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業(yè)界動態(tài)

Vishay 新款具有領(lǐng)先導通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2025年5月29日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款采用無引線鍵合（BWL）封裝并具有業(yè)內(nèi)先進導通電阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N溝道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工業(yè)應(yīng)用的效率。與相同尺寸的競品器件相比，Vishay Siliconix SiEH4800EW的導通電阻低15 %，而RthJC低18 %。

發(fā)表于：2025/6/16 22:05:40

貿(mào)澤授權(quán)代理Molex產(chǎn)品提供豐富多樣的選擇

　　2025年5月29日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入（NPI）代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）是Molex的全球授權(quán)代理商，提供其豐富的產(chǎn)品解決方案。作為全球知名的連接器解決方案供應(yīng)商，Molex憑借出色的工程技術(shù)、值得信賴的合作伙伴關(guān)系以及對質(zhì)量和可靠性的不懈追求，為客戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)。貿(mào)澤提供超過180,000種Molex產(chǎn)品，其中包括35,000多種庫存產(chǎn)品，可立即發(fā)貨。Molex解決方案廣泛應(yīng)用于通信、數(shù)據(jù)中心、交通、醫(yī)療和工業(yè)等領(lǐng)域。

發(fā)表于：2025/6/16 21:58:11

非常見問題解答第233期：自動測試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案

　　簡介　　隨著AI應(yīng)用對高性能內(nèi)存，尤其是高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求不斷增長，內(nèi)存芯片設(shè)計將變得更加復雜。ATE廠商是驗證內(nèi)存芯片的關(guān)鍵一環(huán)，目前正面臨著越來越大的壓力，需要不斷提升自身能力以滿足這一需求。傳統(tǒng)上，在存儲器晶圓探針電源應(yīng)用中，PhotoMOS®開關(guān)因其良好的低電容乘電阻（CxR）特性而得到采用。低CxR有助于減少信號失真，改善開關(guān)關(guān)斷隔離度，同時實現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更低的插入損耗。

發(fā)表于：2025/6/16 21:35:18

當AI加速落地，這企業(yè)級SSD新品不容錯過

　　COMPUTEX 2025期間，AI基礎(chǔ)建設(shè)當仁不讓的成為了重要話題。特別是隨著AI應(yīng)用的不斷挖掘，AI算力設(shè)施就像是互聯(lián)網(wǎng)設(shè)施、電力設(shè)施一般變得不可替代，如何將數(shù)據(jù)中心升級成AI工廠已經(jīng)成為行業(yè)考慮的問題。

發(fā)表于：2025/6/16 21:21:15

機器人安全新突破：安全氣泡探測器的強大功能

　　摘要　　本文介紹實時安全氣泡探測的架構(gòu)，以及在開發(fā)模塊化解決方案、優(yōu)化高數(shù)據(jù)帶寬應(yīng)用以實現(xiàn)每秒30幀（FPS）運行、設(shè)計多線程應(yīng)用和算法以準確探測靠近地面的物體等方面所面臨的挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：2025/6/16 21:05:00

跨界融合、協(xié)同共生，英飛凌大中華區(qū)2025生態(tài)創(chuàng)新峰會舉行

【2025年6月16日，中國上海訊】合作推動產(chǎn)業(yè)協(xié)同共進，創(chuàng)新引領(lǐng)技術(shù)突破發(fā)展。伴隨AI加速落地、人形機器人嶄露頭角、電動汽車智能化進程加快、新能源轉(zhuǎn)型蓬勃發(fā)展，產(chǎn)業(yè)邊界逐漸模糊，跨界融合與協(xié)同共生的發(fā)展趨勢愈發(fā)顯著。契合這一發(fā)展趨勢，日前，英飛凌在上海舉辦了2025大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會（OktoberTech?，以下同）

發(fā)表于：2025/6/16 17:28:07

AMD聯(lián)手多家AI初創(chuàng)公司改進芯片及軟件設(shè)計

6 月 14 日消息，據(jù)路透社報道，AMD 正在與多家 AI 初創(chuàng)公司密切合作，意在增強自身的軟件能力并設(shè)計出更先進的芯片。隨著越來越多的 AI 企業(yè)尋求英偉達芯片的替代方案，AMD 開始擴大布局，計劃打造競爭力更強的硬件，并收購了服務(wù)器制造商 ZT Systems。

發(fā)表于：2025/6/16 13:39:13

ASML EUV光刻路線還能走多遠？

雖然近期臺積電高管表示，臺積電接下來的A16/A14制程都不會采用ASML售價高達4億美元的High NA EUV光刻機（具有0.5數(shù)值孔徑），但是英特爾則已經(jīng)決定在其下一代的Intel 14A制程上選擇采用High NA EUV光刻機進行量產(chǎn)。與此同時，為了解決為了的1nm以下制程的制造問題，ASML正在積極的研發(fā)具有0.75NA的Hyper NA EUV光刻機，這也意味著其將面臨更大的技術(shù)挑戰(zhàn)，要知道ASML花了約20年的時間才成功推動標準型EUV光刻機的規(guī)模商用。而作為急需在EUV光刻機上進行突破的中國，則將目光瞄向了基于直線電子加速器的自由電子激光技術(shù)的EUV光源（EUV-FEL）技術(shù)。

發(fā)表于：2025/6/16 13:36:02

臺積電與三星激戰(zhàn)2nm

6月16日消息，據(jù)“韓國前鋒報”報導，臺積電和三星電子目標都是在今年下半年量產(chǎn)2nm制程芯片，兩大半導體廠的搶單大戰(zhàn)預計將更加激烈，但三星的良率持續(xù)低于臺積電，成為吸引訂單的挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：2025/6/16 13:25:09

中國臺灣將華為及中芯國際列入出口管制名單

6月15日消息，據(jù)彭博社報道，中國臺灣已將華為技術(shù)有限公司和中芯國際列入了出口管制黑名單，這對此前已經(jīng)被美國列入實體清單的這兩家公司又造成了一定程度的打擊。

發(fā)表于：2025/6/16 13:13:50