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Vishay推出的新款对称双通道MOSFET可大幅节省系统面积并简化设计
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教程：三极管典型的放大应用电路分析(一)
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入门：MOSFET放大器的概念、工作过程及类型
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罗姆依托自研“TDACC™”技术，打造安全型智能功率器件
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Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
發(fā)表于：2022/11/18 下午4:27:00
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一辆车到底需要多少芯片？
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入门：通过并联 SiC MOSFET 获得更多功率
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电力电子课程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT
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士兰微2022年上半年净利润同比增长39.12%，主要在MOSFET、IGBT 大功率模块（PIM）
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Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET
發(fā)表于：2022/7/27 上午9:11:40
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Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET
發(fā)表于：2022/7/6 下午3:47:00
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豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET
發(fā)表于：2022/6/28 下午6:01:52
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意法半导体推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效
發(fā)表于：2022/5/25 下午10:32:17
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Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
發(fā)表于：2022/5/12 下午4:32:53
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东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率
發(fā)表于：2022/4/3 上午6:46:00
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Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围
發(fā)表于：2022/3/24 下午4:40:25
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东微半导体：公司 MOSFET、IGBT等产品不会恶意涨价
發(fā)表于：2022/3/9 下午9:24:26
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【AFG专题系列72变】之二：无刷电机调速器我可以
發(fā)表于：2022/2/28 下午2:35:27
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扩展新应用领域，PI推出首款汽车级开关电源IC
發(fā)表于：2022/2/24 上午12:19:44
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Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件，RDS(ON)*Qg FOM仅为2.8 Ω*nC，达到业内先进水平
發(fā)表于：2022/2/22 下午9:29:27
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Power Integrations推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC
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MOSFET迎来春天
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新能源OBC放量，派恩杰SiC MOS凭世界领先性能率先上车
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Microchip将为Mersen SiC电源协议栈参考设计提供 碳化硅MOSFET和数字栅极驱动器
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Power Integrations推出新款InnoSwitch3-TN IC，可将家电电源能耗减少75%
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基于MOSFET的电动汽车电源开关设计
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安世半导体致力于为中国汽车半导体保驾护航
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【技术大咖测试笔记系列】之八：低功率范围内的MOSFET表征
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意法半导体的稳健的隔离式 SiC 栅极驱动器采用窄型 SO-8 封装可节省空间
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