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中國電子技術(shù)標準化研究院回應“充電寶3C認證全面失效”

中國電子技術(shù)標準化研究院回應“充電寶3C認證全面失效”

11 月 27 日消息，11 月 25 日有報道稱，《移動電源安全技術(shù)規(guī)范》（征求意見稿）（以下簡稱“新規(guī)”）顯示，與舊標準相比，新國標在整機、線路板和電芯三大技術(shù)領(lǐng)域提出了數(shù)十項嚴苛改進。

電壓跟隨器秘笈(八)，LM358電壓跟隨器+運放問題

電壓跟隨器應用廣泛，生活中大大小小的電子器件中均包含電壓跟隨器。本文對于電壓跟隨器的講解，在于向大家介紹LM358電壓跟隨器的設計方案以及電壓跟隨器運放相關(guān)內(nèi)容。此外，如果你對如何使用LM324搭建電壓跟隨器具備一定興趣，可翻閱上篇電壓跟隨器相關(guān)文章。

發(fā)表于：2020/1/16

電壓跟隨器秘笈(九)，運放構(gòu)成電壓跟隨器的穩(wěn)定性問題探討

電壓跟隨器并非深奧難懂，究其本質(zhì)而言，電壓跟隨器即共集電極電路。本文對于電壓跟隨器的講解，主要在于介紹運放構(gòu)成電壓跟隨器的穩(wěn)定性問題。此外，文章第一部分將簡單介紹何為電壓跟隨器。如果你對本文涉及的電壓跟隨器相關(guān)內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)閱讀以下正文部分。

發(fā)表于：2020/1/16

解讀CANDT測試項“總線輸入電壓限值測試”

　　摘要：為了保證CAN總線物理層的一致性，CANDT系統(tǒng)參考ISO11898-2標準及主流車企標準對CAN節(jié)點相關(guān)的參數(shù)進行測量，本文主要對CANDT的測試項—總線輸入電壓限值測試進行解讀。

發(fā)表于：2020/1/15

【4200 SMU應用文章】之實例篇：測量范德堡法電阻率和霍爾電壓

半導體材料研究和器件測試通常要測量樣本的電阻率和霍爾電壓。半導體材料的電阻率主要取決于體摻雜，在器件中，電阻率會影響電容、串聯(lián)電阻和閾值電壓?；魻栯妷簻y量用來推導半導體類型(n還是p)、自由載流子密度和遷移率。

發(fā)表于：2020/1/15

英飛凌攜手Rompower加強通用充電器系統(tǒng)解決方案開發(fā)能力

【2020年1月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）攜手Rompower加強其開發(fā)高效、緊湊型通用充電器的能力。這些采用通用USB-C接口的USB-PD（電能輸送）充電器，可為顯示器或智能音箱等供電，也能為智能手機或平板電腦等移動終端的電池充電。如今，這些插頭還具備其它功能，比如給智能手機快速充電。使用USB-PD技術(shù)可讓智能手機在不到一小時內(nèi)充滿電。USB-PD充電器的成功離不開通用USB-C接口，相比廣泛使用的micro-USB接口和USB-A/B接口，它能實現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和電能傳輸速率。

發(fā)表于：2020/1/14

CISSOID強勁可靠的柵極驅(qū)動器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅（SiC）功率模塊提供支持

　　比利時·蒙-圣吉貝爾，2020年1月14日 – 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強勁可靠的柵極驅(qū)動器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模塊。該新型柵極驅(qū)動器板旨在為高功率密度轉(zhuǎn)換器提供支持，可以安全地驅(qū)動快速開關(guān)碳化硅功率模塊以實現(xiàn)低損耗，同時可以在空間受限的電機驅(qū)動器、緊湊型電源或快速電池充電器內(nèi)部的高溫環(huán)境中運行。

發(fā)表于：2020/1/14

一種高穩(wěn)定性的無片外電容的LDO的設計

考慮到LDO應用在無分立器件的情況下，針對在無片外電容和無片外電阻的情況下對LDO進行研究設計，在無外接電容的情況下，LDO同樣能夠輸出穩(wěn)定電壓，以應用在DC-DC轉(zhuǎn)換器中為內(nèi)部電路模塊進行供電。并通過調(diào)整LDO內(nèi)部運算放大器結(jié)構(gòu)以及對運算放大器進行米勒補償來調(diào)整其零極點，同時在運算放大器內(nèi)部進行電源隔離的處理，可以顯著提高其電源抑制比。最后利用華虹0.18 μm的BCD工藝進行仿真。仿真結(jié)果表明，此結(jié)構(gòu)具有高穩(wěn)定性，可以輸出穩(wěn)定電壓。

發(fā)表于：2020/1/14

GaN FET的結(jié)構(gòu)、驅(qū)動及應用綜述

隨著電力電子裝置的小型化和輕量化，寬禁帶半導體器件GaN FET優(yōu)于Si器件的特性使其在電力電子領(lǐng)域的應用受到廣泛關(guān)注。在GaN FET的發(fā)展中，其結(jié)構(gòu)和驅(qū)動對其安全應用至關(guān)重要。首先介紹了目前GaN FET器件的主要結(jié)構(gòu)、工作原理及其產(chǎn)品現(xiàn)狀；其次，總結(jié)了其驅(qū)動電路的隔離方式、常用的分立式驅(qū)動電路和集成式驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及原理；最后，對GaN FET在電力電子領(lǐng)域的應用情況進行了概述。

發(fā)表于：2020/1/10

關(guān)于配電網(wǎng)建設中配網(wǎng)設備選型的探討

我國電能質(zhì)量問題和停電造成的經(jīng)濟損失及其社會影響越來越大，高可靠性和高質(zhì)量的電能成為打造高品質(zhì)產(chǎn)品、吸引國內(nèi)外資本、促進產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化和升級的重要基礎(chǔ)條件。通過對比分析國內(nèi)大城市與東京巴黎新加坡等國際先進城市在配電網(wǎng)設備技術(shù)選型、配置原則、質(zhì)量保障等方面的差異，結(jié)合配電網(wǎng)設備技術(shù)升級的發(fā)展方向，提出配電網(wǎng)設備水平的提升改進的方向。

發(fā)表于：2020/1/10

具可編程補償功能的高效率、高密度 PSM μModule 穩(wěn)壓器

　　FPGA 開發(fā)板、以及原型設計、測試和測量應用需要多功能高密度電源解決方案。LTM4678是一款具有數(shù)字電源系統(tǒng)管理 (PSM) 功能的 16 mm x 16 mm 小尺寸雙路 25 A 或單路 50 A Module 穩(wěn)壓器。該器件具有：

發(fā)表于：2020/1/9