電容網(wǎng)絡(luò)對(duì)射頻SOI開關(guān)功率承受能力影響研究
電子技術(shù)應(yīng)用
劉張李
上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
摘要： 通過比較分析研究電容網(wǎng)絡(luò)對(duì)射頻SOI開關(guān)功率承受能力的影響，主要包括射頻開關(guān)晶體管源極與漏極之間的橫向耦合電容Cdsn和射頻開關(guān)源極與漏極節(jié)點(diǎn)到GND的縱向耦合電容Cgndn。研究?jī)?nèi)容包括射頻開關(guān)堆疊結(jié)構(gòu)Cdsn/Cgndn逐步變化，前兩級(jí)Cdsn/Cgndn電容值大小，前N級(jí)Cdsn/Cgndn電容網(wǎng)絡(luò)對(duì)射頻開關(guān)插入損耗、隔離度和功率承受能力的影響，研究結(jié)果為射頻開關(guān)電路設(shè)計(jì)提供參考。
中圖分類號(hào)：TN432 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.246217
中文引用格式： 劉張李. 電容網(wǎng)絡(luò)對(duì)射頻SOI開關(guān)功率承受能力影響研究[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用，2025，51(7)：36-40.
英文引用格式： Liu Zhangli. Effects of capacitor network on power handling capability of RF SOI switch[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(7)：36-40.
中文引用格式： 劉張李. 電容網(wǎng)絡(luò)對(duì)射頻SOI開關(guān)功率承受能力影響研究[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用，2025，51(7)：36-40.
英文引用格式： Liu Zhangli. Effects of capacitor network on power handling capability of RF SOI switch[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(7)：36-40.
Effects of capacitor network on power handling capability of RF SOI switch
Liu Zhangli
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation
Abstract： The effects of capacitor network on power handling capability of Radio-Frequency Silicon-On-Insulator (RF SOI) switch were comprehensively investigated in this work, including the horizontal coupling capacitor Cdsn between the RF Switch Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) drain-to-source, and the vertical coupling capacitor Cgndn between the RF Switch MOSFET drain/source-to-gnd. The impacts of stack structure with gradual change Cdsn/Cgndn, larger 1st/2nd stage Cdsn/Cgndn and larger N stage Cdsn/Cgndn capacitor network on RF switch insertion loss, isolation and power handling capability was discussed in detail. The result can be reference as RF switch circuit design.
Key words : RF switch；power handling capability；capacitor network
引言
射頻SOI(Silicon-On-Insulator)開關(guān)具有低插入損耗、高隔離度、高線性度和高功率處理能力，基本上已完全替代GaAs，成為射頻開關(guān)主流產(chǎn)品。文獻(xiàn)[1-7]研究了不同設(shè)計(jì)SOI射頻開關(guān)性能。文獻(xiàn)[8]研究大功率模式下襯底網(wǎng)絡(luò)模型對(duì)大信號(hào)建模的影響，并給出了SOI襯底橫向電阻電容網(wǎng)絡(luò)和縱向電阻電容網(wǎng)絡(luò)的建模方法，文章主要研究對(duì)象為SOI襯底。文獻(xiàn)[9]研究了首兩級(jí)在柵極與漏極增加電容對(duì)射頻開關(guān)處理能力的影響。文獻(xiàn)[10]研究了不同設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)SOI射頻開關(guān)小信號(hào)的影響。從已有參考文獻(xiàn)來看，系統(tǒng)分析射頻開關(guān)源極與漏極之間的橫向耦合電容Cdsn和射頻開關(guān)源極/漏極節(jié)點(diǎn)到GND的縱向耦合電容Cgndn對(duì)射頻開關(guān)功率承受能力影響鮮有報(bào)道。
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作者信息：
劉張李
（上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司，上海 201203）
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