MOSFET寄生參數(shù)對(duì)LLC諧振變換器性能影響研究
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大小：541 K
標(biāo)簽： 寄生參數(shù) LLC諧振電路 Angelov模型
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文檔介紹：針對(duì)MOSFET寄生參數(shù)對(duì)LLC諧振電路性能的影響，首先對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行等效分析，基于該等效模型，分析在LLC諧振變換電路中，寄生參數(shù)的存在對(duì)電路各個(gè)階段過程的影響；接著對(duì)由于寄生參數(shù)引起的非線性特征，基于Angelov模型進(jìn)行建模，并對(duì)該模型在直流電路中的影響進(jìn)行分析。最后在MATLAB下建立了LLC諧振電路模型，在仿真模型中考慮了寄生參數(shù)的影響。仿真結(jié)果表明，建立的等效模型可以較好地反映MOSFET器件的工作特點(diǎn)；同時(shí)，由于寄生參數(shù)的存在，LLC諧振電路的輸出增益和諧振頻率都會(huì)受到影響，其中尤以對(duì)諧振頻率的影響較大。
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