先进工艺芯片填充冗余金属后的时序偏差分析及修复
所屬分類：技术论文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>487 K
標簽： 先进工艺 物理设计 冗余金属
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文檔介紹：在芯片物理设计的完成阶段，为了满足设计规则中金属密度要求，需要填充冗余金属。增加的金属层会产生额外的寄生电容，导致芯片的时序结果恶化。40 nm以上的工艺节点中，这些额外增加的寄生电容对于时序的影响在0.12%左右，这个时序偏差甚至比静态时序分析与SPICE仿真之间的误差还小，在芯片设计时通常忽略它。然而在使用FinFET结构的先进工艺节点中，这个时序偏差必须要进行修复。以一款FinFET结构工艺的工业级DSP芯片为实例，使用QRC工具对比了芯片填充冗余金属前后寄生电容的变化；使用Tempus工具分析了芯片时序结果发生偏差的原因；最后提出了一种基于Innovus平台的时序偏差修复方法，时序结果通过签核验证，有效提高了时序收敛的效率。
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