InGaAs/GaAs多量子阱近紅外光探測(cè)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與表征
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>854 K
標(biāo)簽： InGaAs/GaAs 多量子阱 紅外
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文檔介紹：介紹了用于近紅外光探測(cè)的InGaAs三元化合物材料體系，并通過數(shù)學(xué)軟件編寫求解出InGaAs/GaAs單量子阱有限深勢(shì)阱的波函數(shù)方程。根據(jù)計(jì)算結(jié)果，設(shè)計(jì)出InGaAs/GaAs多量子阱結(jié)構(gòu)，之后采用分子束外延技術(shù)完成了高質(zhì)量外延片結(jié)構(gòu)的研制，通過雙晶X射線衍射等分析手段，推算出多量子阱結(jié)構(gòu)中In的組分，勢(shì)壘與勢(shì)阱的厚度等參數(shù)與理論設(shè)計(jì)一致，具有很好的近紅外探測(cè)器研制價(jià)值。
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