面向SoC的SRAM讀出電路加固設計
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>779 K
標簽： SOC 單粒子翻轉 SRAM讀出電路
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文檔介紹：SRAM存儲器在SoC芯片中的應用已經越來越普遍，存儲單元的加固設計已成為抗輻射SoC芯片設計首要考慮的問題之一。提出了兩種SRAM讀出電路的加固結構，分別從讀出電路結構、數據讀出速度和抗單粒子翻轉能力等方面進行了對比。兩種讀出結構的SRAM均有較好的抗單粒子能力，但相比較單模雙互鎖結構的SRAM，雙模雙互鎖讀出結構的SRAM讀出時間更短。
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