基于全物理模型的模塊級SRAM的SEU仿真方法
所屬分類:技術論文
上傳者:aetmagazine
文檔大?。?span>559 K
標簽: 存儲器 單粒子翻轉 抗輻照
所需積分:0分積分不夠怎么辦?
文檔介紹:隨著科學技術的發(fā)展和工藝尺寸的降低,單元器件的尺寸逐漸減小,使得單粒子電荷共享和單粒子翻轉等效應日益嚴重,增加了抗輻射加固模塊級SRAM設計難度,因此需要一套更為完備的仿真方法對模塊級SRAM的單粒子效應敏感性進行預估,為電路加固設計提供依據(jù)和建議?;谀K級SRAM的單元結構和電路版圖,利用Cogenda軟件構建了模塊級SRAM單粒子翻轉效應仿真方法,對其敏感性進行分析,獲得其單粒子翻轉LET閾值,并與重離子實驗結果進行對比,仿真誤差為13.3%。
現(xiàn)在下載
VIP會員,AET專家下載不扣分;重復下載不扣分,本人上傳資源不扣分。