基于全物理模型的模塊級SRAM的SEU仿真方法
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大小：559 K
標簽： 存儲器 單粒子翻轉(zhuǎn) 抗輻照
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文檔介紹：隨著科學技術(shù)的發(fā)展和工藝尺寸的降低，單元器件的尺寸逐漸減小，使得單粒子電荷共享和單粒子翻轉(zhuǎn)等效應日益嚴重，增加了抗輻射加固模塊級SRAM設(shè)計難度，因此需要一套更為完備的仿真方法對模塊級SRAM的單粒子效應敏感性進行預估，為電路加固設(shè)計提供依據(jù)和建議?；谀K級SRAM的單元結(jié)構(gòu)和電路版圖，利用Cogenda軟件構(gòu)建了模塊級SRAM單粒子翻轉(zhuǎn)效應仿真方法，對其敏感性進行分析，獲得其單粒子翻轉(zhuǎn)LET閾值，并與重離子實驗結(jié)果進行對比，仿真誤差為13.3%。
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