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最新Qorvo®技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動(dòng)器
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用于未來(lái)軌道牽引電路的雙SiC MOSFET 模塊的特性檢測(cè)
發(fā)表于：6/21/2013 4:13:17 PM
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Microsemi新型SiC肖特基二極管提升 電氣功率轉(zhuǎn)換效率
發(fā)表于：11/22/2012 10:39:29 AM
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英飛凌推出采用直驅(qū)技術(shù)的革命性CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件： 讓太陽(yáng)能逆變器的能效達(dá)到更高水平
發(fā)表于：6/19/2012 4:13:08 PM
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羅姆于世界首次實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，并開始量產(chǎn)
發(fā)表于：6/14/2012 3:02:01 PM
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SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案設(shè)計(jì)
發(fā)表于：3/15/2012 11:32:29 AM
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瑞薩電子宣布推出在單一封裝中集成電源轉(zhuǎn)換電路的低損耗碳化硅（SiC）功率器件系列
發(fā)表于：2/10/2012 2:20:43 PM
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瑞薩宣布開發(fā)出在單芯片中集成電源轉(zhuǎn)換電路的低損耗碳化硅（SiC）功率器件
發(fā)表于：2/8/2012 11:13:37 AM
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瑞薩宣布開發(fā)出在單芯片中集成電源轉(zhuǎn)換電路的低損耗碳化硅（SiC）功率器件
發(fā)表于：2/8/2012 10:13:45 AM
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羅姆談行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)與四個(gè)發(fā)展引擎
發(fā)表于：11/25/2011 11:02:31 AM
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羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出高速、大電流的SiC溝槽MOS模塊
發(fā)表于：11/16/2011 4:24:59 PM
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世界首家！羅姆開發(fā)出可在高溫條件下工作的壓鑄模類型SiC功率模塊
發(fā)表于：11/16/2011 4:19:21 PM
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日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆亮相第13屆高交會(huì)電子展
發(fā)表于：11/16/2011 4:10:10 PM
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Premier Farnell與SemiSouth簽署全球分銷協(xié)議
發(fā)表于：9/1/2011 3:24:24 PM
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SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)
發(fā)表于：8/28/2011 12:00:00 AM
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探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案設(shè)計(jì)
發(fā)表于：7/3/2011 12:00:00 AM
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探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案
發(fā)表于：6/28/2011 12:00:00 AM
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飛兆半導(dǎo)體引入碳化硅技術(shù)擴(kuò)展產(chǎn)品創(chuàng)新
發(fā)表于：4/19/2011 12:45:47 PM
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