基于0.35 μm CMOS工藝的高溫高壓LDO芯片設計
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>1053 K
標簽： LDO CMOS 高溫高壓
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文檔介紹：基于X-FAB xa 0.35 μm CMOS工藝，首先采用Cascode電流鏡和高壓管，設計了一種具有高電源抑制比且無需額外提供偏置模塊的高溫高壓基準電路，在輸入電壓為5.5 V～30 V、工作溫度為-55 ℃～175 ℃時，可獲得穩(wěn)定的0.9 V基準電壓。接著針對負反饋環(huán)路的穩(wěn)定性問題，根據(jù)動態(tài)零點補償原理設計了一種新的動態(tài)零點補償電路，使系統(tǒng)在全負載變化范圍內保持穩(wěn)定。同時配合其他過溫保護、過壓保護、過流保護和邏輯控制等電路模塊，完成一款面積為2.822 3 mm2的高溫高壓低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)芯片的設計。
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