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美光公司因其DRAM和NAND閃存技術創(chuàng)新獲得知名的半導體Insight獎

2009-04-03
作者:美光科技

美國商業(yè)資訊愛達荷州BOISE消息——?

?? 美光科技股份有限公司(紐約證券交易所:MU)今日宣布,Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業(yè)內領先的DRAM和NAND創(chuàng)新作為其第八屆Insight年度大獎的獲勝者。美光公司的32Gb、34納米的NAND閃存獲得“最具創(chuàng)新性工藝技術”獎,其1Gb、50納米的DDR2獲得“最具創(chuàng)新性DRAM技術”獎。?

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?? 美光公司內存事業(yè)部副總裁Brian Shirley說:“從Semiconductor Insights這樣一家知名的分析公司獲得這些大獎,美光公司感到很榮幸。這些大獎證實了美光公司在DRAM和NAND閃存方面持續(xù)的技術設計和工藝創(chuàng)新領導力。與我們的合作伙伴一道,美光公司繼續(xù)推動著內存技術的進步?!?

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?? Semiconductor Insights副總裁兼總經(jīng)理Emil Alexov說:“美光公司在DRAM和NAND領域獲得了巨大的進步,兩種技術的工藝水平能制造出迄今尺寸最小的產(chǎn)品,同時還提供首個亞40納米的閃存設備。他們被選為兩項而非一項Insight大獎的獲得者,這清楚地證明了他們的創(chuàng)新承諾?!?據(jù)SI表示,32Gb、34納米的芯片是業(yè)內首個密度最高的單片多層單元(MLC) NAND閃存芯片。由于密度高、尺寸小,此芯片使客戶能夠輕松地增加許多消費和計算產(chǎn)品(例如數(shù)碼相機、個人音樂播放器和固態(tài)硬盤)的NAND存儲容量。32Gb、34納米的NAND芯片由英特爾和美光公司共同開發(fā),由雙方合資成立的NAND閃存公司IM Flash Technologies制造。?

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? ?1Gb、50納米的DDR2芯片尺寸僅為41平方毫米,為客戶提供目前市面上最小的DRAM核心尺寸。在分析產(chǎn)品之后,SI注意到本產(chǎn)品具有他們迄今分析過的最先進的DRAM工藝技術。50納米、1Gb的DDR2由DRAM與南亞科技股份有限公司通過DRAM聯(lián)合開發(fā)項目共同開發(fā)。?

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?? Insight大獎表彰那些通過在半導體行業(yè)的設計創(chuàng)新和技術進步實現(xiàn)巨大的技術進步并改變我們生活世界的公司。2009年3月31日,作為TechInsight在圣何塞舉行的嵌入式系統(tǒng)大會(Embedded Systems Conference)的活動之一,在EE Times ACE獎和Insight 獎頒獎典禮上頒發(fā)了這些獎項。?

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關于美光公司?

美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高級半導體解決方案的全球領先供應商之一。通過全球化的運營,美光公司制造并向市場推出DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導體組件以及存儲器模塊,用于前沿計算、消費品、網(wǎng)絡和移動便攜產(chǎn)品。美光公司普通股代碼為MU,在紐約證券交易所(NYSE)交易。如需了解美光科技有限公司的詳細情況,請訪問:www.micron.com。?

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Micron(美光)和美光環(huán)繞標志是美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)的商標。所有其他商標屬其各自所有人財產(chǎn)。?

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