頭條 東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料 6月29日消息,據(jù)scitechdaily報(bào)道,在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會(huì)上,東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過(guò)InGaOx的選擇性結(jié)晶實(shí)現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管,以提高性能和可靠性》的論文,宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦(InGaOx)的晶體材料,有望取代現(xiàn)有的硅材料,大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能,并在后硅時(shí)代延續(xù)摩爾定律的生命力。 最新資訊 特斯拉 FleetAPI 新增支持 Powerwall 能源系統(tǒng)等產(chǎn)品 特斯拉 FleetAPI 新增支持 Powerwall 能源系統(tǒng)等產(chǎn)品,便于開發(fā)者創(chuàng)建第三方應(yīng)用 發(fā)表于:1/5/2024 2024年,最有趣的11個(gè)電子工程新創(chuàng)意 對(duì)電子工程師來(lái)說(shuō),不僅要關(guān)注芯片以及半導(dǎo)體本身,更要關(guān)注下游電子應(yīng)用,畢竟芯片是為電子應(yīng)用而服務(wù)。 IEEE Spectrum日前發(fā)布“2024年值得關(guān)注的11個(gè)工程里程碑“,列舉了未來(lái)一年值得關(guān)注的科技技術(shù)。那么有哪些電子應(yīng)用將在明年發(fā)光發(fā)熱,其中又有哪些潛在的芯片應(yīng)用將會(huì)爆發(fā)? 發(fā)表于:1/4/2024 我國(guó)自研 AG60E 電動(dòng)飛機(jī)首飛 我國(guó)自研 AG60E 電動(dòng)飛機(jī)首飛:最大平飛速度218km/h,航程1100km 發(fā)表于:1/4/2024 采用6nm工藝,紫光展銳推出全新5G芯片 采用6nm工藝,紫光展銳推出全新5G芯片 發(fā)表于:1/4/2024 英特爾和臺(tái)積電的工藝競(jìng)賽:18A與N2 在半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,英特爾和臺(tái)積電正展開一場(chǎng)激動(dòng)人心的工藝之爭(zhēng),吸引了業(yè)界的廣泛關(guān)注。兩家企業(yè)最新的 18A 工藝和 N2 工藝帶來(lái)了一場(chǎng)技術(shù)與創(chuàng)新的角逐。 ● 英特爾首席執(zhí)行官 Pat Gelsinger 相信將在未來(lái)幾年擊敗臺(tái)積電。在接受采訪時(shí),強(qiáng)調(diào)了 18A 工藝(1.8 納米)與臺(tái)積電的 N2(2 納米)節(jié)點(diǎn)。18A 和 N2 都將利用 GAA 晶體管 ( RibbonFET ) , 1.8 納米級(jí)節(jié)點(diǎn)將采用 BSPND,一種可優(yōu)化功率和時(shí)鐘的背面功率傳輸技術(shù)。 ● 當(dāng)然臺(tái)積電相信其 N3P(3 納米級(jí))技術(shù)將在功耗、性能和面積(PPA)等方面與英特爾的 18A 相媲美,而其 N2(2 納米級(jí))將在所有方面超越之。 發(fā)表于:1/4/2024 【盤點(diǎn)】2023年半導(dǎo)行業(yè)有哪些收購(gòu)案? 近幾年來(lái),受地緣政治、疫情、電子消費(fèi)市場(chǎng)低迷等多種因素的影響,半球半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣一直呈下行的狀態(tài),直至今年仍沒(méi)有回暖。下行的市場(chǎng)周期一向是企業(yè)并購(gòu)的高發(fā)期。小的企業(yè)因?yàn)殡y以經(jīng)營(yíng)尋求被購(gòu),大的企業(yè)趁機(jī)通過(guò)收購(gòu)來(lái)進(jìn)一步的優(yōu)化自身的業(yè)務(wù)布局,完善自身的產(chǎn)品線。 發(fā)表于:1/3/2024 探路AIGC,SaaS迎來(lái)了重估時(shí)刻? 探路AIGC,SaaS迎來(lái)了重估時(shí)刻? 發(fā)表于:1/3/2024 強(qiáng)震導(dǎo)致日本多家半導(dǎo)體工廠停產(chǎn)檢修,初步判斷影響可控 集邦咨詢近日發(fā)布報(bào)告,稱本次日本強(qiáng)震導(dǎo)致當(dāng)?shù)囟嗉野雽?dǎo)體工廠停產(chǎn),不過(guò)初步排查結(jié)果顯示機(jī)臺(tái)并未受到嚴(yán)重災(zāi)損,研判影響可控。 發(fā)表于:1/3/2024 消息稱三星和美光第 1 季度 DRAM 價(jià)格已上調(diào) 15%-20% 消息稱三星和美光第 1 季度 DRAM 價(jià)格已上調(diào) 15%-20% 發(fā)表于:1/3/2024 歐盟宣布:明年起所有電子設(shè)備全部采用USB-C 12月31日消息,“漫長(zhǎng)的等待終于結(jié)束了?!比涨皻W盟委員會(huì)正式宣布,從2024年起,USB-C將成為歐盟電子設(shè)備的通用標(biāo)準(zhǔn)。 “這意味著更好的充電技術(shù)、減少電子垃圾以及更輕松地尋找所需的充電器! ”歐盟委員會(huì)說(shuō)。 據(jù)了解,USB-C將作為歐盟通用接口,允許消費(fèi)者使用任何USB-C充電器為任何品牌設(shè)備充電。 歐盟的這一要求將適用于所有手持手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)、耳機(jī)、便攜式揚(yáng)聲器、手持式電子游戲機(jī)、電子閱讀器、耳塞、鍵盤、鼠標(biāo)和便攜式導(dǎo)航系統(tǒng)。 到2026年,這一要求也將適用于筆記本電腦。 統(tǒng)一USB-C接口的過(guò)程并不簡(jiǎn)單。據(jù)報(bào)道,2009年市面上最多曾出現(xiàn)過(guò)30多種充電接口,魚龍混雜。當(dāng)時(shí),在歐盟委員會(huì)的督促下,包括蘋果在內(nèi)的14家手機(jī)制造商對(duì)此進(jìn)行了調(diào)整,逐漸縮減到USB-C、Lightning閃電接口和Micro-USB。 發(fā)表于:1/3/2024 ?…203204205206207208209210211212…?