《電子技術(shù)應(yīng)用》
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28nm浪潮席卷 晶圓代工發(fā)展迂回前進(jìn)

2011-05-05
作者:ctimes
關(guān)鍵詞: 28nm 代工 地震

       日震對于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的影響仍在余波蕩漾。今年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將會如何?未來2~3年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的走向為何?日震對于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的影響程度應(yīng)該如何看待?曾經(jīng)在英特爾和中芯(SMIC)美國分公司長期服務(wù)、對于全球半導(dǎo)體制造晶圓代工業(yè)界瞭解程度相當(dāng)深厚的Gartner研究總監(jiān)王端,便提出頗具參考價值的看法與分析。
  
  王端指出,日本地震真正產(chǎn)生影響效應(yīng)的是刺激市場產(chǎn)生供貨短缺的預(yù)期心理,使得半導(dǎo)體廠商為提高庫存水位而提高元件存貨需求,連帶地促使全球晶圓代工廠12寸晶圓供應(yīng)量不斷拉高,日震對于主要晶圓代工廠本身并沒有產(chǎn)生直接影響。但由于石油價格處于高價位階段,加上日震后預(yù)期心理,使得消費者對于采購智慧型手機和媒體平板電腦繼續(xù)保持觀望態(tài)度,因此今年第2季之前,智慧型手機和平板裝置主要帶動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長的兩大終端裝置,成長將處于1~2%的低檔幅度。兩相正反因素抵銷之下,今年全球晶圓代工營收仍將維持Gartner先前的預(yù)估幅度,亦即今年年成長率仍有10.2%、全球總營收為311.5億美元。
  
  值得注意的是,各大晶圓代工廠不斷提高12寸晶圓供應(yīng),但消費電子市場采購半導(dǎo)體元件動能趨緩,加上到2013年,全球主要晶圓代工廠都將投入從40nm過渡到28nm的激烈競爭行列,以率先提出低功耗、高效能、尺寸更加微型化的晶圓制程,來滿足微處理器和繪圖晶片等系統(tǒng)單晶片、在智慧型手機和媒體平板裝置內(nèi)要求高度整合和擴充性的應(yīng)用需求。因此晶圓代工大廠如何有效發(fā)揮40nm和28nm的產(chǎn)能利用率,已是晶圓代工大廠當(dāng)前必須正視的課題。
  
  王端指出,各大晶圓代工廠競相角逐28nm制程,將使整體晶圓代工產(chǎn)能利用率面臨過渡階段的尷尬期,到2012年全球12寸晶圓將處于過剩狀態(tài)。預(yù)估今年全球12寸晶圓供應(yīng)將過剩34%,明年則會有28%,臺積電12寸晶圓過剩供應(yīng)將超出33%,聯(lián)電也有20%的過剩供應(yīng)。晶圓過剩供應(yīng)情況將繼續(xù)到2013年。但也因為晶圓代工大廠開始啟動從40nm到28nm的制程過渡計劃,因此到2013年,晶圓代工大廠平均產(chǎn)能利用率相對維持在80%左右的相對低檔。
  
  王端進(jìn)一步指出,2012年28nm制程將成為主流制程,但目前真正能夠進(jìn)入28nm量產(chǎn)營收階段的,只有臺積電,具體提出在今年第3季達(dá)到1%、第4季可達(dá)到2~3%的營收目標(biāo)。臺積電預(yù)估28nm制程可從1%提升到10%營收的時程,也只要4個季度,比起一般所需要的5個季度更短。因此王端認(rèn)為,從產(chǎn)品、產(chǎn)能、制程技術(shù)、IP專利到客戶服務(wù),臺積電仍將在幾年內(nèi)穩(wěn)坐全球晶圓代工龍頭、保持業(yè)界長期規(guī)范的優(yōu)勢地位。
  
  至于GlobalFoundries(GF)和三星電子與IBM透過IBMCommonPlatform,也在28nm技術(shù)授權(quán)部份有密切的合作,GF已經(jīng)直接跳過32nm直取28nm制程,而三星電子則是32nm和28nm并重,不過目前GF和三星電子在28nm都仍處于制程驗證合格階段,尚未達(dá)到產(chǎn)品驗證階段,仍落后臺積電大概有1~2個季度的時程。王端認(rèn)為,今年年底前GF和三星電子能否提出28nm晶圓制程具體的營收目標(biāo),是相當(dāng)重要的關(guān)鍵,決定這兩家能否在28nm制程的激烈競賽中勝出。假使能勝出,28nm階段全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)將呈現(xiàn)四雄并起的局面。但有別于臺積電或是GF廣泛地與更多的晶片制造商客戶合作的模式,三星電子將利用先進(jìn)制程技術(shù)與特定的半導(dǎo)體供應(yīng)商進(jìn)行合作。
  
  目前臺積電和GF都開始進(jìn)行20nm制程的研發(fā)作業(yè),不過進(jìn)程最快的還是英特爾,預(yù)計在2012年可以完成產(chǎn)品驗證階段。但既有的矽晶圓制程技術(shù)將面臨效能撞墻的局限。王端表示10年之內(nèi)這個問題就會出現(xiàn),不過包括3DIC、碳奈米和光導(dǎo)體等正在開發(fā)的新技術(shù),則有相對樂觀的空間和機會可以扮演繼往開來的角色。
       

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