設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)射頻SOI開關(guān)功率承受能力影響研究
電子技術(shù)應(yīng)用
劉張李
上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
摘要： 通過(guò)比較分析研究射頻開關(guān)管寬度與堆疊級(jí)數(shù)變化和柵極與體區(qū)偏置電阻對(duì)射頻開關(guān)性能的影響，主要包括前兩級(jí)射頻開關(guān)管寬度、不同級(jí)數(shù)射頻開關(guān)管寬度、逐步變化射頻開關(guān)管寬度和偏置電阻等設(shè)計(jì)參數(shù)，對(duì)射頻開關(guān)插入損耗、隔離度和功率承受能力的影響。研究結(jié)果為射頻開關(guān)電路設(shè)計(jì)提供參考。
中圖分類號(hào)：TN432 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.246218
中文引用格式： 劉張李. 設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)射頻SOI開關(guān)功率承受能力影響研究[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用，2025，51(9)：30-34.
英文引用格式： Liu Zhangli. Effects of design parameter on power handling capability of RF SOI switch[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(9)：30-34.
中文引用格式： 劉張李. 設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)射頻SOI開關(guān)功率承受能力影響研究[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用，2025，51(9)：30-34.
英文引用格式： Liu Zhangli. Effects of design parameter on power handling capability of RF SOI switch[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(9)：30-34.
Effects of design parameter on power handling capability of RF SOI switch
Liu Zhangli
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation
Abstract： The effects of design parameter on power handling capability of radio-frequency silicon-on-insulator (RF SOI) switch were comprehensively investigated in this work, including the width of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) under different stack, and the Gate/Body bias resistance. The impacts of larger 1st/2nd stage MOSFET width, larger N stage MOSFET width, gradual change MOSFET width and different Gate/Body bias resistance on RF switch insertion loss, isolation and power handling capability were discussed in detail. The result can be reference as RF switch circuit design.
Key words : RF switch；power handling capability；bias resistance；MOSFET width
引言
射頻SOI(Silicon-On-Insulator)開關(guān)具有低插入損耗、高隔離度、高線性度和高功率處理能力，基本上已完全替代GaAs，成為射頻開關(guān)主流產(chǎn)品。文獻(xiàn)[1-7]研究了不同設(shè)計(jì)SOI射頻開關(guān)性能。文獻(xiàn)[8]研究大功率模式下襯底網(wǎng)絡(luò)模型對(duì)大信號(hào)建模的影響，并給出了SOI襯底橫向電阻電容網(wǎng)絡(luò)和縱向電阻電容網(wǎng)絡(luò)的建模方法，主要研究對(duì)象為SOI襯底。文獻(xiàn)[9]研究了首兩級(jí)在柵極與漏極增加電容對(duì)射頻開關(guān)處理能力的影響。文獻(xiàn)[10]研究了不同設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)SOI射頻開關(guān)小信號(hào)的影響。從已有參考文獻(xiàn)來(lái)看，系統(tǒng)分析射頻開關(guān)管寬度和偏置電阻大小等設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)射頻開關(guān)功率承受能力影響鮮有報(bào)道。
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作者信息：
劉張李
（上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司，上海 201203）
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