基于InP HBT工艺的50 Gb/s 1:4量化降速电路
所屬分類：技术论文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>676 K
標(biāo)簽： 高速电路 比较器 分接器
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文檔介紹：基于南京电子器件研究所的0.7 μm InP HBT工艺设计了一种数据转换速率达到50 Gb/s的1:4量化降速芯片。该芯片同时将前端高速高灵敏度比较器与一个1:4分接器集成到单芯片中，能够直接一次性实现对2～18 GHz带宽的模拟输入信号的可靠接收和降速处理，输入信号灵敏度在芯片最高工作速率下达到1 mV，工作电压3.3 V，芯片功耗1.5 W，最高数据转换速率达到50 Gb/s，输出数据信号与时钟信号幅值均达到200 mV。
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