)將給便攜產(chǎn)品的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)巨大的好處，因?yàn)殡姵仉娏康氖褂脮r(shí)間是便攜產(chǎn)品設(shè)計(jì)需要考慮的一個(gè)重要的因素。 

ST在完成一個(gè)高集成度的45nm SoC 演示芯片的設(shè)計(jì)或流片時(shí)使用了這個(gè)最先進(jìn)的45nm低功耗CMOS平臺(tái)。這個(gè)芯片設(shè)計(jì)包含一個(gè)先進(jìn)的雙核CPU系統(tǒng)和相關(guān)的存儲(chǔ)器分層結(jié)構(gòu)，采用了在45nm工藝節(jié)點(diǎn)上將高性能和低功耗合二為一所需的復(fù)雜的低功耗方法。    

新的低功耗設(shè)計(jì)平臺(tái)充分利用了45nm工藝技術(shù)的多功能和模塊化特點(diǎn)，該平臺(tái)是在法國(guó)格勒諾布爾近郊Crolles的ST研發(fā)中心開出來(lái)發(fā)的，并在Crolles2聯(lián)盟的300mm晶圓制造廠接受了產(chǎn)品驗(yàn)證。 

“提前使用低功耗的45nm CMOS技術(shù)對(duì)于市場(chǎng)領(lǐng)先的制造廠商開發(fā)新的無(wú)線和便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品特別是下一代的3G和4G手持多媒體終端至關(guān)重要，” 意法半導(dǎo)體制造和技術(shù)研發(fā)執(zhí)行副總裁Laurent Bosson表示，“在ST的低功耗45nm CMOS平臺(tái)上開發(fā)的芯片能夠讓應(yīng)用設(shè)計(jì)具有極高的性能同時(shí)還有很低的功耗。” 

與其它的準(zhǔn)備部署的45nm設(shè)計(jì)平臺(tái)一樣，ST的低功耗45nm工藝含有進(jìn)行高密度和高性能設(shè)計(jì)所需的全部先進(jìn)模塊。這些重要模塊包括：蝕刻最重要圖形層的193nm浸沒式光刻技術(shù)、潛溝道隔離及晶體管應(yīng)力技術(shù)、先進(jìn)的采用毫秒退火方法的結(jié)工程、超低K的內(nèi)部銅層電介材料、準(zhǔn)許降低互連線電容的技術(shù)。此外，還有兩個(gè)單元庫(kù)：一個(gè)是為高性能優(yōu)化的，另一個(gè)是為低功耗優(yōu)化的?？傊?，該平臺(tái)為設(shè)計(jì)人員提供了豐富的設(shè)計(jì)選擇。  

通過與Cadence、Mentor Graphics、Synopsys和Magma等主要EDA廠商的研發(fā)部門合作，ST的45nm設(shè)計(jì)平臺(tái)受到業(yè)內(nèi)主要的CAD工具的全面支持，由于開發(fā)環(huán)境是技術(shù)人員熟悉的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)工具，ST的客戶可以立即著手設(shè)計(jì)先進(jìn)的系統(tǒng)芯片解決方案。 

關(guān)于意法半導(dǎo)體（ST）公司

意法半導(dǎo)體，是微電子應(yīng)用領(lǐng)域中開發(fā)供應(yīng)半導(dǎo)體解決方案的世界級(jí)主導(dǎo)廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合，雄厚的制造實(shí)力，廣泛的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合(IP)，以及強(qiáng)大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使意法半導(dǎo)體在系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)技術(shù)方面居最前沿地位。在今天實(shí)現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢(shì)中，ST的產(chǎn)品扮演了一個(gè)重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2006年，公司凈收入98.5億美元，凈收益7.82億美元，詳情請(qǐng)?jiān)L問ST網(wǎng)站   www.st.com 或 ST中文網(wǎng)站 www.stmicroelectronics.com.cn

45nm制造工藝的全部單元庫(kù)和設(shè)計(jì)平臺(tái)的技術(shù)細(xì)節(jié)：

?   在設(shè)計(jì)階段可以選擇多個(gè)單元，并將其用于同一個(gè)設(shè)計(jì)模塊，這種方法為平臺(tái)用戶優(yōu)化性能和功耗提供了更高的靈活性。這個(gè)功能有助于加快高性能和功耗敏感應(yīng)用芯片的開發(fā)速度。 

?   每平方毫米邏輯電路密度可達(dá)1600K門，支持1.1V內(nèi)核電壓，金屬節(jié)距0.14微米，6-7層金屬布線。 

?   省電方法包括自適應(yīng)vdd、低vdd工作、關(guān)閉電源、在保持模式下的低待機(jī)電流、反饋偏壓等。 

?   全部1.8V I/O單元。 

?   高密度嵌入式存儲(chǔ)器：?jiǎn)味丝诖鎯?chǔ)器，采用6晶體管SRAM單元，芯片面積縮減到0.25平方微米。 

?   目前正在開發(fā)一個(gè)與現(xiàn)有版本完全兼容的低成本的衍生工藝，采用新工藝的DRAM的存儲(chǔ)密度是SRAM的三倍。 

?   目前正在開發(fā)一個(gè)種類齊全的模擬和射頻IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)）模塊組合，以滿足市場(chǎng)對(duì)大規(guī)模集成單片系統(tǒng)的需求，同時(shí)還將提供復(fù)雜的數(shù)字IP模塊，例如：微處理器和數(shù)字信號(hào)處理器。 

此外，這個(gè)制造工藝已取得了優(yōu)異的測(cè)試結(jié)果，包括高良率的幾兆位的SRAM測(cè)試電路，以及電源電壓1.1V最低0.9V的全功能SRAM測(cè)試電路。