| 設(shè)計參數(shù)對射頻SOI開關(guān)功率承受能力影響研究 | |
| 所屬分類:技術(shù)論文 | |
| 上傳者:wwei | |
| 文檔大小:3992 K | |
| 標(biāo)簽: 射頻開關(guān) 功率處理能力 偏置電阻 | |
| 所需積分:0分積分不夠怎么辦? | |
| 文檔介紹:通過比較分析研究射頻開關(guān)管寬度與堆疊級數(shù)變化和柵極與體區(qū)偏置電阻對射頻開關(guān)性能的影響,主要包括前兩級射頻開關(guān)管寬度、不同級數(shù)射頻開關(guān)管寬度、逐步變化射頻開關(guān)管寬度和偏置電阻等設(shè)計參數(shù),對射頻開關(guān)插入損耗、隔離度和功率承受能力的影響。研究結(jié)果為射頻開關(guān)電路設(shè)計提供參考。 | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會員,AET專家下載不扣分;重復(fù)下載不扣分,本人上傳資源不扣分。 | |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號-2