X波段功率器件外殼端口仿真與測試差異性研究
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>1005 K
標(biāo)簽： 探針測試 X波段 大功率封裝外殼
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文檔介紹：基于探針測試方法進(jìn)行X波段功率器件外殼端口的仿真與測試差異性研究。在使用仿真軟件對其進(jìn)行優(yōu)化后,通過HTCC(高溫共燒陶瓷)工藝線制備和生產(chǎn)，發(fā)現(xiàn)使用GSG探針對該端口進(jìn)行測試后的插入損耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于仿真結(jié)果。通過對照實驗和仿真驗證等實驗方法，分析出插入損耗仿真與測試的差異來源于輻射損耗，導(dǎo)致信號在返回路徑的信號完整性受到影響。對結(jié)構(gòu)進(jìn)行相應(yīng)的優(yōu)化后插入損耗大幅減小，證明輻射損耗是造成差距的原因，通過電磁屏蔽可以得到有效解決。該研究可以為大功率器件類封裝外殼的設(shè)計、測試和使用提供借鑒意義。
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