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设计参数对射频SOI开关功率承受能力影响研究
發(fā)表于：2025/9/16 下午4:06:28
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电容网络对射频SOI开关功率承受能力影响研究
發(fā)表于：2025/7/24 下午3:09:00
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英国Pickering 公司大幅提高了射频开关密度
發(fā)表于：2022/6/24 下午4:57:00
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新日本无线新开发的超宽带SPDT射频开关NJG1801BKGC-A
發(fā)表于：2021/1/29 下午2:25:00
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国产射频芯片燃起星星之火
發(fā)表于：2020/10/14 下午1:23:49
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不同设计参数对SOI射频开关小信号的影响
發(fā)表于：2019/2/18 下午1:19:00
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NI与江苏卓胜微电子宣布战略合作 助推本土射频IC量产测试
發(fā)表于：2017/6/7 下午9:50:00
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解读联发科的投资并购事件及未来发展
發(fā)表于：2017/2/16 上午5:00:00
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英飞凌面向智能电话和平板电脑的射频开关出货量突破10亿大关 Bulk RF CMOS技术实现最快增速
發(fā)表于：2014/6/26 下午3:13:52
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基于射频开关模块功能电路PCB板的设计
發(fā)表于：2013/5/21 下午4:46:14
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射频开关优化智能手机信号
發(fā)表于：2011/11/4 上午12:00:00
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用射频开关优化智能手机信号的设计研究
發(fā)表于：2011/11/2 上午12:00:00
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利用单个功率放大器实现双频段RF前端模块设计
發(fā)表于：2010/12/4 上午12:00:00
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基于射频功率放大器的GSM/DCS双频段RF射频前端设计
發(fā)表于：2010/10/10 下午6:52:24
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SAW RFID阅读器的信号处理电路设计与软件设计
發(fā)表于：2010/9/28 下午6:47:15
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利用单放大器实现GSM/DCS双频段RF前端模块
發(fā)表于：2010/8/30 上午1:50:01
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英飞凌交付业界首款具有砷化镓性能的CMOS射频开关
發(fā)表于：2008/3/5 下午1:53:43
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