Flash存儲器單粒子效應測試研究綜述
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>561 K
標簽： Flash存儲器 單粒子效應 測試方法
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文檔介紹：隨著Flash存儲器在航天系統(tǒng)中的大量應用，其單粒子效應評價至關重要。首先綜述了Flash存儲器單粒子效應研究進展，總結出在重離子輻照實驗中常見單粒子效應及其故障原因，包括由存儲單元故障和外圍電路故障造成的單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子功能中斷和單粒子閉鎖。隨后，歸納出常見單粒子效應的測試區(qū)分方法、測試算法和測試流程，為相關測試實驗研究提供參考。
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